阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。本实用新型专利技术的技术方案能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种阵列基板和显示装置，属于显示
。其中，所述阵列基板包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。本技术的技术方案能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。【专利说明】阵列基板和显示装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着TFT产业的进步及工艺的改善，AD_ADS(AdvancedSuper Dimension Switch,高级超维场转换，简称ADS )广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高 TFT-1XD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。图1和图2所示为现有ADS阵列基板的结构示意图，图2为图1沿AA’方向的断面图，如图1和图2所示，现有ADS阵列基板的像素区电场主要是公共电极14和像素电极15之间形成的电场，由于公共电极14和像素电极15的面积有限，因此产生的像素区电场大小也受到限制，使得取向液晶分子旋转的角度有限，显示装置的显示效果不尽如人意。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板和显示装置，能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。为解决上述技术问题，本技术的实施例提供技术方案如下:一方面，提供一种阵列基板，包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。进一步地，所述第一电极部与所述第一透明电极同层设置。进一步地，所述第一透明电极与所述TFT的漏电极电连接。进一步地，所述基板上还设置有用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线，所述第二透明电极与所述连接线电连接。 进一步地，所述第二透明电极的第二电极部与所述连接线直接连接，所述第二透明电极的第一电极部与所述连接线通过过孔连接。进一步地，所述第二透明电极与所述TFT的漏电极电连接。进一步地，所述第一透明电极被施加公共电压信号。本技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中，每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极包括多个条状电极，第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，第二电极部与第一电极部电性连接，第一电极部包括条状电极，第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，其中，第一透明电极可以作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一电极部用以接收公共电压信号；或者第二透明电极可以作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一透明电极被施加公共电压信号。这样在显示装置工作时，像素区的电场由两部分组成:一部分是像素电极与公共电极之间形成的电场，另一部分是透明电极与像素电极之间形成的水平电场，通过本技术的技术方案，可以增强阵列基板的像素区电场，从而提高显示装置的显示效果。【专利附图】【附图说明】图1为现有阵列基板的平面示意图；图2为现有阵列基板沿AA’方向上的截面的像素区电场的示意图；图3为本技术实施例阵列基板的平面示意图；图4为本技术实施例阵列基板沿CC’方向的截面示意图；图5为本技术实施例阵列基板沿BB’方向上的截面的像素区电场的示意图；图6为本技术的另一实施例的阵列基板的平面示意图。附图标记1:栅线；13:公共电极线；14:公共电极;15:像素电极；2:连接线；3:第一透明电极；4:第一电极部；5:TFT ；6:数据线；7:接触过孔；8:第二电极部；9:衬底基板；10:钝化层；11:第一电场；12:第二电场。【具体实施方式】为使本技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本技术的实施例提供一种阵列基板和显示装置，能够增加阵列基板的像素区电场，提高显示装置的显示效果。本技术实施例提供了一种阵列基板，包括基板、设置在基板上的多个像素单元，图3为一个像素单元的结构示意图，每个像素单元中包括TFT5、相互绝缘的第一透明电极3和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部4和第二电极部8，所述第二电极部8与所述第一电极部4电性连接，第一电极部4包括条状电极，所述第一电极部4中的条状电极与第一透明电极3中的条状电极交错设置，所述第二电极部8与第一透明电极3和第一电极部4异层设置。本技术的阵列基板中，每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，第一透明电极包括多个条状电极，第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，第二电极部与第一电极部电性连接，第一电极部包括条状电极，第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，其中，第一透明电极与TFT的漏电极电连接，第一电极部用以接收公共电压信号；或者第二透明电极可以作为像素电极与TFT的漏电极电连接，第一透明电极被施加公共电压信号。这样在显示装置工作时，像素区的电场由两部分组成:一部分是像素电极与公共电极之间形成的电场，另一部分是透明电极与像素电极之间形成的水平电场，通过本技术的技术方案，可以增强阵列基板的像素区电场，从而提高显示装置的显示效果。进一步地，所述第一电极部4可以与所述第一透明电极3同层设置，由于所述第二电极部8与第一透明电极3和第一电极部4异层设置，因此阵列基板还需设置有连接第一电极部4和第二电极部8的过孔。本技术的一实施例中，第一透明电极3可以与TFT的漏电极电连接，充当显示装置的像素电极；第二透明电极包括有与第一透明电极3同层设置的第一电极部4和与第一透明电极3异层设置的第二电极部8，如图3所示，阵列基板上还设置有用于传输公共电压信号及连接相邻像素单元的第二透明电极的连接线2，第二透明电极与连接线2电连接，具体地，如图4所示，第二透明电极的第二电极部8可以与连接线2直接连接，由于第二透明电极的第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括基板、设置在基板上的多个像素单元，所述每个像素单元中包括TFT、相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极包括多个条状电极，所述第二透明电极包括第一电极部和第二电极部，所述第二电极部与所述第一电极部电性连接，所述第一电极部包括条状电极，所述第一电极部中的条状电极与第一透明电极中的条状电极交错设置，所述第二电极部与第一透明电极和第一电极部异层设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈传宝，尹小斌，李纪，赵海廷，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：