制膜用材料、IV族金属氧化物膜和亚乙烯基二酰胺络合物制造技术

本发明专利技术的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明专利技术涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制膜用材料、IV族金属氧化物膜和亚乙烯基二酰胺络合物
本专利技术涉及作为用作半导体元件、光学元件等的氧化硅、氧化钛、氧化锆和氧化铪等的制膜用材料、IV族金属氧化物膜和氧化物膜制膜用材料的合成原料有用的亚乙烯基二酰胺络合物、其制造方法。
技术介绍
硅氧化物、钛氧化物、锆氧化物、和铪氧化物等IV族金属氧化物的膜根据组成、晶体结构等的差异，表现出各种各样的相对介电常数、电阻率等电性质、透光率、折射率等光学性质。因此，IV族金属氧化物膜作为半导体元件、光学元件等用于许多器件，今后也期待其在产业上的有用性进一步提高。作为制作IV族金属氧化物膜的方法，若大致分类，则可列举出干式法和湿式法两种。干式法中，有溅射法、离子镀、蒸镀法、CVD法等，而这些制膜方法通常需要大型的真空装置。湿式法中，有溶胶-凝胶法、有机金属涂布分解法(MetalOrganic Deposition ；M0D法)等。利用湿式法制作IV族金属氧化物膜时,得到的IV族金属氧化物膜的质量受到制膜用材料的种类、制膜温度的很大影响。非专利文献I中公开了具有叔丁氧基的Si (tBuNCH = CHNtBu) (OtBu) 2及其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制膜用材料，其特征在于，通过使通式(1)所示的亚乙烯基二酰胺络合物与选自由氧气、空气、臭氧、水和过氧化氢组成的组中的一种以上的氧化剂进行反应而得到，式(1)中，M1表示钛原子、硅原子、锆原子或铪原子，R1和R4各自独立地表示碳数3～12的烷基，R2和R3各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，R5表示可以被氟原子取代的碳数1～12的烷基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.05 JP 2011-192739;2011.09.05 JP 2011-192741.一种制膜用材料，其特征在于，通过使通式(I)所示的亚乙烯基二酰胺络合物与选自由氧气、空气、臭氧、水和过氧化氢组成的组中的一种以上的氧化剂进行反应而得到， 2.根据权利要求1所述的制膜用材料，其特征在于，通式(I)中的M1为钛原子、锆原子或铪原子。3.一种制膜用材料，其特征在于，通过使通式(2)所示的亚乙烯基二酰胺络合物与选自由氧气、空气、臭氧、水和过氧化氢组成的组中的一种以上的氧化剂进行反应而制造， 4.根据权利要求1~3中任一项所述的制膜用材料，其特征在于，制膜用材料是通过溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。5.根据权利要求4所述的制膜用材料，其特征在于，醇为溶纤剂类。6.根据权利要求5所述的制膜用材料，其特征在于，溶纤剂类为乙二醇单甲醚。7.一种制膜用材料，其特征在于，通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到。8.根据权利要求7所述的制膜用材料，其特征在于，醇为溶纤剂类。9.根据权利要求8所述的制膜用材料，其特征在于，溶纤剂类为乙二醇单甲醚。10.一种制膜用材料溶液，其特征在于，包含权利要求1~9中任一项所述的制膜用材料和有机溶剂。11.根据权利要求10所述的制膜用材料溶液，其特征在于，有机溶剂为醇类。12.根据权利要求11所述的制膜用材料溶液，其特征在于，醇类为乙二醇单甲醚。13.—种IV族金属氧化物膜的制作方法,其特征在于,将权利要求10~12中任一项所述的制膜材料溶液涂布于基板表面，对该基板进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理。14.一种亚乙烯基二酰胺络合物，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：木下智之，岩永宏平，浅野祥生，川畑贵裕，大岛宪昭，平井聪里，原田美德，新井一喜，多田贤一，
申请(专利权)人：东曹株式会社，公益财团法人相模中央化学研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP