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本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用...该专利属于东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所授权不得商用。