半导体装置制造方法及图纸

半导体芯片（3）的栅极电极（4）/源极电极（5）通过导电体（11a/11b）分别与栅极端子（7）/源极端子（9）连接，栅极端子（7）的与导电体（11a）的接合部分以与栅极电极（4）接近的方式被配置，源极端子（9）的与导电体（11b）的接合部分以与源极电极（5）接近的方式被配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】半导体芯片（3）的栅极电极（4）/源极电极（5）通过导电体（11a/11b）分别与栅极端子（7）/源极端子（9）连接，栅极端子（7）的与导电体（11a）的接合部分以与栅极电极（4）接近的方式被配置，源极端子（9）的与导电体（11b）的接合部分以与源极电极（5）接近的方式被配置。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及搭载功率晶体管等的半导体装置，特别是，涉及使电阻和电感减少的技术。
技术介绍
目前，主要用于电源电路的电源用晶体管被搭载于以家庭中使用的电气化产品为代表的各种电器中，并根据用途，提出了各种组件、模块的方案。而且，从近来的环境问题的影响来看，由于搭载了电源用晶体管的功率器件、电源模块，在电动汽车、太阳/风力发电装置等的新用途上也被注目，所以要求耐高压化、大电流化、小型化、轻量化。另外，除了上述要求之外，还要求功率器件、电源模块要提高切换速度。从该情况可知，不仅基于组件内部的布线的电阻和电感的减少变得特别需要，而且包括外部连接端子的电阻和电感的减少也变得特别需要。在此，一般情况下，通过由标准所规定的组件(T0-220、T0-3P等)来实现上述功率器件等。而且，在目前，由于无需考虑电阻和电感，所以在作为外部连接端子的引线端子与半导体芯片的组件内的连接中，采用引线接合(wire bonding)连接,并使用细导线(金、招-rf* ) O但是，如果为细长的导线，则由于电阻、电感很大，所以难以实现目前要求的电阻和电感的减少。于是，提出了不使用细导线而直接连接引线端子与半导体芯片的方法。例如，在专利文献I和2中记载有:在半导体芯片的电极形成特殊的凸块，在将该半导体芯片搭载于引线框之后，配置加工成能与半导体芯片的凸块连接的形状的引线端子，并与凸块进行连接的方法。根据该方法，以小电阻和电感将引线端子与半导体芯片进行电连接就成为可能。现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本公开专利公报“特开2004-260205号公报(2004年9月16日公开)”；专利文献2:日本公开专利公报“特开2007-251218号公报(2007年9月27日公开)”。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题 但是，在上述专利文献I和2记载的方法中，由于在半导体芯片的电极形成特殊的凸块的加工工序成为需要等，所以与现有的使用了细导线的引线接合连接相比，在能使用的半导体芯片中产生限制。为此，该方法存在不能通用的问题。因此，迫切期望一种不限制能使用的半导体芯片，并且以简单的连接结构，实现电阻和电感的减少的方法。本专利技术是为了解决上述问题而做成的专利技术，其目的在于，提供一种使用通用且简单的连接结构，能使作为组件整体的电阻和电感减少的半导体装置。用于解决技术问题的技术方案 为了解决上述的技术问题，涉及本专利技术的半导体装置，具备: 金属板、设置于上述金属板的一个半导体元件、以及与上述半导体元件电连接的至少3个引线端子，其特征在于， 上述半导体元件在该半导体元件的第一表面具有至少一个电极，并且以处于上述第一表面的相反侧的第二表面与上述金属板对置的方式，被设置于上述金属板， 上述引线端子以与上述半导体元件不重叠的方式被配置， 处于上述半导体元件的第一表面的各电极通过导电体分别与上述引线端子中相互不同的任一个引线端子连接， 连接于上述导电体的引线端子的与该导电体的接合部分，以与经由该导电体连接的电极接近的方式被配置。根据上述结构，由于连接于导电体的引线端子的与该导电体的接合部分，以与经由该导电体连接的电极接近的方式被配置，所以变为能缩短连接引线端子与电极的导电体，并能减少导电体的电阻和电感。另外，上述导电体由于无需如现有那样设置为圆弧状地环绕，所以可使用具有更大的剖面积的形状的导电体。