一种上蜡工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；将蜡棒和陶瓷盘加热至110℃，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡；将芯片贴在陶瓷盘上，铺盖一定数量的无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa；冷却至40℃，取出陶瓷盘，上蜡结束。发明专利技术工艺将上蜡温度及压力进一步精确保证上蜡的均匀性，同时能够有效的降低裂片率，保证了芯片的质量，从而提高了产品的利润。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种上蜡工艺，属于光电子领域。
技术介绍
在LED生产领域中，为了提高芯片的散热，往往需要将芯片进行减薄，而减薄非常容易将本来就易碎的芯片磨碎，目前，通常在减薄前，将芯片通过特定的减薄蜡黏贴在陶瓷盘上，而目前上蜡工艺通常不是很完善，因此在减薄过程中，仍然出现大量的碎片。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的不足，提供一种上蜡工艺。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：（1）将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；（2）将蜡棒和陶瓷盘加热至110℃，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡；（3）将wafer贴在陶瓷盘上，铺盖无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa；（4）冷却至40℃，取出陶瓷盘，上蜡结束。本专利技术的有益效果是：本专利技术工艺将上蜡温度及压力进一步精确保证上蜡的均匀性，同时能够有效的降低裂片率，保证了芯片的质量，从而提高了产品的利润。具体实施方式以下对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：（1）将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；（2）将蜡棒和陶瓷盘加热至110℃，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消耗0.3g蜡；（3）将wafer贴在陶瓷盘上，铺盖无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa；（4）冷却至40℃，取出陶瓷盘，上蜡结束。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：（1）将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮气枪，将芯片表面吹干净；（2）将蜡棒和陶瓷盘加热至110℃，再将蜡滴涂在陶瓷盘上，每片消?耗0.3g蜡；（3）将芯片贴在陶瓷盘上，铺盖无尘纸，压盘加压2min，压力0.6MPa；（4）冷却至40℃，取出陶瓷盘，上蜡结束。

【技术特征摘要】
1.一种上蜡工艺，其特征在于，所述工艺方法如下：
（1）将氮气枪压力调至0.6MPa，将氮气枪枪口斜对芯片表面，打开氮
气枪，将芯片表面吹干净；
（2）将蜡棒和陶瓷盘加热至110...

【专利技术属性】
技术研发人员：张恒，
申请(专利权)人：张恒，
类型：发明
国别省市：