清洗装置制造方法及图纸

技术编号:10135551 阅读:104 留言:0更新日期:2014-06-16 14:53
本发明专利技术提供一种清洗装置,在旋转工作台中能对晶片的被清洗面进行擦刷清洗,且防止污染物绕到晶片的背面而造成背面污染。外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面(21a)蓄积液体而形成液体层(6);液体供给口,其向液体蓄积部上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,因此,在清洗晶片(W)时,液体蓄积部被定位于作用位置,形成于液体蓄积部的液体层的上表面(7)为与旋转工作台的上表面(3)相同的高度,由液体层保持晶片外周部(Wc),并能够通过清洗构件来清洗晶片的正面(Wa)。另外,由于晶片的背面(Wb)被液体层密封,所以能够防止污染物绕到背面,能够减低晶片的背面污染。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种清洗装置,在旋转工作台中能对晶片的被清洗面进行擦刷清洗,且防止污染物绕到晶片的背面而造成背面污染。外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面(21a)蓄积液体而形成液体层(6);液体供给口,其向液体蓄积部上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,因此,在清洗晶片(W)时,液体蓄积部被定位于作用位置,形成于液体蓄积部的液体层的上表面(7)为与旋转工作台的上表面(3)相同的高度,由液体层保持晶片外周部(Wc),并能够通过清洗构件来清洗晶片的正面(Wa)。另外,由于晶片的背面(Wb)被液体层密封,所以能够防止污染物绕到背面,能够减低晶片的背面污染。【专利说明】/目/7t衣直
本专利技术涉及清洗晶片的面的清洗装置。
技术介绍
当使用磨削装置来对从铸锭切出且在两面存在起伏的晶片的两面、或通过间隔道划分开地在表面形成有多个器件的晶片的背面进行磨削时,由于晶片附着有磨削屑(污染物),所以需要在磨削后对晶片进行清洗。另外,在对形成有器件的晶片的背面进行磨削之后,通过激光加工装置或切割装置来使间隔道分离而将晶片分割成一个个器件时,由于晶片附着有切削屑等(污染物),所以也需要在分割后对晶片进行清洗。一般的磨削装置或切割装置至少具有:加工构件,其用于对保持在卡盘工作台上的晶片进行磨削或切削;旋转式的清洗装置,其使因磨削或切削而被污染的晶片旋转并且通过清洗液来进行清洗;以及搬送装置,其用于搬送晶片。这样的清洗装置具有旋转工作台,该旋转工作台保持晶片并进行旋转。在通过上述清洗装置来对磨削后或分割后的晶片进行清洗时,在通过搬送装置将晶片搬送到旋转工作台上并定位于作业位置的状态下,清洗装置一边使旋转工作台旋转一边向晶片的正面(被清洗面)供给清洗液,由此,除去磨削屑或切削屑等(例如,参照下述的专利文献I)。为了通过搬送垫从保持在旋转工作台上的晶片的背面侧来保持晶片,旋转工作台大多形成为比晶片的外径小。在这样的旋转工作台中,由于只有晶片的中心部保持在旋转工作台上,所以例如在下述的专利文献2中提出了这样的清洗装置:该清洗装置具有刷子构件,该刷子构件对晶片(中心部保持在旋转工作台上而外周部没有被保持)的没有被保持的外周部进行支撑。该清洗装置能够在支撑晶片背面整个面的状态下对晶片的正面进行清洗。现有技术文献专利文献1:日本特开2004-322168号公报 专利文献2:日本特开2000-260740号公报但是,在构成为通过刷子来支撑晶片的外周部的清洗装置中,有时存在于晶片正面的污染物会绕到晶片的背面侧,加上与背面接触的刷子的力,污染物会附着在晶片的背面外周而无法除去。因此,产生这样的问题:在没有除去污染物的状态下继续进行晶片的加工,即使在其他的清洗工序中也无法除去附着在晶片的背面外周的污染物,因此,对晶片的品质造成不良影响。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事情而完成的专利技术,本专利技术要解决课题在于,即使是具有比晶片的尺寸小的外径的旋转工作台,也能够接触(擦刷)清洗晶片的正面,且防止污染物绕到晶片的背面而对背面造成污染。本专利技术的清洗装置特征在于,具有:旋转工作台,其形成为直径比晶片的外径小,该旋转工作台用于将晶片保持在上表面并且该旋转工作台能够高速旋转;清洗构件,其向保持在上述旋转工作台的上表面上的晶片的被清洗面供给清洗液,来清洗上述晶片的被清洗面;以及外周保持构件,其形成为围绕上述旋转工作台并通过液体层来支撑晶片的外周部,上述外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面蓄积液体而形成液体层;液体供给口,其向上述液体蓄积部的上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将上述液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,在上述作用位置,形成于上述液体蓄积部的上述液体层的上表面被定位于与上述旋转工作台的上表面相同的高度位置,在上述非作用位置,上述液体蓄积部的上表面被定位于比上述旋转工作台的上表面靠下方的位置,在晶片清洗时,上述液体蓄积部被定位于上述作用位置,从上述液体供给口向上述液体蓄积部的上表面供给液体,保持在上述旋转工作台的上表面上的晶片的外周部被形成于上述液体蓄积部的液体层保持,并且通过上述旋转工作台的旋转使晶片旋转,并通过上述清洗构件来进行晶片的被清洗面的清洗,在晶片干燥时,上述液体蓄积部被定位于上述非作用位置,通过使上述旋转工作台高速旋转来进行晶片的被清洗面的干燥。