【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及生物传感器领域,具体是一种AuNPs-PDMS复合微薄膜表面应力生物传感器的制备方法。
技术介绍
表面应力生物传感器作为一类新型的传感器将分子间化学键的结合能转化为可测量的光、电或机械信号,进而实现传感检测。该方法可以从分子量级对分析物进行探测分析,具有更高的探测分析精度,这为实现高精度的疾病检测、食品农药或重金属污染检测、生化污染检测等提供一个良好的技术支持。传感器的敏感元件在整个传感器系统中起着重要作用。目前,微悬臂梁和微薄膜是基于表面应力生物传感器的两种敏感元件。其中,微悬臂梁式表面应力生物传感器在此前有大量的研究,但是此结构有着一定的局限性,如非特异性吸附。相比较而言,微薄膜不论是在信号传输还是分析物吸附方面都有着其优势。但是,现有的薄膜电容式传感器的结构加工复杂,且输出差分电容仅有几伏,极大地增加了检测电路的复杂度。
技术实现思路
本专利技术为了解决目前表面应力生物传感器存在的主要问题,如悬臂梁结构的非特性吸附、薄膜电容式传感器结构的加工复杂度等问题,提供了一种AuNPs-PDMS复合微薄膜表面应力生物传感器的制备方法。本专利技术是采用如下技术方案实现的: 一种,包括如下步骤: (1)、清洗玻璃片,并用TMCS对玻璃片进行硅烷化处理,备用; (2)、制备PDMS溶液; (3)、在备好玻璃片的上表面旋涂PDMS溶液,固化后形成PDMS薄膜;(4)、将步骤(3)所得玻璃片浸泡在HAuCl4溶液中20?24小时,进行第一次还原; (5)、用HAuCl4溶液、葡萄糖溶液和碳酸氢钾溶液配置还原液,将步骤(4)所得玻璃片浸 ...
【技术保护点】
一种AuNPs‑PDMS复合微薄膜生物传感器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)、清洗玻璃片(2),并用TMCS(三甲基氯硅烷)对玻璃片进行硅烷化处理,备用;(2)、制备PDMS溶液;(3)、在备好玻璃片(2)的上表面旋涂PDMS溶液,固化后形成PDMS薄膜(1);(4)、将步骤(3)所得玻璃片浸泡在HAuCl4溶液中20~24小时,进行第一次还原; (5)、用HAuCl4溶液、葡萄糖溶液和碳酸氢钾溶液配置还原液,将步骤(4)所得玻璃片浸泡在还原液中20~24小时,进行第二次还原;(6)、制备PDMS溶液,然后PDMS溶液利用模具制备出传感器基底(5),所述传感器基底(5)的上表面中部形成有凹腔(6);(7)在传感器基底(5)上表面的凹腔(6)周围涂PDMS溶液,将步骤(5)所得玻璃片上的PDMS薄膜从玻璃片上揭下来,贴在传感器基底(5)的上表面、且完全遮盖凹腔(6);(8)在传感器基底(5)的上表面溅射金属薄膜;(9)在金属薄膜上旋涂光刻胶,曝光和显影光刻胶后,湿法腐蚀金属薄膜,去光刻胶后,形成两个独立的电极结构,所述每个电极结构至少部分位于传感器基底上表面的PDMS薄膜边缘 ...
【技术特征摘要】
1.一种AuNPs-PDMS复合微薄膜生物传感器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤: (1)、清洗玻璃片(2),并用TMCS(三甲基氯硅烷)对玻璃片进行硅烷化处理,备用; (2)、制备PDMS溶液; (3)、在备好玻璃片(2)的上表面旋涂PDMS溶液,固化后形成PDMS薄膜(I); (4)、将步骤(3)所得玻璃片浸泡在HAuCl4溶液中20~24小时,进行第一次还原; (5)、用HAuCl4溶液、葡萄糖溶液和碳酸氢钾溶液配置还原液,将步骤(4)所得玻璃片浸泡在还原液中20~24小时,进行第二次还原; (6 )、制备PDMS溶液,然后PDMS溶液利用模具制备出传感器基底(5 ),所述传感器基底(5)的上表面中部形成有凹腔(6); (7)在传感器基底(5)上表面的凹腔(6)周围涂PDMS溶液,将步骤(5)所得玻璃片上的PDMS薄膜从玻璃片上揭下来,贴在传感器基底(5)的上表面、且完全遮盖凹腔(6); (8)在传感器基底(5)的上表面溅射金属薄膜; (9)在金属薄膜上旋涂光刻胶,曝光和显影光刻胶后,湿法腐蚀金属薄膜,去光刻胶后,形成两个独立的电极结构,所述每个电极结构至少部分位于传感器基底上表面的PDMS薄膜边缘上。2.根据权利要求1所述的AuNPs-PDMS复合微薄膜生物传感器的制备方法,其特征在于:步骤(9)中制备的两个独立电极结构呈对称分布,所述电极结构包括底电极(10)和与其连接的引线电极(11),所述底电极(10)位于传感器基底(5)上表面的PDMS薄膜边缘上,所述引线电极(11)位于传感器基底(5 )上表面。3.根据权利要求1或2所述的AuNPs-PDMS复合微薄膜生物传感器的制备方法,其特征在于:步骤(8)中,在传感器基底(5)的上表面依次溅射铬膜(9)和金膜(8)。4.根据权利要求3所述的AuNPs-PDMS复合微薄膜生物传感器的制备方法,其特征在于:步骤(8)中,首先,在传感器基底(5)上表面溅射铬膜(9),技术参数为:本底真空:1.0X10-3Pa、氩气流量:60sccm、溅射压力:0.15Pa、溅射功率:300W、射频匹配(C2/C1):550/120、溅射时间:19s、自偏压:130V ; 然后,在铬膜(9)上溅射50nm厚的金膜(8),技术参数为:本底真空:1.0 X 10_3Pa、氩气流量:60sCCm、溅射压力:0.2Pa、溅射功率:300W、射频匹配(C2/C1):600/110、溅射时间:20s、自...
【专利技术属性】
技术研发人员:桑胜波,张文栋,张丹,菅傲群,段倩倩,马文哲,李朋伟,胡杰,李刚,
申请(专利权)人:太原理工大学,
类型:发明
国别省市:山西;14
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