一种LED检测装置，其至少包含具有光电转换功能的基座以及点测装置。基座用以承载至少一发光二极管晶片。点测装置包含一电源供应器及至少二个导电元件。导电元件的两端分别电性连接发光二极管晶片及电源供应器，以令发光二极管晶片发出光线。发光二极管晶片发出的部分光线朝向基座，以使得基座将发光二极管晶片发出的光线转换成一电子信号。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种LED检测装置，其至少包含具有光电转换功能的基座以及点测装置。基座用以承载至少一发光二极管晶片。点测装置包含一电源供应器及至少二个导电元件。导电元件的两端分别电性连接发光二极管晶片及电源供应器，以令发光二极管晶片发出光线。发光二极管晶片发出的部分光线朝向基座，以使得基座将发光二极管晶片发出的光线转换成一电子信号。【专利说明】LED检测装置【
】本专利技术是有关于一种检测装置，特别是有关于一种LED检测装置。【
技术介绍
】随着科技进步及生活品质的提升，现代人对于照明更趋重视。从自古利用物质燃烧以进行发光照明的火把、动植物油灯、蜡烛、煤油灯，以电力发光的白炽灯、荧光灯，抑或是现今常用的发光二极管(light-emitting diode，LED)，皆显示照明在人类日常生活中扮演极重要的角色。发光二极管是利用电子电洞结合以发出单色光，以达到照明或警示的作用。发光二极管相较于传统光源，具有发光效率高、使用寿命长、不易破损、反应速度快等优点。由于近几年政府大力的提倡及各城市LED路灯规模的加速扩大下，使用LED作为照明用途已随处可见。一般常用点测机以检测发光二极管晶片的发光效率。现有的点测机是利用探针提供发光二极管晶片发光的电压来源，再经由点测机的光感测装置收集光线，进而判断发光二极管晶片的发光效率。然而，使用者在使用现有的点测机时，不仅须选用适当的光感测装置以感测发光二极管晶片的发光效率，且在实际操作上，使用者更常为了达到完整收光的目的，而须调整光感测装置与发光二极管晶片的相对位置，着实增加使用者于检测发光二极管晶片的繁杂度及所需的检测时间。又，光线通过载台至光感测装置的路径，易因光线折射造成光量损失，影响检测发光二极管晶片发光效率的准确度。【
技术实现思路
】有鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的其中一目的就是在于提供一种LED检测装置，以降低使用者检测发光二极管晶片的繁杂度及所需的检测时间。本专利技术的另一目的，在于提出一种LED检测装置，以提高检测发光二极管晶片的准确度。为达前述目的，本专利技术提出一种LED检测装置，至少包含具有光电转换功能的基座以及点测装置。基座用以承载至少一发光二极管晶片。点测装置包含电源供应器及至少二个导电元件，且导电元件的两端分别电性连接发光二极管晶片及电源供应器，以令发光二极管晶片发出光线。并且，发光二极管晶片发出的部分光线朝向基座，以使得基座将发光二极管晶片发出的光线转换成一电子信号。其中，基座为太阳能板或光侦测器阵列(photodetector array),且太阳能板为非晶娃太阳能板或三五族太阳能板,而光侦测器阵列为光电二极管、电荷稱合器件(charge coupled device, CO))、光电阻、量子器件光学侦测器、光电闸、光电晶体或光导体的 阵列。此外，基座的面积实质上大于发光二极管晶片或其阵列的分布面积。较佳地，基座的面积大于〔L+2H tan( Θ /2)〕X〔W+2H tan( Θ /2)〕，其中L为发光二极管晶片的长度，W为发光二极管晶片的宽度，H为发光二极管晶片的高度，Θ为发光二极管晶片面向基座的最大出光角。根据本专利技术的LED检测装置的第一较佳实施例，导电元件为探针。根据本专利技术的LED检测装置的第二较佳实施例，导电元件为导电薄膜，且导电薄膜设置于基座与发光二极管晶片之间。其中，导电薄膜的材质为氧化铟锡(indium t inoxide, ITO)或氧化铟锋(indiumzinc oxide, IZ0)。根据本专利技术的LED检测装置的第三较佳实施例，导电元件为导电薄膜，且导电薄膜设置于基座与发光二极管晶片之上。其中，导电薄膜的材质为氧化铟锡(indium tinoxide, ITO)或氧化铟锋(indiumzinc oxide, IZ0)。