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本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法,该像素结构中至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管...该专利属于北京思比科微电子技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京思比科微电子技术股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法,该像素结构中至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管...