一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法技术

本发明专利技术提出了一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，包括如下步骤：a）生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在所述P区外延层制作P面电极；c）将所述步骤b）所得浸入腐蚀液，利用所述腐蚀液腐蚀所述预置转换层；d）经所述步骤c）所得的所述N区外延层经过表面处理步骤之后，蒸镀AuGeNi制作N面电极。本发明专利技术形成的大功率半导体激光器芯片双面散热，热阻大幅下降，很大程度提高器件的光功率输出，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光领域，特别是指一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法。
技术介绍
现有半导体激光器芯片的制备过程为：1）采用砷化镓或磷化铟衬底作为芯片生长的基底材料（即生长衬底），在生长衬底上通过MOCVD或MBE等方法外延生长总厚度为几个微米的精细芯片，形成激光器外延片；2）在外延片正面采用蒸镀、溅射、光刻等工艺手段得到正面电极结构；3）采用研磨方式将衬底减薄至100微米左右后，制备背面电极材料；4）通过划裂片方式，以半导体材料的自然解理面形成出光端面，并在前后出光端面上分别镀增透膜和增反膜，以镀增透膜端面为出光端面；5）通过划裂片方式得到分立半导体激光器芯片。上述技术存在如下问题：半导体激光器芯片一般只有几个微米厚，芯片中绝大部分是残余的衬底材料，而砷化镓或磷化铟材料的热导率远低于金属材料。尽管现行半导体激光器封装工艺中广泛使用倒置工艺加强散热，但激光器工作时产生的热量很难通过衬底材料散出。
技术实现思路
本专利技术提出一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，解决了现有技术中激光器芯片散热效率较差的问题。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，包括如下步骤：a）生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火操作在所述P区外延层制作P面电极；c）将所述步骤b）所得浸入腐蚀液，利用所述腐蚀液腐>蚀所述预置转换层；d）经所述步骤c）所得的所述N区外延层经过表面处理步骤之后，蒸镀AuGeNi制作N面电极。进一步地，所述P面电极和所述N面电极分别形成P面散热结构和N面散热结构。优选地，所述N面散热结构和所述P面散热结构具体为铜层，所述铜层通过电镀方式形成。优选地，所述P区外延层包括电流限制结构，所述电流限制结构具体为脊形结构。进一步地，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或BOE。进一步地，所述生长衬底包括GaAs。进一步地，所述预置转换层包括AlAs。优选地，所述退火在400℃～470℃温度范围内执行；所述退火的时间范围为30s～60s。优选地，所述刻蚀具体为干法刻蚀或者湿法刻蚀，使用选择性的和/或各向异性的刻蚀法来执行；所述表面处理步骤至多包括抛光步骤、检测步骤以及位于所述抛光步骤之前和/或之后的清洗步骤，所述抛光步骤具体为化学抛光或机械抛光；所述清洗步骤具体为所述腐蚀液清洗或者水清洗；所述检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。本专利技术的有益效果为：1）本专利技术形成的大功率激光器芯片双面散热，热阻大幅下降，很大程度提高器件的光功率输出；2）本专利技术半导体激光器芯片制造方法过程中，生长衬底能够重复利用，降低生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法一个实施例的流程图；图2为本专利技术步骤a）所得结构示意图；图3为本专利技术步骤b）所得结构示意图；图4为本专利技术步骤c）所得结构示意图；图5为本专利技术步骤d）所得结构示意图。图中：1、生长衬底；2、N区外延层；3、有源层；4、P区外延层；5、预置转换层；6、P面电极；7、P面散热结构；8、N面电极；9、N面散热结构。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1如图1～5所示，本专利技术一种半导体激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：a）生长衬底1依次外延生长预置转换层5、N区外延层2、有源区3和P区外延层4；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在P区外延层4制作P面电极6；c）将步骤b）所得浸入腐蚀液，利用腐蚀液腐蚀预置转换层5；d）经步骤c）所得的N区外延层2经过表面处理步骤之后，蒸镀AuGeNi制备N面电极8。P面电极6和N面电极8分别形成P面散热结构7和N面散热结构9。P区外延层4包括电流限制结构。预置转换层5能够被腐蚀液选择性消除；腐蚀液具体为BOE。生长衬底1包括GaAs。预置转换层5包括AlAs。执行步骤b）之前先进行清洗操作。退火在470℃温度下执行；退火时间为30s。刻蚀具体为湿法刻蚀，使用各向异性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之后的清洗步骤，抛光步骤具体为机械抛光；清洗步骤具体为水清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。实施例2如图1～5所示，本专利技术一种半导体激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：a）生长衬底1依次外延生长预置转换层5、N区外延层2、有源区3和P区外延层4；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在P区外延层4制作P面电极6；c）将步骤b）所得浸入腐蚀液，利用腐蚀液腐蚀预置转换层5；d）经步骤c）所得的N区外延层2经过表面处理步骤之后，蒸镀AuGeNi制备N面电极8。P面电极6和N面电极8分别形成P面散热结构7和N面散热结构9。N面散热结构9和P面散热结构7具体为铜层，铜层通过电镀方式形成。P区外延层4包括电流限制结构，电流限制结构具体为脊形结构。预置转换层5能够被腐蚀液选择性消除；腐蚀液具体为HF。生长衬底1包括GaAs。预置转换层5包括AlAs。执行步骤b）之前先进行清洗操作。退火在400℃温度下执行；退火时间为60s。刻蚀具体为干法刻蚀，使用选择性的刻蚀法来执行；表面处理步骤包括抛光步骤、检测步骤以及位于抛光步骤之前的清洗步骤，抛光步骤具体为化学抛光；清洗步骤具体为腐蚀液清洗；检测步骤具体为光滑度检测和表面清洁度检测。实施例3如图1～5所示，本专利技术一种半导体激光器芯片的制造方法，包括如下步骤：a）生长衬底1依次外延生长预置转换层5、N区外延层2、有源区3和P区外延层4；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在P区外延层4制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，其特征在于，包括如下步骤：a）生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在所述P区外延层制作P面电极；c）将所述步骤b）所得浸入腐蚀液，利用所述腐蚀液腐蚀所述预置转换层；d）经所述步骤c）所得的所述N区外延层经过表面处理步骤之后，蒸镀AuGeNi制作N面电极。

【技术特征摘要】
1.一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，其特征在于，包括如下步
骤：
a）生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层；
b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在所述P区外延层制作P面电极；
c）将所述步骤b）所得浸入腐蚀液，利用所述腐蚀液腐蚀所述预置转换层；
d）经所述步骤c）所得的所述N区外延层经过表面处理步骤之后，蒸镀
AuGeNi制作N面电极。
2.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，其
特征在于，所述P面电极和所述N面电极分别形成P面散热结构和N面散热结
构。
3.根据权利要求2所述的一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，其
特征在于，所述N面散热结构和所述P面散热结构具体为铜层，所述铜层通过
电镀方式形成。
4.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，其
特征在于，所述P区外延层包括电流限制结构，所述电流限制结构具体为脊形
结构。
5.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉鹏，
申请(专利权)人：廉鹏，
类型：发明
国别省市：