一种自支撑石墨烯材料及其制备方法技术

技术编号:10048116 阅读:113 留言:0更新日期:2014-05-15 06:47
本发明专利技术公开一种自支撑石墨烯材料及其制备方法,该石墨烯材料由生长在基体上的石墨烯形成三维自支撑结构,其制备方法是将淀粉热处理,洗涤,过滤干燥。再将干燥后的产物与碱混合,在无氧条件下烧结处理后,洗涤,烘干,得到自支撑石墨烯。相较传统制备方法及所用原料,上述自支撑石墨烯制备方法及所用原料,具有操作方便,工艺过程简便,成本低,制备出的石墨烯具有自支撑结构等优点,特别适合大规模工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新材料
,尤其涉及一种自支撑石墨烯材料及其制备方法
技术介绍
石墨烯是一种由炭原子构成的单层片状结构的新材料。是一种由炭原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜,只有一个炭原子厚度的二维材料。因其独特的热学、力学、电学性能而备受关注。近年来对于石墨烯的研究已经从理论研究深入到实际应用中研究,其已被运用于超级电容器和锂离子电池的电极材料。目前,石墨烯制备方法可归纳为:微机械分离法、化学气相沉积法、SiC外延生长法和氧化石墨烯还原法等。微机械分离法是用胶带或其他手段定向分离高定向热解石墨,该方法工艺简单但是产量低且不可控,不能满足工业化和规模化生产要求,而且从大片的厚层中寻找单层石墨烯比较困难,同时样品中还存在少许胶渍,表面清洁度不高,限制了其在石墨烯制备中的应用。化学气相沉积法是指反应物质在气态条件下发生化学反应,生产固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。但该方法的缺点在于制备石墨烯的成本相对其他制备方法比较高。SiC外延生长法制备条件苛刻,需要高温和超高真空,且SiC材料昂贵。氧化石墨烯还原法制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自支撑石墨烯材料的制备方法,其特征是包括如下步骤:?步骤(1)将淀粉干燥后,在无氧条件下进行热处理,热处理后进行洗涤,过滤,干燥;步骤(2)是将步骤(1)干燥后的产物与碱混合后,在无氧条件下烧结处理,冷却,洗涤,过滤,干燥,即得到自支撑石墨烯材料。

【技术特征摘要】
1. 一种自支撑石墨烯材料的制备方法,其特征是包括如下步骤: 
步骤(1)将淀粉干燥后,在无氧条件下进行热处理,热处理后进行洗涤,过滤,干燥;
步骤(2)是将步骤(1)干燥后的产物与碱混合后,在无氧条件下烧结处理,冷却,洗涤,过滤,干燥,即得到自支撑石墨烯材料。
2. 根据权利要求1所述的自支撑石墨烯材料的制备方法,其特征是所述步骤(1)中,所述的淀粉为木薯淀粉,玉米淀粉,阳离子淀粉,氧化交联淀粉,可溶性淀粉,接枝淀粉,较佳的淀粉为木薯淀粉,可溶性淀粉。
3.根据权利要求1所述的自支撑石墨烯材料的制备方法,其特征是所述步骤(1)中,所述的热处理温度为350~650℃,较佳的热处理温度为400~500℃。
4.根据权利要求1所述的自支撑石墨烯材料的制备方法,其特征是所述步骤(1)和步骤(2)中,所述的冷却为自然冷却至10~30℃;所述的洗涤分别是用盐酸和蒸馏水洗涤;所述的过滤采用抽滤,所述的过滤的次数为5~6次;所述的干燥为常压条件下干燥。
5.根据权利要求1所述的自支撑石墨烯材料的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李庆余吴永生王红强黄有国张晓辉杨观华赖飞燕李玉崔李三
申请(专利权)人:广西师范大学
类型:发明
国别省市:

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