本发明专利技术涉及一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜；而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理，可控制得到具有单一晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。该方法得到的单分子薄膜结构中的晶型种数可调，成膜均匀，缺陷少，操作简单，温度条件温和，石墨易清洁可多次利用。通过本发明专利技术所述方法获得的石墨基底上生长的不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜可用于光电分子传感器等领域。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，该方法中烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，将其溶解在有机溶剂甲苯中，配制成溶液，然后将溶液滴加到干净的高定向裂解石墨基底上，温度25℃-55℃下溶剂挥发后得到生长在石墨表面上的含两种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜；而通过控制溶剂挥发温度60℃、或室温25℃下溶剂挥发后再通过温度75℃-80℃退火处理，可控制得到具有单一晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。该方法得到的单分子薄膜结构中的晶型种数可调，成膜均匀，缺陷少，操作简单，温度条件温和，石墨易清洁可多次利用。通过本专利技术所述方法获得的石墨基底上生长的不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜可用于光电分子传感器等领域。【专利说明】
:本专利技术属于有机半导体薄膜的制备领域，具体涉及一种在石墨基底上生长不同结构的烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法。
技术介绍
:酞菁类化合物具有良好的热稳定性、多晶性，而且具有高的光电导性、极好的气敏特性和高的三阶非线性光学极化特性等，可广泛应用于气体和光电传感器等领域。大尺寸的酞菁晶体难以生长，因此主要的研究都集中在其薄膜应用方面。几乎没有缺陷且膜质均匀的单分子膜对提高薄膜的光电性能特别有利，能有效地减少薄膜内部所产生光生载流子的自身复合。光生载流子产率还与材料的晶型有关，因此制备晶型一致、缺陷少的单分子薄膜能极大的提高酞菁类化合物薄膜材料的性能。酞菁化合物薄膜的制备方法有以下几种:L-B膜，真空气相沉积，旋转涂膜，电沉积法等。这些制备方法一般需要特殊的仪器设备、操作复杂、能耗高、难以保证缺陷少且难制备单分子层的薄膜。石墨烯具有优良的导电和导热性，已成为光电领域研究的热点，将酞菁类化合物负载在石墨烯表面形成晶型可调、缺陷少且稳定性好的单分子薄膜，可以很好的应用于光电分子传感器件的制备方面。
技术实现思路
:本专利技术的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种在石墨基底上生长不同结构的烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，本专利技术的制备方法中烷氧基铜酞菁溶液的浓度低；所用的高定向裂解石墨是由石墨烯层层堆叠的，表面平整，用透明胶带按在表面剥离即可得到干净的石墨表面，易清洁可多次利用；温度条件温和；烷氧基铜酞菁单分子薄膜的晶型结构可按需求调节。通过本专利技术所述方法制备的石墨为基底的烷氧基铜酞菁单分子薄膜可用于光电分子传感器等领域。本专利技术所述的一种，采用在石墨基底上由烷氧基铜酞菁化合物用溶剂挥发法制成，并通过控制不同的温度条件得到不同结构的单分子薄膜，具体操作按下列步骤进行:a、将烷氧基酞菁为八辛氧基铜酞菁的化合物溶解于有机溶剂甲苯中，超声震荡10分钟，配成浓度为0.005mg/mL-0.05mg/mL的溶液；b、将步骤a中的溶液滴加至干净的石墨基底上，温度25°C -60°C，静置，时间为5-30分钟，使有机溶剂甲苯完全挥发，或在室温25°C下有机溶剂甲苯挥发后，再在温度750C -80°C退火处理，时间为10分钟，得到石墨基底上生长的不同结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。步骤b中石墨为高定向裂解石墨，用透明胶带剥离去除表面层。步骤b中有机溶剂甲苯在挥发温度25°C _55°C完全挥发后，得到含有两种不同晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。步骤b中有机溶剂甲苯在挥发温度60°C完全挥发后，得到只含有一种晶形结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。步骤b中室温25°C下有机溶剂甲苯完全挥发后，再在温度75°C -80°c退火处理后得到只含有一种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。本专利技术所述的石墨基底上生长不同结构的烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法是通过以下技术实现的，将烷氧基铜酞菁溶解在有机溶剂甲苯中，形成浓度为0.005mg/mL-0.05mg/mL的分子溶液；取大小为50mmX 50mm的高定向裂解石墨,所述高定向裂解石墨在使用前用透明胶带剥离去除表面层，得到干净的石墨表面，以减少由表面因素导致的单分子薄膜的缺陷；将溶液滴加至干净的石墨基底上，控制溶剂挥发温度25V -60°C使溶剂挥发完全，或在室温25°C下溶剂挥发后再在75°C -80°C退火处理，即得到生长在石墨上的结构不同的烷氧基铜酞菁单分子薄膜。通过对所获得的材料进行测试表征显示，所述的石墨表面上的烷氧基铜酞菁薄膜为单分子层结构。本专利技术所述的烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁，其化学结构式为:【权利要求】1.一种，其特征在于采用在石墨基底上由烷氧基酞菁化合物用溶剂挥发法制成，并通过控制不同的温度条件，得到不同结构的单分子薄膜，具体操作按下列步骤进行: a、将烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁的化合物溶解于有机溶剂甲苯中，超声震荡10分钟，配成浓度为0.005 mg/mL-0.05mg/mL的溶液； b、将步骤a中的溶液滴加至干净的石墨基底上，温度25°C_60°C，静置，时间为5_30分钟，使有机溶剂甲苯完全挥发，或在室温25 °C下有机溶剂甲苯挥发后，再在温度75 °C -80 °C下退火处理，时间为10分钟，得到石墨基底上的生长不同结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。2.根据权利I要求所述的方法，其特征在于步骤b中石墨为高定向裂解石墨，用透明胶带剥离去除表面层。3.根据权利I要求所述的方法，其特征在于步骤b中有机溶剂甲苯在挥发温度.25°C-55°C完全挥发后，得到含有两种不同晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。4.根据权利I要求所述的方法，其特征在于步骤b中有机溶剂甲苯在挥发温度60°C完全挥发后，得到只含有一种晶形结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。5.根据权利I要求所述的方法，其特征在于步骤b中室温25°C下有机溶剂甲苯完全挥发后，再在温度75°C _80°C退火处理后得到只含有一种晶型结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。【文档编号】C30B7/06GK103898611SQ201410137235【公开日】2014年7月2日 申请日期:2014年4月5日 优先权日:2014年4月5日 【专利技术者】袁群惠, 王亚敏, 李守柱 申请人:中国科学院新疆理化技术研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种石墨基底上生长不同结构烷氧基铜酞菁单分子薄膜的方法，其特征在于采用在石墨基底上由烷氧基酞菁化合物用溶剂挥发法制成，并通过控制不同的温度条件，得到不同结构的单分子薄膜，具体操作按下列步骤进行：a、将烷氧基铜酞菁为八辛氧基铜酞菁的化合物溶解于有机溶剂甲苯中，超声震荡10分钟，配成浓度为0.005 mg/mL‑0.05mg/mL的溶液；b、将步骤a中的溶液滴加至干净的石墨基底上，温度25℃‑60℃，静置，时间为5‑30分钟，使有机溶剂甲苯完全挥发，或在室温25℃下有机溶剂甲苯挥发后，再在温度75℃‑80℃下退火处理，时间为10分钟，得到石墨基底上的生长不同结构的八辛氧基铜酞菁单分子薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁群惠，王亚敏，李守柱，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：新疆;65
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。