薄膜沉积源、沉积装置和使用该沉积装置的沉积方法制造方法及图纸

公开了一种薄膜沉积源、一种沉积装置和一种使用该沉积装置的沉积方法。所述沉积装置包括：沉积源，该沉积源包括将沉积物质喷射在基板的表面上并被布置为沿第一方向的多个喷嘴；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】公开了一种薄膜沉积源、一种沉积装置和一种使用该沉积装置的沉积方法。所述沉积装置包括：沉积源，该沉积源包括将沉积物质喷射在基板的表面上并被布置为沿第一方向的多个喷嘴；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求于2012年12月3日在韩国知识产权局递交的第10-2012-0139082号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。
所公开技术涉及。
技术介绍
用于制造显示装置、半导体设备、太阳能电池等的各种过程大部分包含薄膜沉积过程。包括在液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示器和电致发光显示器中的多种薄膜例如通过沉积过程形成。在各种沉积过程之中，用于通过蒸发沉积物质而在基板上形成薄膜的气相沉积过程通常在真空沉积室中使用热沉积过程来执行。即，基板被安装在真空沉积室中，并且面向基板的一个表面的沉积源被安装为通过加热容纳在沉积源中的沉积物质而允许沉积物质被蒸发。使气相的沉积物质在真空状态下与基板接触，以便随后被凝结，由此在基板上形成薄膜。在通过气相沉积在基板上形成薄膜的场合，有必要控制薄膜的厚度。即，有必要根据目标设备的特性均匀地或非均匀地控制薄膜的厚度。例如，在薄膜的厚度被均匀控制的场合，沉积源可被安装在远离基板的中心的位置，并且基板随后可被旋转。然而，在这种情况下，沉积室可变得笨重。另外，由于沉积源被安装在远离基板中心的位置，所以从沉积源喷射的大部分气态沉积物质可能被沉积在沉积室中，而非基板上。另外，当基板具有大的面积时，难于旋转基板，并且沉积室变得笨重。为了克服这些缺点，已经提出数个方法，包括在固定基板的同时平行于基板的一个表面移动沉积源的方法以及在固定沉积源的同时平行于沉积源的一个表面移动基板的方法。在所提出的方法中，不必旋转基板。因而，不必过度增加室的尺寸。另外，由于在沉积源被定位为邻近基板的状态下执行沉积，所以大部分沉积物质可被沉积在基板的一个表面上。所提出的方法可能更适合在基板具有大的面积时应用。这里，沉积源可包括沿一个方向线性布置的具有与基板的长侧或短侧一样的长度多个喷嘴。例如，当沉积源包括沿一个方向布置的具有基板的短侧的长度的多个喷嘴时，其沿基板的长侧方向从基板的一个短侧的下部分移动到另一侧的下部分，并且沉积物质被沉积在基板的一个表面上。以这种方式，沉积源通过一次扫描来执行沉积过程。可替代地，沉积源可在多次扫描时执行沉积过程，即，借助多次通过基板。为了调整形成在基板表面上的薄膜的厚度，喷嘴的形状和布置可被调整。然而，当具有各种尺寸的基板利用相同的沉积装备时，喷嘴应该具有各种形状和布置，以便与不同的基板对应。另外，为了改变喷嘴的形状和布置，有必要通过沉积装置的复压来移除真空，以做出这种变化，由此降低加工效率。
技术实现思路
公开一沉积装置方面，该沉积装置能在沉积过程期间在不损失真空的情况下控制沉积在基板的一个表面上的薄膜的厚度。还公开涉及沉积方法的方面，该沉积方法能在沉积过程期间在不损失真空的情况下控制沉积在基板的一个表面上的薄膜的厚度。所公开的方面还包括沉积源，该沉积源能在沉积过程期间在不取消真空的情况下控制沉积在基板的一个表面上的薄膜的厚度。上述和其它方面将在优选实施例的下面的描述中被描述或将从优选实施例的下面的描述中而明显。根据一个方面，一种薄膜沉积装置，包括:沉积源，该沉积源包括多个喷嘴，该多个喷嘴将用于形成薄膜的沉积物质喷射在基板的一个表面上，并沿第一方向布置；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。