一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法，该像素结构中至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管漏端有源区；其中，所述光电二极管一侧的一浅槽隔离区上设有深P型阱区；所述晶体管漏端有源区上依次设有N型阱区与深P型阱区，使得晶体管漏端有源区与相邻的两侧光电二极管之间存在溢出电荷导流通道。通过采用本发明专利技术公开的图像传感器像素结构及其制造方法，可以防止采集的图像产生弥散现象，同时消除强光图像的周围像素颜色失真的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法。
技术介绍
图像传感器已经被广泛地应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。特别是制造CMOS（互补型金属氧化物半导体）图像传感器技术的快速发展，使人们对图像传感器的输出图像品质有了更高的要求。现有技术中的图像传感器芯片，所采集到图像中的亮点或亮线区域会大于实际物象尺寸。例如，所拍照的相片中含有发光强烈的太阳、汽车头灯、白炽灯或反光强烈的亮光物象时，这些物象会大于实际尺寸，太阳和灯光等亮光区域变得比实际尺寸大的多，这种现象在图像领域被称为图像弥散。现有技术中的图像传感器，以CMOS图像传感器四晶体管像素结构为例，如图1所示。图1中，101～105为相互临近的光电二极管，TX1和TX2为电荷传输晶体管，RX1和RX2为复位晶体管，SF1和SF2为源跟随晶体管，SX1和SX2为行选择晶体管；CT11、CT12和CT21、CT22为晶体管有源区接触孔，其中CT11和CT21与电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止图像弥散的图像传感器像素结构，至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管漏端有源区，其特征在于，所述光电二极管一侧的一浅槽隔离区上设有深P型阱区；所述晶体管漏端有源区上依次设有N型阱区与深P型阱区，使得晶体管漏端有源区与相邻的两侧光电二极管之间存在溢出电荷导流通道。

【技术特征摘要】
1.一种防止图像弥散的图像传感器像素结构，至少包括置于半导体基体中的光电二
极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅
槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管漏端有源区，其特征
在于，所述光电二极管一侧的一浅槽隔离区上设有深P型阱区；所述晶体管漏端有源区上
依次设有N型阱区与深P型阱区，使得晶体管漏端有源区与相邻的两侧光电二极管之间存
在溢出电荷导流通道。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素结构，其特征在于，所述N型阱区的深度为
0.5um～1.5um。
3.根据权利要求1所述的图像传感器像素结构，其特征在于，所述深P型阱区的深度
至少为2.5um。
4.根据权利要求1所述的图像传感器像素结构，其特征在于，所述晶体管漏端有源
区上N型阱区的N型离子浓度不低于相同位置的深P型阱区中P型离子浓度。
5.一种防止图像弥散的图像传感器像素结构的制造方法，其特征在于，该方法包
括：
在半导体基体表面生长一层氧化层，再旋涂光刻胶，并显影；
在所述光刻胶上设置两开口；其中，一开口正对光电二极管一侧的一浅槽隔离区，
另一开口正对该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区之间的晶体管漏端有源区；
通过所述两开口注入P型离子，形成深P型阱区；
去除光刻胶，再旋涂光刻胶，并显影；
在所述光刻胶上设置一正对所述晶体管漏端有源区的开口；
通过该开口注入N型离子，形成N型阱区；其中，N型阱区的深度小于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭同辉，陈杰，刘志碧，唐冕，旷章曲，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：