在本专利技术的LED检测装置的第一及第三较佳实施例中，基座与发光二极管晶片之间设有具黏性的膜材，且膜材上还设置一扩张环(gripring)，用以拉撑膜材。此外，在本专利技术的LED检测装置的第一、第二、第三较佳实施例中，发光二极管晶片背向基座的一侧可装设反射膜，以反射发光二极管晶片的背向基座的一面的出光或侧向出光。其中，反射膜为于300nm~700nm的光波长区域的反射率为90%以上的薄膜。较佳地，反射膜为于430nm~475nm的可见蓝光区域的反射率为90%以上的薄膜。承上所述，本专利技术的LED检测装置，其可具有一或多个下述优点:(I)本专利技术的LED检测装置，利用具有光电转换功能的基座承载发光二极管晶片并检测其发光效率，以减低使用者操作检测装置的繁杂度以及所需的检测时间。(2)本专利技术的LED检测装置，利用具有光电转换功能的基座，可降低传递路径中的光损失，以提高检测发光二极管晶片的准确度。【【专利附图】【附图说明】】图1为本专利技术的LED 检测装置的第一较佳实施例的剖面示意图。图2A为发光二极管晶片的立体图。图2B为发光二极管晶片沿图2A剖面线A-A’所得的剖面示意图。图2C为发光二极管晶片沿图2A剖面线B-B’所得的剖面示意图。图3为本专利技术的LED检测装置的第二较佳实施例的剖面示意图。图4为本专利技术的LED检测装置的第三较佳实施例的剖面示意图。10、A:发光二极管晶片100:点测装置12:探针13:电源供应器15:电子装置L1:光线200:基座14:导电薄膜30:膜材32:扩张环40:反射膜L:发光二极管晶片长度W:发光二极管晶片宽度H:发光二极管晶片高度A-A，、B-B’:剖面线【【具体实施方式】】本专利技术的LED检测装置至少包含具有光电转换功能的基座以及点测装置。其中，点测装置包含电源供应器及至少两个导电元件。在本专利技术的实施例中，导电元件可例如为探针或导电薄膜。使用者可视实际需求选用探针或导电薄膜以电性接触并施予发光二极管晶片电压。然而，在本专利技术的LED检测装置中，导电元件并不限于上述的探针或导电薄膜，任何能提供发光二极管晶片电压，使得发光二极管晶片得以发出光线的导电元件，皆属于本专利技术所申请保护的范围。请参阅图1，其为本专利技术的LED检测装置的第一较佳实施例的剖面示意图。如图1所示，本专利技术的LED检测装置的第一较佳实施例包含具有光电转换功能的基座200以及点测装置100。基座200用以承载所欲检测的发光二极管晶片10。点测装置100包含电源供应器13及至少两个导电元件。在本专利技术的第一较佳实施例中，导电元件为探针12，且探针12的两端分别电性连接发光二极管晶片A及电源供应器13，以令发光二极管晶片A的两电极接收不同电压而发出数道光线LI。并且，如图1所示，发光二极管晶片A发出的数道光线LI朝向基座200，以使得基座200将发光二极管晶片A发出的数道光线LI转换成一电子信号。此外，为了较完整地收集发光二极管晶片各方向的出光，进而提高检测效率，可在发光二极管晶片A的背光面加装一反射膜40，用以反射发光二极管晶片A其他方向的出光，例如背向基座的一面的出光或侧向出光。其他方向的出光经反射膜40作用后以与LI相同的方向射向基座200，使得基座200收集反射光后转换成电子信号。由于本专利技术是利用具有光电转换功能的基座以检测发光二极管晶片的发光效率，故基座200的面积实质上大于发光二极管晶片10的阵列分布面积，以达到较完整地本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED检测装置，至少包含：一具有光电转换功能的基座，用以承载至少一发光二极管晶片；以及一点测装置，该点测装置包含一电源供应器及至少两个导电元件，这些导电元件的两端分别电性连接该发光二极管晶片及该电源供应器，以令该发光二极管晶片发出光线，其中该发光二极管晶片发出的部分光线朝向该基座，以使得该基座将该发光二极管晶片发出的光线转换成一电子信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴岱纬，蔡泰成，林信宏，蔡秉宗，黄佩怡，许国君，许寿文，李允立，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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