专利技术效果本专利技术的清洗装置具有围绕旋转工作台的外周保持构件,外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面蓄积液体而形成液体层;液体供给口,其向液体蓄积部的上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,在清洗晶片时,通过使液体蓄积部被定位于作用位置,形成于液体蓄积部的液体层的上表面为与旋转工作台的上表面相同的高度,从而能够保持晶片的外周部,因此,在该状态下,能够通过清洗构件来清洗晶片的正面。另外,通过由液体层保持晶片的外周部,晶片的外周部侧的背面被液体层密封,因此,能够防止存在于晶片正面的污染物绕到背面。因此,能够减低晶片的背面污染,能够抑制对器件的品质造成不良影响。【专利附图】【附图说明】图1是表示清洗装置的结构的立体图。图2是表示旋转工作台以及外周保持构件的结构的剖视图。图3是表示搭载了清洗装置的磨削装置的一个示例的立体图。图4是表示清洗工序的剖视图。图5是表示干燥工序的剖视图。标号说明1:清洗装置2:旋转工作台3:上表面4:多孔质部件5:旋转轴6:液体层7:上表面8:收纳器9a:搬送区9b:清洗区10:清洗构件11:擦刷清洗部件12:支撑柱13:清洗液供给喷嘴14:清洗液供给源15:压缩空气供给喷嘴16:空气供给源17:支撑部20:外周保持构件21:液体蓄积部21a:上表面22:液体供给口 23:升降部23a:活塞24:供给管25:开闭阀26:供给源30:磨削装置31:基座 32:支柱 33a、33b:台34a、34b:收纳盒35:搬送构件36:临时放置构件37:转盘38:卡盘工作台39:磨削构件40:磨削进给构件41:第I搬送臂42:第2搬送臂Pl:作用位置P2:非作用位置W:晶片Wa:正面(被清洗面)Wb:背面Wc:外周部【具体实施方式】—边参照图1以及图2 —边对清洗被加工物即晶片W的清洗装置I的结构进行说明。清洗装置I具有:旋转工作台2,其用于保持被加工物并且能够高速旋转;清洗构件10,其用于清洗被加工物;以及外周保持构件20,其形成为围绕旋转工作台2并支撑被加工物的外周部,并且该清洗装置I构成为收纳于在收纳器8的中央部形成的空间内。如图1以及图2所示,旋转工作台2形成为直径比被加工物的外径小。旋转工作台2具有多孔质部件4,旋转工作台2的表面侧为抽吸保持被加工物的上表面3。旋转工作台2的下端与旋转轴5连接,该旋转轴5使旋转工作台2高速旋转。另外,旋转工作台2构成为能够沿Z轴方向升降,并且能够在被加工物的搬送区9a和清洗区9b之间移动。清洗构件10具有接触(擦刷)清洗被加工物的擦刷清洗部件11 (参照图4)。擦刷清洗部件11在旋转工作台2的上方通过支撑柱12而被支撑为能够以水平方向的旋转轴为中心旋转。另外,作为擦刷清洗部件11,例如能够使用海绵,但是没有特别限定。清洗构件10具有:清洗液本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种清洗装置,其特征在于,具有:旋转工作台,其形成为直径比晶片的外径小,该旋转工作台用于将晶片保持在上表面并且该旋转工作台能够旋转;清洗构件,其向保持在上述旋转工作台的上表面上的晶片的被清洗面供给清洗液,来清洗上述晶片的被清洗面;以及外周保持构件,其形成为围绕上述旋转工作台并通过液体层来支撑晶片的外周部,上述外周保持构件具有:液体蓄积部,其在上表面蓄积液体而形成液体层;液体供给口,其向上述液体蓄积部的上表面供给液体;以及升降部,其选择性地将上述液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置,在上述作用位置,形成于上述液体蓄积部的上述液体层的上表面被定位于与上述旋转工作台的上表面相同的高度位置,在上述非作用位置,上述液体蓄积部的上表面被定位于比上述旋转工作台的上表面靠下方的位置,在晶片清洗时,上述液体蓄积部被定位于上述作用位置,从上述液体供给口向上述液体蓄积部的上表面供给液体,保持在上述旋转工作台的上表面上的晶片的外周部被形成于上述液体蓄积部的液体层保持,并且通过上述旋转工作台的旋转使晶片旋转,并通过上述清洗构件来进行晶片的被清洗面的清洗,在晶片干燥时,上述液体蓄积部被定位于上述非作用位置,通过使上述旋转工作台高速旋转来进行晶片的被清洗面的干燥。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:沟本康隆
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本;JP

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