用于铜片预氧化的陶瓷支架制造技术

本实用新型专利技术用于铜片预氧化的陶瓷支架，陶瓷片本体，在陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部；铜箔，铜箔贴合在陶瓷片本体及陶瓷折弯部的内表面，铜箔的中心线与陶瓷片本体与陶瓷折弯部连接处的折痕重合。陶瓷折弯部垂直于陶瓷片本体。陶瓷片本体及陶瓷折弯部的厚度为0.635毫米。铜箔的厚度为0.1毫米～0.4毫米。本实用新型专利技术用于铜片预氧化的陶瓷支架将铜片直接放在传送带上单面预氧化改为将铜片放在支架上氧化，使铜片与传送带之间有一定悬空度，保证了氧气的流动顺畅，使得铜片双面氧化均匀。改善了产品烧结后表面晶粒状态，粗糙度均匀。采用Al2O3的陶瓷片和铜箔作为治具的制作材料，用DBC方法进行制作，治具结构简单、耐用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架，陶瓷片本体，在陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部；铜箔，铜箔贴合在陶瓷片本体及陶瓷折弯部的内表面，铜箔的中心线与陶瓷片本体与陶瓷折弯部连接处的折痕重合。陶瓷折弯部垂直于陶瓷片本体。陶瓷片本体及陶瓷折弯部的厚度为0.635毫米。铜箔的厚度为0.1毫米～0.4毫米。本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架将铜片直接放在传送带上单面预氧化改为将铜片放在支架上氧化，使铜片与传送带之间有一定悬空度，保证了氧气的流动顺畅，使得铜片双面氧化均匀。改善了产品烧结后表面晶粒状态，粗糙度均匀。采用Al2O3的陶瓷片和铜箔作为治具的制作材料，用DBC方法进行制作，治具结构简单、耐用。【专利说明】用于铜片预氧化的陶瓷支架
本技术属于半导体制造、LED、光通讯领域，特别是一种用于铜片预氧化的陶瓷支架。
技术介绍
直接覆铜陶瓷基板(DBC基板)烧结前，铜片都需要经过预氧化工艺处理。目前常用铜片预氧化工艺为直接将铜片放在传送带上在氧化气氛中进行预氧化。由于铜片与传送带直接接触，铜片基本上处于单面氧化状态。铜片与传送带接触处会氧化不足、同时污染了铜片表面，影响了产品表面晶粒粗糙度和外观质量，芯片焊接和表面打线性能也下降。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改善产品表面晶粒，提高产品良品率的用于铜片预氧化的陶瓷支架。为解决上述技术问题，本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架，陶瓷片本体，在所述陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部；铜箔，所述铜箔贴合在所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的内表面，所述铜箔的中心线与所述陶瓷片本体与所述陶瓷折弯部连接处的折痕重合。所述陶瓷折弯部垂直于所述陶瓷片本体。所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的厚度为0.635毫米。所述铜箔的厚度为0.1毫米~0.4毫米。本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架将铜片直接放在传送带上单面预氧化改为将铜片放在支架上氧化，使铜片与传送带之间有一定悬空度，保证了氧气的流动顺畅，使得铜片双面氧化均匀。改善了产品烧结后表面晶粒状态，粗糙度均匀。本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架采用A1203的陶瓷片和铜箔作为治具的制作材料，用DBC方法进行制作，治具结构简单、耐用。【专利附图】【附图说明】图1为本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架结构示意图；图2为本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架使用示意图。本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架附图中附图标记说明:1-陶瓷片本体 2-陶瓷折弯部 3-铜箔4-传送带5-待氧化铜片 6-陶瓷支架【具体实施方式】下面结合附图对本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架作进一步详细说明。如图1所示，本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架，首先用138毫米X 188毫米X0.635毫米的陶瓷基片，在其表面覆上0.1毫米~0.4毫米的铜箔3。用图形转移和腐蚀工艺将陶瓷基片图形蚀刻出来。用激光切割机按特定的宽度将陶瓷基片切成单个长条形。沿着铜箔3中心将长条形陶瓷基片两端折成90度，形成陶瓷片本体I以及设置在陶瓷片本体I两端的陶瓷折弯部2。如图2所示，将两个陶瓷支架6面对面放在传送带4上，再将需预氧化铜片5放在陶瓷支架6上即可进行铜片预氧化工艺。本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架将铜片直接放在传送带上单面预氧化改为将铜片放在支架上氧化，使铜片与传送带之间有一定悬空度，保证了氧气的流动顺畅，使得铜片双面氧化均匀。改善了产品烧结后表面晶粒状态，粗糙度均匀。本技术用于铜片预氧化的陶瓷支架采用A1203的陶瓷片和铜箔作为治具的制作材料，用DBC方法进行制作，治具结构简单、耐用。以上已对本技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。【权利要求】1.用于铜片预氧化的陶瓷支架，其特征在于，包括: 陶瓷片本体，在所述陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部； 铜箔，所述铜箔贴合在所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的内表面，所述铜箔的中心线与所述陶瓷片本体与所述陶瓷折弯部连接处的折痕重合。2.根据权利要求1所述的用于铜片预氧化的陶瓷支架，其特征在于，所述陶瓷折弯部垂直于所述陶瓷片本体。3.根据权利要求1所述的用于铜片预氧化的陶瓷支架，其特征在于，所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的厚度为0.635毫米。4.根据权利要求1所述的用于铜片预氧化的陶瓷支架，其特征在于，所述铜箔的厚度为0.1毫米?0.4毫米。【文档编号】H01L21/673GK203674184SQ201320746191【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年11月22日 优先权日:2013年11月22日 【专利技术者】祝林, 贺贤汉 申请人:上海申和热磁电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于铜片预氧化的陶瓷支架，其特征在于，包括：陶瓷片本体，在所述陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部；铜箔，所述铜箔贴合在所述陶瓷片本体及所述陶瓷折弯部的内表面，所述铜箔的中心线与所述陶瓷片本体与所述陶瓷折弯部连接处的折痕重合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：祝林，贺贤汉，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31