一种薄膜生产设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于：在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。本实用新型专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于：在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。本技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。【专利说明】一种薄膜生产设备
本技术涉及一种薄膜生产设备。
技术介绍
金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性，耐磨损性，极佳的化学惰性，和从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。现有用于制备金刚石薄膜的装置，其结构一般比较复杂，生产成本高。故此，现有用于制备金刚石薄膜的装置有待于进一步完善。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。为了达到上述目的，本技术采用以下方案:一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于:在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于在所述的阴极上内设有水冷容腔，在所述的阴极设有与所述水冷容器相连接的进水口。如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极与阴极通过导线连接有电源。如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极包括有阳极本体，在所述的阳极本体上设有水冷进口。如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极与阴极之间的距离为2cm。综上所述，本技术的有益效果:本技术工艺方法简单，制作方便，生产成本相对较低。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的示意图。【具体实施方式】下面结合【专利附图】【附图说明】和【具体实施方式】对本技术做进一步描述:如图1所示，本技术一种薄膜生产设备，包括有反应室1，在所述的反应室I下方设有气体入口 2，在所述反应室I内与所述气体入口 2对应的位置上设有阴极3，在所述的阴极3上设有多个透气孔4，在所述阴极3上方设有水冷阳极5，基片6设置在水冷阳极5上。本技术中所述水冷阳极5与阴极3通过导线7连接有电源8。本技术中在所述的阴极3上内设有水冷容腔，在所述的阴极3设有与所述水冷容器相连接的进水口 9。本技术中所述水冷阳极5包括有阳极本体51，在所述的阳极本体51上设有水冷进口 52。所述水冷阳极5与阴极之间的距离为2cm。本技术装置使用过程中压力约28KPa的反应气体CH4+H2通过阴极3中的进入反应室1，水冷阳极5位于阴极3上方，基片6安装在水冷阳极上，水冷阳极与阴极的距离为2cm，CH4/H2比率由0.3%变到4%，但流量固定在20sCCm，所使用的典型放电条件为IKV和0.4nm/cm2,基片6温度上升到800°C，其温度可通过改变通入阳极的冷却水的流量来改变。采用本技术装置制备的金刚石薄膜，其面间距、点阵常数、维氏硬度与自然金刚石对应值相符。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种薄膜生产设备，包括有反应室(I)，其特征在于:在所述的反应室(I)下方设有气体入口( 2 )，在所述反应室(I)内与所述气体入口( 2 )对应的位置上设有阴极(3 )，在所述的阴极(3)上设有多个透气孔(4)，在所述阴极(3)上方设有水冷阳极(5)，基片(6)设置在水冷阳极(5)上，所述水冷阳极(5)与阴极(3)通过导线(7)连接有电源(8)。2.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于在所述的阴极(3)上内设有水冷容腔，在所述的阴极(3)设有与所述水冷容器相连接的进水口(9)。3.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极(5)包括有阳极本体(51)，在所述的阳极本体(51)上设有水冷进口( 52 )。4.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极之间的距离为2cm。【文档编号】C23C16/50GK203639551SQ201320719392【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日 【专利技术者】秦文锋, 杨文志, 李学军 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜生产设备，包括有反应室（1），其特征在于：在所述的反应室（1）下方设有气体入口（2），在所述反应室（1）内与所述气体入口（2）对应的位置上设有阴极（3），在所述的阴极（3）上设有多个透气孔（4），在所述阴极（3）上方设有水冷阳极（5），基片（6）设置在水冷阳极（5）上，所述水冷阳极（5）与阴极（3）通过导线（7）连接有电源（8）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦文锋，杨文志，李学军，
申请(专利权)人：中山市创科科研技术服务有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44