根据另一方面，一种薄膜沉积装置，包括:沉积源，该沉积源包括喷射沉积在基板的一个表面上的沉积物质的至少一个喷嘴；和至少一个快门，该至少一个快门被定位在所述至少一个喷嘴的上方，并控制所述沉积物质的喷射区域，其中所述快门根据沉积在所述基板的所述一个表面上的所述沉积物质的厚度和所述沉积物质的预定厚度之间的差而被控制。根据又一方面，一种薄膜沉积方法，包括:通过从沉积源喷射沉积物质而在基板上形成薄膜；测量所述薄膜的厚度并比较所述薄膜的所述厚度与预定厚度；以及在所述薄膜的所述厚度大于所述预定厚度时，遮蔽所述沉积物质的面向所述薄膜的喷射区域的至少一部分，其中所述喷射区 域在所述基板和所述沉积源之间。根据又一方面，一种薄膜沉积源，包括:多个喷嘴，该多个喷嘴喷射沉积在基板的一个表面上的沉积物质，并沿第一方向布置；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。【专利附图】【附图说明】所公开技术的上述和其它特征和优点通过参照附图详细描述其某些实施例而将变得更明显，其中:图1为根据该技术的一实施例的沉积装置的透视图；图2为图1中示出的沉积装置的侧视图；图3为图1中示出的沉积装置的主视图；图4为图1中示出的沉积装置的控制器的方块图；图5为例示图1中示出的沉积装置的沉积源和快门的第一应用示例的俯视图；图6为例示在图5中示出的快门被利用之前和之后随薄膜的长度而定的薄膜的厚度的曲线图；图7为例示图1中示出的沉积装置的沉积源和快门的第二应用示例的俯视图；图8为例示在图7中示出的快门被利用之前和之后随薄膜的长度而定的薄膜的厚度的曲线图；图9、图10、图12和图13为根据该技术的其它实施例的沉积装置的沉积源和快门的俯视图；图11为沿图10的线X1-XI’截取的快门的侧视图。【具体实施方式】通过参考待参照附图详细描述的实施例，所公开技术的各方面和特征以及用于实现各方面和特征的方法将明显。然而，所描述的技术不限于在下文中公开的实施例，而是能以多种形式被实施。在说明书中限定的诸如详细结构和元件之类的内容只不过是提供为辅助本领域普通技术人员全面理解本专利技术的特定细节，并且所公开技术仅被限定在所附权利要求书的范围内。用于表示元件在另一元件上或位于不同层或一层上的术语“上”包括元件直接位于另一元件或一层上的情况和元件经由另一层或又一元件位于另一元件上的情况两者。在所公开技术的整体描述中，相同的附图标记在各个附图中被用于相同的元件。尽管术语“第一、第二等等”被用于描述多种组成元件，但是该组成元件不被这些术语限制。术语仅用于将一组成元件与其它组成元件区分开。因此，在以下描述中，第一组成元件可为第二组成元件。在下文中，将参照附图更详细地描述所公开技术的各实施例。图1为根据所公开技术的一实施例的薄膜沉积装置的透视图，图2为图1中示出的沉积装置的侧视图，图3为图1中示出的沉积装置的主视图，图4为图1中示出的沉积装置的控制器600的方块图。 参见图1至图4，沉积装置包括沉积源100和快门200。另外，沉积装置可包括厚度测量传感器300和控制器600。沉积装置可被用于制造显示装置、半导体装置、太阳能电池等的过程。例如，沉积装置可被用于形成包括在液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示器和电致发光显示器中的多种薄膜的过程中。沉积装置典型地将包括沉积室(未示出)。沉积室的内部典型地在沉积过程期间被保持在真空状态下。为了保持真空状态，沉积室可包括至少一个真空泵，例如，低温泵。沉积源100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜沉积装置，包括：沉积源，该沉积源包括多个喷嘴，该多个喷嘴喷射沉积物质以便在基板的一个表面上形成薄膜并且该多个喷嘴沿平行于所述基板的长侧或短侧的第一方向布置；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分而控制所述沉积物质的喷射区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李钟禹，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR