薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；栅线，每条栅线包括栅极垫；栅绝缘层；数据线和漏电极，每条数据线包括连接到源电极的数据垫；第一钝化层，设置在数据线和漏电极上；第一电场产生电极；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极。栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分栅极垫的第一接触孔，第一钝化层和第二钝化层包括暴露部分数据垫的第二接触孔，第一接触孔和第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示范实施方式涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器包括其上形成电场产生电极（诸如像素电极和公共电极）的两个显示面板以及插置在这两个显示面板之间的液晶层。液晶显示器通过施加电压到电场产生电极而在液晶层中产生电场，通过产生的电场确定液晶层的液晶分子的方向，以及控制入射光的偏振以显示图像。在液晶显示器中，用于在液晶层中产生电场的两个电场产生电极可以形成在薄膜晶体管阵列面板上。当两个电场产生电极形成在薄膜晶体管阵列面板上时，多个绝缘层可以设置在薄膜晶体管和电场产生电极之间。多个绝缘层当中的至少一个层可以是有机绝缘层。当用于电连接薄膜晶体管和电场产生电极的接触孔形成在多个绝缘层中时，接触孔的宽度会被蚀刻每个绝缘层的工艺增大。当接触孔的宽度增大时，使用该薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器的开口率会降低。当接触孔的横截面具有在多个绝缘层中形成接触孔时由蚀刻绝缘层引起的倒置锥形结构（reverse taper structure）时，形成在绝缘层上的电场产生电极会在接触孔内断开。
技术实现思路
本专利技术的示范实施方式提供了一种薄膜晶体管阵列面板（其中两个电场产生电极形成在薄膜晶体管阵列面板上，并防止接触孔的宽度增大）及其制造方法。本专利技术的示范实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板（其中接触孔的横截面形成为具有正锥形结构，并防止电场产生电极在接触孔内部断开）及其制造方法。本专利技术的示范实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；多条栅线，设置在基板上并包括栅极垫；栅绝缘层，设置在多条栅线上；多条数据线和漏电极，设置在栅绝缘层上，每条数据线包括源电极和数据垫；第一钝化层，设置在多条数据线和漏电极上；第一电场产生电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极，设置在第二钝化层上。第一钝化层和第二钝化层可以是无机材料，栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层可以具有暴露栅极垫的一部分的第一接触孔。第一钝化层和第二钝化层可以具有暴露数据垫的一部分的第二接触孔。第一接触孔和第二接触孔中的一个或多个可以具有正锥形结构，在该正锥形结构中，截面区域从下侧到上侧变宽。栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层中的至少一个可以包括下层和设置在下层上的上层，上层的接触孔的截面区域可以比下层的接触孔的截面区域大。第一钝化层可以是单层。第二钝化层可以是包括下层和设置在下层上的上层的双层。第一钝化层的蚀刻速度可以与第二钝化层的下层的蚀刻速度相同或比第二钝化层的下层的蚀刻速度慢，第二钝化层的下层的蚀刻速度可以比第二钝化层的上层的蚀刻速度慢。栅绝缘层的蚀刻速度可以比第一钝化层的蚀刻速度慢。第一钝化层的氮和氢的结合浓度（combination concentration）与硅和氢的结合浓度的比率可以几乎等于或小于第二钝化层的下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率，并且第二钝化层的下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率可以小于第二钝化层的上层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率。薄膜晶体管阵列面板还可以包括：有机层，设置在第一钝化层和第一电场产生电极之间。有机层可以不设置在与栅极垫和数据垫相应的区域。第一钝化层和第二钝化层可以包括暴露一部分漏电极的漏电极接触孔，第二电场产生电极可以通过漏电极接触孔与漏电极连接，漏电极接触孔可以具有正锥形结构，在该结构中从下侧到上侧截面区域变宽。有机层可以具有围绕漏电极接触孔的开口。本专利技术的示范实施方式提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；多条栅线，设置在基板上并包括栅极垫；栅绝缘层，设置在多条栅线上；多条数据线和漏电极，设置在栅绝缘层上，每条数据线包括源电极和数据垫；第一钝化层，设置在多条数据线和漏电极上；第一电场产生电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极，设置在第二钝化层上。第一钝化层和第二钝化层可以为无机材料，在第一钝化层内的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率可以大于在第二钝化层内的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率。第二钝化层可以是包括下层和设置在下层上的上层的双层，第一钝化层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率可以几乎等于或小于第二钝化层的下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率，并且第二钝化层的下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率可以小于第二钝化层的上层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率。本专利技术的示范实施方式提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在基板上形成包括栅极垫的多条栅线；在多条栅线上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成半导体；在半导体上形成多条数据线和漏电极，该数据线包括源电极和数据垫；在多条数据线和漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成第一电场产生电极；在第一电场产生电极上形成第二钝化层；以及在第二钝化层上形成第二电场产生电极。第一钝化层的蚀刻速度可以比第二钝化层的蚀刻速度慢。形成第二钝化层可以包括：在第一钝化层上形成第一层；以及在第一层上形成第二层。第二层的蚀刻速度可以比第一层的蚀刻速度快。在形成第一层中，第一层可以形成为具有几乎等于第一钝化层的蚀刻速度或比第一钝化层的蚀刻速度快的蚀刻速度。在形成栅绝缘层中，栅绝缘层可以形成为具有比第一钝化层的蚀刻速度慢的蚀刻速度。制造薄膜晶体管阵列面板的方法还可以包括通过蚀刻第二钝化层和第三钝化层形成接触孔，在形成接触孔中，接触孔可以形成为具有正锥形结构，在该正锥形结构中从下侧到上侧截面区域变宽。制造薄膜晶体管阵列面板的方法还可以包括在第一钝化层和第二钝化层之间形成有机绝缘层，在形成有机绝缘层中，有机绝缘层可以不形成在接触孔周围。制造薄膜晶体管阵列面板的方法还可以包括：在第一钝化层和第二钝化层之间形成有机绝缘层，有机绝缘层可以不形成在与栅极垫和数据垫相应的区域。制造薄膜晶体管阵列面板的方法还可以包括：在栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层中形成暴露栅极垫的一部分的第一接触孔。在形成第一接触孔中，第一接触孔可以形成为具有正锥形结构，在该结构中从下侧到上侧截面区域变宽。制造薄膜晶体管阵列面板的方法还可以包括：在第一钝化层和第二钝化层中形成暴露数据垫的一部分的第二接触孔。在形成第二接触孔中，第二接触孔可以形成为具有正锥形结构，在该结...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；多条栅线，设置在所述基板上，其中每条栅线包括栅极垫；栅绝缘层，设置在所述多条栅线上；多条数据线和漏电极，设置在所述栅绝缘层上，其中每条数据线包括连接到源电极的数据垫；第一钝化层，设置在所述多条数据线和所述漏电极上；第一电场产生电极，设置在所述第一钝化层上；第二钝化层，设置在所述第一电场产生电极上；以及第二电场产生电极，设置在所述第二钝化层上，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层为无机材料，所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述栅极垫的第一接触孔，所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述数据垫的第二接触孔，所述第一接触孔和所述第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更宽的区域。

【技术特征摘要】
2012.11.01 KR 10-2012-01232091.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
基板；
多条栅线，设置在所述基板上，其中每条栅线包括栅极垫；
栅绝缘层，设置在所述多条栅线上；
多条数据线和漏电极，设置在所述栅绝缘层上，其中每条数据线包括连
接到源电极的数据垫；
第一钝化层，设置在所述多条数据线和所述漏电极上；
第一电场产生电极，设置在所述第一钝化层上；
第二钝化层，设置在所述第一电场产生电极上；以及
第二电场产生电极，设置在所述第二钝化层上，
其中所述第一钝化层和所述第二钝化层为无机材料，所述栅绝缘层、所
述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述栅极垫的第一接触孔，所
述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述数据垫的第二接触孔，所
述第一接触孔和所述第二接触孔中的至少一个具有正锥形结构，该正锥形结
构在上侧具有比下侧更宽的区域。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个包括下
层和设置在所述下层上的上层，以及
在所述上层中的接触孔的区域比在所述下层中的接触孔的区域大，其中
所述接触孔是所述第一接触孔、所述第二接触孔或第三接触孔。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层是单层。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第二钝化层是包括所述下层和所述上层的双层。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层的蚀刻速度与所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速度
相同或比所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速度慢，所述第二钝化层的所述
下层的蚀刻速度比所述第二钝化层的所述上层的蚀刻速度慢。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述栅绝缘层的蚀刻速度比所述第一钝化层的蚀刻速度慢。
7.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率等于
或小于所述第二钝化层的所述下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓
度的比率，以及
所述第二钝化层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比率小于
所述第二钝化层的所述上层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度的比
率。
8.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：
有机层，设置在所述第一钝化层和所述第一电场产生电极之间，其中
所述有机层不设置在与所述栅极垫和所述数据垫相应的区域中。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层和所述第二钝化层包括暴露部分所述漏电极的漏电极
接触孔，
所述第二电场产生电极通过所述漏电极接触孔与所述漏电极连接，以及
所述漏电极接触孔具有正锥形结构，该正锥形结构在上侧具有比下侧更
宽的区域。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述栅绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个包括下
层和设置在所述下层上的上层，以及
在所述上层中的接触孔的区域比在所述下层中的所述接触孔的区域大，
其中所述接触孔是所述第一接触孔、所述第二接触孔或第三接触孔。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层是单层。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第二钝化层是包括所述下层和所述上层的双层。
13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层的蚀刻速度等于所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速
度或比所述第二钝化层的所述下层的蚀刻速度慢，所述第二钝化层的所述下
层的蚀刻速度比所述第二钝化层的所述上层的蚀刻速度慢。
14.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述栅绝缘层的蚀刻速度比所述第一钝化层的蚀刻速度慢。
15.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：
所述第一钝化层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的组合浓度的比率等于
或小于所述第二钝化层的所述下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓
度的比率，以及
所述第二钝化层的所述下层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结合浓度
的比率小于所述第二钝化层的所述上层的氮和氢的结合浓度与硅和氢的结
合浓度的比率。
16.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括：
有...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴智荣，丁有光，金湘甲，李俊杰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：