由此，进一步能实现导电体的电阻和电感的减少。进而，使用了导电体的连接是与现有的连接工序(例如，引线结合工序)几乎同等的工序，不会招致工序的增加。另外，可适用于具备通常的电极的半导体元件中。因此，在半导体装置中，使用通用且简单的连接结构，能使作为半导体装置的组件整体的电阻和电感减少。为了解决上述的技术问题，涉及本专利技术的半导体装置，具备: 金属板、设置于上述金属板的多个半导体元件、以及与上述多个半导体元件电连接的至少3个引线端子，其特征在于， 上述多个半导体元件的每一个在该半导体元件的第一表面具有至少一个电极，并且以处于上述第一表面的相反侧的第二表面与上述金属板对置的方式，被设置于上述金属板，上述引线端子以与上述多个半导体元件不重叠的方式被配置， 处于上述多个半导体元件的各第一表面的全部的电极中的至少一个电极，通过导电体分别与上述引线端子中相互不同的任一个引线端子连接， 连接于上述导电体的引线端子的与该导电体的接合部分，以与经由该导电体连接的电极接近的方式被配置。根据上述结构，由于连接于导电体的引线端子的与该导电体的接合部分，以与经由该导电体连接的电极接近的方式被配置，所以变为能缩短连接引线端子与电极的导电体，并能减少导电体的电阻和电感。另外，上述导电体由于无需如现有那样设置为圆弧状地环绕，所以可使用具有更大的剖面积的形状的导电体。由此，进一步能实现导电体的电阻和电感的减少。进而，使用了导电体的连接是与现有的连接工序(例如，引线结合工序)几乎同等的工序，不会招致工序的增加。另外，可适用于具备通常的电极的半导体元件中。因此，即使在通过具备多个半导体元件而连接部分变多的结构中，使用通用且简单的连接结构，能使作为半导体装置的组件整体的电阻和电感减少。专利技术效果 如上所述，在涉及本专利技术的半导体装置中，处于上述半导体元件的第一表面的各电极通过导电体分别与上述引线端子中相互不同的任一个引线端子连接，并且连接于上述导电体的引线端子的与该导电体的接合部分，以与经由该导电体连接的电极接近的方式被配置。因此，本专利技术的半导体装置能实现如下的效果，即、使用通用且简单的连接结构，能使作为半导体装置的组件整体的电阻和电感减少。【专利附图】【附图说明】图1是表示涉及本专利技术的一实施方式的半导体装置的概略结构的图，图1的(a)表示俯视图，图1的(b)表示沿图1的(a)所示的A-A'线的剖视图，图1的(C)表示沿图1的(a)所示的B-B'线的剖视图； 图2的(a)?图2的(d)是表示上述半导体装置的其它的结构例的图； 图3是表示涉及本专利技术的其它的实施方式的半导体装置的概略结构的图。【具体实施方式】在以下的各实施方式中，对MOSFET等的功率晶体管进行说明。像该功率晶体管的半导体装置具有由标准所规定的组件。在此，作为一例，虽然对具有适合T0-220的标准产品的组件方式的半导体装置进行说明，但组件方式并不限于此。〔实施方式I〕 如果基于附图对本专利技术的一实施方式进行说明，则为如下所述。(半导体装置的概略结构) 图1是表示本实施方式的半导体装置I的一结构例的图，图1的(a)表示俯视图，图1的(b)表示沿图1的(a)所示的A-A'线的剖视图，图1的(C)表示沿(a)所示的B-B'线的剖视图。此外，图1的(a)将铸模树脂10部分地透过进行图示。如图1所示，半导体装置I具备:端板(金属板)2、半导体芯片(半导体元件)3、栅极端子(第三引线端子)7、漏极端子(第一引线端子)8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：金属板、设置于上述金属板的一个半导体元件、以及与上述半导体元件电连接的至少3个引线端子，其特征在于，　上述半导体元件在该半导体元件的第一表面具有至少一个电极，并且以处于上述第一表面的相反侧的第二表面与上述金属板对置的方式，被设置于上述金属板，　上述引线端子以与上述半导体元件不重叠的方式被配置，　处于上述半导体元件的第一表面的各电极通过导电体分别与上述引线端子中相互不同的任一个引线端子连接，　连接于上述导电体的引线端子的与该导电体的接合部分，以与经由该导电体连接的电极接近的方式被配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：濑户刚，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：