平板式PECVD设备及其气路装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种平板式PECVD设备及其气路装置。该平板式PECVD气路装置包括：供气管道，该供气管道上设置有多个特气气孔；多个磁性接头，设置在供气管道上并与多个特气气孔一一对应地连接。根据本实用新型专利技术的平板式PECVD设备及其气路装置，能够避免特气气孔被沉积的薄膜封堵，进而延长特气气孔的使用周期。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种平板式PECVD设备及其气路装置。该平板式PECVD气路装置包括：供气管道，该供气管道上设置有多个特气气孔；多个磁性接头，设置在供气管道上并与多个特气气孔一一对应地连接。根据本技术的平板式PECVD设备及其气路装置，能够避免特气气孔被沉积的薄膜封堵，进而延长特气气孔的使用周期。【专利说明】平板式PECVD设备及其气路装置
本技术涉及PECVD装置
，更具体地，涉及一种平板式PECVD设备及其气路装置。
技术介绍
目前，平板式PECVD设备中，沉积氮化硅膜用的气路一般包括4、6、8路等，每一个气路上面开有不同数量的特气气孔，该特气气孔将管路中的气体引人到反应腔室中，发生反应沉积出氮化硅膜。氮化硅薄膜具有高的化学稳定性、高电阻率、绝缘性好、硬度高、光学性能良好等特性，在太阳能电池上得到广泛的应用。平板式PECVD和管式PECVD在工业生产中得到了广泛应用。相对管式PECVD，平板式PECVD有着均匀性好和产量高的特点。平板式PECVD设备被广泛应用。但是平板式PECVD设备在运行一段时间后，因为各气路特气孔会沉积氮化硅和硅颗粒等发生不同程度的堵塞，出现各片氮化硅膜层厚度不一，经工艺调整不能解决的便需要对设备进行维护。从而严重影响着PECVD设备运行的稳定性，并增加了设备维护的成本，降低了设备的生产率。
技术实现思路
本技术旨在提供一种平板式PECVD设备及其气路装置，以解决现有技术中的平板式PECVD气路装置的特气孔容易堵塞的问题。为解决上述技术问题，根据本技术的一个方面，提供了一种平板式PECVD气路装置，该平板式PECVD气路装置包括:供气管道，供气管道上设置有多个特气气孔；多个磁性接头，设置在供气管道上并与多个特气气孔一一对应地连接。进一步地，平板式PECVD气路装置还包括连接管道，连接管道连接在气源和供气管道之间。进一步地，连接管道包括总管道和与总管道连接的多根支流管道，总管道与气源连接，多根支流管道均与供气管道连接。进一步地，平板式PECVD气路装置还包括流量计，流量计设置在总管道上。进一步地，供气管道为磁性管道。进一步地，多个特气气孔沿供气管道的长度方向均匀设置，且各特气气孔的出气方向朝向平板式PECVD设备的工艺腔。进一步地，多个磁性接头一一对应地设置在多个特气气孔的靠近工艺腔的一侧。进一步地，多个磁性接头——对应地嵌设在特气气孔内。根据本技术的另一方面，提供了一种平板式PECVD设备，该平板式PECVD设备包括平板式PECVD气路装置，平板式PECVD气路装置为上述的平板式PECVD气路装置。应用本技术的技术方案，由于特气气孔上一一对应地设置有磁性接头，当特气从特气气孔进入工艺腔的过程中，特气被激发产生等离子体。而磁性接头能够产生磁场，在等离子体产生并沉积的过程中，磁场能够使等离子体发生偏转，阻止等离子体在特气气 孔处成核并沉积，避免特气气孔被沉积的薄膜封堵，进而延长特气气孔的使用周期。【专利附图】【附图说明】构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1示意性示出了本技术的平板式PECVD气路装置主视图。附图标记说明:10、供气管道；11、特气气孔；20、磁性接头；30、连接管道；31、总管道、32、支流管道；40、流量计。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的实施例进行详细说明，但是本技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。术语解释:PECVD:是等离子增强型化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)简称。PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。特气:平板式PECVD中通入的SiH4和NH3气体。片间色差:同一石墨舟上镀膜后片与片之间的膜厚与颜色差别。参见图1所示，图中箭头方向为特气的流动方向。根据本技术的实施例，提供了一种平板式PECVD气路装置。该平板式PECVD气路装置包括供气管道10和多个磁性接头20。其中，供气管道10上设置有多个特气气孔11 ;多个磁性接头20设置在供气管道10上并与多个特气气孔11 一一对应地连接。根据本实施例，由于特气气孔11上一一对应地设置有磁性接头20，当特气从特气气孔11进入工艺腔的过程中，特气被激发产生等离子体。而磁性接头20能够产生磁场，在等离子体产生并沉积的过程中，磁场能够使等离子体发生偏转，阻止等离子体在特气气孔11处成核并沉积，避免特气气孔11被沉积的薄膜封堵，进而延长特气气孔11的使用周期。再次参见图1所示，平板式PECVD气路装置还包括连接管道30，连接管道30连接在气源(图中未示出)和供气管道10之间，为特气的供给提供结构基础。具体来说，连接管道30包括总管道31和与总管道31连接的多根支流管道32，总管道31与气源连接，多根支流管道32均与供气管道10连接。根据本技术的实施例，当特气从气源进入到连接管道30的总管道31之后，经过多条支流管道32的分流之后，能够将特气均匀地输送至供气管道10内部，使得从各个特气气孔11流出的特气的量和个特气气孔11内的特气的流出速率保持一致，进而使得沉积在硅片上的氮化硅膜的厚度尽量一致，提高沉积的氮化硅膜的质量。在本实施例中，多个特气气孔11沿供气管道10的长度方向均匀设置，且各特气气孔11的出气方向朝向平板式PECVD设备的工艺腔，进一步保证特气能够均匀地进入工艺腔。优选地，多个磁性接头20——对应地设置在多个特气气孔11的靠近工艺腔的一侧。在本技术的其他实施例中，磁性接头20还可以嵌设在特气气孔11内，只要能够保证磁性接头产生的磁场能够防止等离子体在特气气孔11的周围沉积而堵塞特气气孔11即可。优选地，平板式PECVD气路装置还包括流量计40，该流量计40设置在总管道31上，对管路中的特气的流量进行监控。优选地，供气管道10为磁性管道，进一步防止等离子体在特气气孔11处沉积而阻塞特气气孔11。在本技术的其他实施例中，还可以不用设置磁性接头20，而只将供气管道10设置为磁性管道。需要说明的是，本实施例的磁性接头20和磁性管道产生的磁场的强弱可根据实际的情况进行调整。磁场接头和磁性管道的磁性可以通过磁性物质产生，还可以以电生磁的方式产生。根据本技术的另一实施例，提供了一种平板式PECVD设备。该平板式PECVD设备包括平板式PECVD气路装置，该平板式PECVD气路装置为上述的平板式PECVD气路装置。从以上的描述中，可以看出，本技术上述的实施例实现了如下技术效果:1、在特气气孔周围设置磁性接头，磁性结构会产生磁场，阻止了在特气气孔中氮化硅的成核和沉积，有效地延长特气气孔的使用周期。2、保证了片间颜色的均匀性，提高了产品的合格率。3、特气气孔使用周期延长提高了设备的生产率，同时节约了周期维护的人工和耗材。以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板式PECVD气路装置，其特征在于，包括：供气管道（10），所述供气管道（10）上设置有多个特气气孔（11）；多个磁性接头（20），设置在所述供气管道（10）上并与多个所述特气气孔（11）一一对应地连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范志东，程立威，张小盼，赵学玲，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13