一种准单晶硅的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种准单晶硅的清洗方法，其特征在于，包括：a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。本发明专利技术提供的准单晶硅的清洗方法，使清除表面有机物，且不影响制绒效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏生产
，尤其涉及一种准单晶硅的清洗方法。
技术介绍
随着地球资源的日益枯竭，清洁能源的利用成为了未来人类发展的趋势，例如光能、风能、水能、地热等清洁能源已经越来越被人们所重视。其中光能作为利用率高，电能转化率高，体积小而被广泛应用于各个领域。在光能利用中少不了光伏产品，太阳能电池板就是光伏产品中最普遍应用的一种。太阳能电池板是通过多晶硅或单晶硅等原生硅材料料制备成具有光电转化能力的太阳能电池板。多晶硅板和单晶硅板制绒是为了降低太阳能电池板表面的反射率，增加光电转化率，但是在制绒时，需要对硅表面进行清洗，才能够保证制绒过程更加顺畅，制绒后得到的太阳能电池板没有飘带印和花污片的形成。现有技术中多晶硅的清洗是通过预冲洗、脱胶、超声清洗，最后干燥得到多晶硅。清洗后的多晶硅通过硝酸和氢氟酸进行制绒，制绒过程的反应方程式如下：HNO3+Si=SiO2+NOx+H2OSiO2+HF=SiF4+H2OSiF4+HF=H2[SiF6]准单晶硅的制绒过程使用的是氢氧化钾，反应方程式如下：Si+2KOH+H2O=K2SiO3+2H2↑多晶酸制绒用到硝酸，具有强氧化性，可以将硅表面的有机残留氧化除去，而准单晶用碱，其消除有机物的能力相对较差，因此对硅表面有机物残留要求更高，而现有技术中多使用同一种方法清洗多晶硅和准单晶硅，因此使用多晶硅的清洗方法进行清洗准单晶，硅表面的有机残留物无法去除完全，使得清洗得到准单晶在制绒后容易出现飘带印和花污片。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于提供一种准单晶硅的清洗方法，使清除表面有机物，且不影响制绒效果。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种准单晶硅的清洗方法，包括：a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。优选的，步骤a（具体为：a1）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗；a2）将步骤a1）手动超声酸洗后的准单晶硅按顺序进行一次喷淋和一次超声清洗；a3）重复步骤a2）的操作2~3次。优选的，所述手动超声酸洗具体为：将准单晶硅在浓度为4.1~8.3g/mL，温度为20-35℃的草酸溶液中浸泡，手动开启超声装置，进行超声酸洗5~15min。优选的，步骤a2）中一次喷淋时间为200~300s，一次超声清洗的时间为200~300s。优选的，步骤b）具体为：将步骤a）预冲洗后的准单晶硅在浓度为4.1~5g/mL，温度为30±2℃的草酸水溶液中，超声酸洗5-7min。优选的，步骤c）具体为：将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在50-55℃水中进行手动脱胶；所述水浸到粘胶面倒角10-15mm以上，手动脱胶6-12min，浇水频率1-2次/min。优选的，步骤d）具体为：d1）将步骤c）手动脱胶后的准单晶硅进行超声酸洗；d2）将步骤d1）超声酸洗后的准单晶硅进行超声水洗；d3）将步骤d2）超声水洗后的准单晶硅进行超声乳化；d4）将步骤d3）超声乳化后的准单晶硅进行超声水洗。优选的，步骤d1）具体为：草酸槽2.5kg，鼓泡，温度50±2℃，洗4000pcs更换。优选的，步骤d3）具体为：将步骤d2）超声水洗后的准单晶硅在洗涤剂或洗涤剂和氢氧化钠的混合溶液中，温度为45~55℃下，进行超声乳化。优选的，所述步骤d1）~步骤d4）中的超声酸洗、超声乳化和超声水洗中的超声震动强度大于0.42W/㎝2，温度为50~60℃。本专利技术提供了一种准单晶硅的清洗方法，与现有技术相比，在预冲洗前增加了手动超声酸洗步骤，除去准单晶硅表面的一部分砂浆。然后进行预冲洗，除去灰尘，再将所述准单晶硅进行超声酸洗，在预冲洗和手动脱胶之间增加了超声清洗，去除准单晶硅表面的砂浆，然后进行手动脱胶，使得脱胶的时间和温度更加容易控制，脱胶后再进行超声清洗，将所述表面的砂浆全部除去。本专利技术由于增加了手动超声酸洗、手动脱胶和预冲洗和手动脱胶步骤之间的超声酸洗，使得在脱胶过程中不会发生酯化反应，降低飘带印的产生，手动超声和超声酸洗都能够有效除去准单晶硅表面的砂浆，降低花纹片的产生。附图说明图1、本专利技术实施例提供的手动超声酸洗设备的俯视图；图2、本专利技术实施例提供的手动超声酸洗设备的侧视图；图3、本专利技术实施例提供的超声酸洗和手动脱胶设备的俯视图；图4、本专利技术实施例提供的超声酸洗和手动脱胶设备的侧视图。具体实施方式为了进一步了解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术的优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点而不是对本专利技术专利要求的限制。本专利技术提供了一种准单晶硅的清洗方法，具体方案如下，其中本文所述的飘带印和花污片均为准单晶硅清洗后在表面产生的污损，使产品无法使用。文中所有的超声步骤均使用超声装置提供超声振动；文中所有的准单晶硅，可以为硅棒、硅片或其它不规则的准单晶硅材料。文中的各个清洗步骤均在相应的槽体中进行，每个槽体内的容积优选为120L，此容积可以根据不同的产量进行修改。现有技术中使用的单晶硅清洗步骤和多晶硅的清洗步骤相同，但是由于单晶硅和多晶硅的后续制绒步骤所需的化学试剂不同，导致需要清洗后的单晶硅和多晶硅表面砂浆或杂质的残留量要求也不同。一般来说，多晶硅清洗后表面残留的砂浆可以多一些，而准单晶硅却需要更少的砂浆残留量，所以使用多晶硅的方法清洗准单晶硅无法满足对准单晶硅性能的要求。为此本专利技术提供了以下步骤：a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。进一步的，步骤a）具体为：a1）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗；a2）将步骤a1）手动超声酸洗后的准单晶硅按顺序进行一次喷淋和一次超声清洗；a3）重复步骤a2）的操作2~3次；首先，将所述待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗，步骤具体为：将准单晶硅在浓度为4.1~8.3g/mL，温度为20-35℃的草酸溶液中浸泡，手动开启超声装置，进行超声酸洗5~15min。按照本专利技术，所述手本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准单晶硅的清洗方法，其特征在于，包括：a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。

【技术特征摘要】
1.一种准单晶硅的清洗方法，其特征在于，包括：
a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；
b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；
c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；
d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤a（具体
为：
a1）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗；
a2）将步骤a1）手动超声酸洗后的准单晶硅按顺序进行一次喷淋
和一次超声清洗；
a3）重复步骤a2）的操作2~3次。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述手动超
声酸洗具体为：
将准单晶硅在浓度为4.1~8.3g/mL，温度为20-35℃的草酸溶液中
浸泡，手动开启超声装置，进行超声酸洗5~15min。
4.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，步骤a2）中
一次喷淋时间为200~300s，一次超声清洗的时间为200~300s。
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤b）具体
为：
将步骤a）预冲洗后的准单晶硅在浓度为4.1~5g/mL，温度为30
±2℃的草酸水溶液中，超声酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：李静，王昌贤，王雪芹，
申请(专利权)人：浙江昱辉阳光能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33