一种碳纳米场效应晶体管编码器制造技术

本发明专利技术公开了一种碳纳米场效应晶体管编码器，通过以第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一三输入与非门、第二三输入与非门、第三三输入与非门、第四三输入与非门、第五三输入与非门、第六三输入与非门、第七三输入与非门、第一二输入与非门、第二二输入与非门、第三二输入与非门和二输入与门组成的二值电路为基础，当编码器的输入端输入三位二值输入信号时，三位二值输入信号首先通过二值电路进行处理，处理后的信号输入到由第一CNFET与非门、第二CNFET与非门、第一CNFET或非门、第二CNFET或非门、第四反相器和第五反相器组成的三值电路中转换为三值信号进行传输；优点是减少电路中引线数目，兼容现在的二值电路，电路结构简单,集成度较高，成本和功耗较低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种碳纳米场效应晶体管编码器，其特征在于包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第一三输入与非门、第二三输入与非门、第三三输入与非门、第四三输入与非门、第五三输入与非门、第六三输入与非门、第七三输入与非门、第一二输入与非门、第二二输入与非门、第三二输入与非门、二输入与门、第一CNFET与非门、第二CNFET与非门、第一CNFET或非门和第二CNFET或非门，所述的第一反相器的输入端、所述的第一三输入与非门的第一输入端、所述的第二三输入与非门的第一输入端、所述的第四三输入与非门的第一输入端和所述的第五三输入与非门的第一输入端连接且其连接端为编码器的第一输入端用于接入三位二值输入信号的第一位，所述的第一反相器的输出端、所述的第三三输入与非门的第一输入端和所述的第六三输入与非门的第一输入端连接，所述的第二反相器的输入端、所述的第一三输入与非门的第二输入端、所述的二输入与门的第一输入端、所述的第四三输入与非门的第二输入端和所述的第六三输入与非门的第二输入端连接且其连接端为编码器的第二输入端用于接入三位二值输入信号的第二位，所述的第二反相器的输出端、所述的第一二输入与非门的第一输入端、所述的第二三输入与非门的第二输入端、所述的第三三输入与非门的第二输入端和所述的第五三输入与非门的第二输入端连接，所述的第三反相器的输入端、所述的第一二输入与非门的第二输入端、所述的二输入与门的第二输入端、所述的第三三输入与非门的第三输入端、所述的第四三输入与非门的第三输入端和所述的第五三输入与非门的第三输入端连接且其连接端为编码器的第三输入端用于接入三位二值输入信号的第三位，所述的第三反相器的输出端、所述的第一三输入与非门的第三输入端、所述的第二三输入与非门的第三输入端和所述的第六三输入与非门的第三输入端连接，所述的第一三输入与非门的输出端、所述的第一二输入与非门的输出端与所述的第二二输入与非门的两个输入端一一对应连接，所述的第二三输入与非门的输出端、所述的第三三输入与非门的输出端和所述的第四三输入与非门的输出端与所述的第七三输入与非门的三个输入端一一对应连接，所述的第五三输入与非门的输出端和所述的第六三输入与非门的输出端与所述的第三二输入与非门的两个输入端一一对应连接，所述的第二二输入与非门的输出端与所述的第一CNFET与非门的第一输入端连接，所述的第一CNFET与非门的输出端与所述的第四反相器的输入端连接，所述的第四反相器的输出端和所述的二输入与门的输出端与所述的第一CNFET或非门的两个输入端一一对应连接，所述的第七三输入与非门的输出端与所述的第二CNFET与非门的第一输入端连接，所述的第二CNFET与非门的输出端与所述的第五反相器的输入端连接，所述的第五反相器的输出端和所述的第三二输入与非门的输出端与所述的第二CNFET或非门的两个输入端一一对应连接，所述的第一CNFET与非门的第二输入端和所述的第二CNFET与非门的第二输入端均接入幅值电平对应逻辑1的电压信号，所述的第一反相器、所述的第二反相器、所述的第三反相器、所述的第一三输入与非门、所述的第二三输入与非门、所述的第三三输入与非门、所述的第四三输入与非门、所述的第五三输入与非门、所述的第六三输入与非门、所述的第七三输入与非门、所述的第一二输入与非门、所述的第二二输入与非门、所述的第三二输入与非门和所述的二输入与门均为二值门电路，所述的第四反相器和所述的第五反相器均为三值反相器，所述的第一CNFET与非门和所述的第二CNFET与非门均为三值与非门电路，所述的第一CNFET或非门和所述的第二CNFET或非门均为三值或非门电路，所述的第二CNFET或非门的输出端为编码器的第一输出端用于输出二位三值输出信号的第一位，所述的第一CNFET或非门的输出端为编码器的第二输出端用于输出二位三值输出信号的第二位。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏君，唐伟童，王谦，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33