发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明专利技术的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本专利技术涉及一种具有串联元件的发光装置。
技术介绍
有机EL显示器的商品化日益加速。为了使显示器能够承受在室外的使用，对显示器亮度的要求也逐年增高。另一方面，已知有机EL元件的发光亮度与电流成正比地变高且可以以高亮度发光。但是，施加大量电流会加快有机EL元件的劣化。所以，如果能够以少量电流实现高亮度，就可以延长发光元件的使用寿命。于是，作为能够以少量电流实现高亮度的发光元件，已提出了层叠有多个发光单元的串联元件（例如，参照专利文献1）。注意，在本说明书中，发光单元是指具有一个使从两端注入的电子和空穴复合的区域的层或层叠体。在电极之间层叠有n个一个结构的发光单元的串联元件中，通过对发光单元施加一个发光元件（单元件）的1/n的密度的电流,可以得到同样的发光。另外，该串联元件能够以相同的电流密度实现该单元件的n倍的亮度。在其中相邻地设置有串联元件的发光面板中存在串扰现象的问题。串扰现象是指，当在相邻的串联元件之间设置有一个导电性高的层时，电流泄漏到隔着该导电性高的层相邻的串联元件而导致发光的现象。在串联元件中，隔着导电性高的中间层层叠有多个层，且结构上具有导电性高的层和导电性低的层。此外，为了降低驱动电压，在串联元件中常采用含有有机化合物和金属氧化物的混合材料或导电高分子等的导电性高的载流子注入层。另外，与单元件相比串联元件的阳极和阴极之间的电阻大，所以电流容易经过导电性高的层扩散到相邻的像素。图12是用来说明导电性高的中间层86导致串扰现象发生的示意图，并且是示出在发射呈现白色的光的串联元件被设置为三个条状的发光面板（白色面板）中，仅驱动第二串联元件（B行、蓝色行）时的状况的截面图。发光面板具有被彼此相邻地配置的第一串联元件至第三串联元件。第一串联元件（R行、红色行）配置在上部电极81和第一下部电极82之间。第二串联元件配置在上部电极81和第二下部电极83之间。第三串联元件（G行、绿色行）配置在上部电极81和第三下部电极84之间。在第一串联元件至第三串联元件中分别依次层叠有第一发光单元85、中间层86和第二发光单元87。例如，在采用如下结构时，可以从各个串联元件获得呈现白色的发光。该结构为：第一发光单元85具有发射呈现蓝色的光的发光层且第二发光单元87具有发射呈现绿色的光的发光层和发射呈现红色的光的发光层。在图12中采用具有透光性的上部电极，在上部电极上配置有对置玻璃衬底88。对置玻璃衬底88具有未图示的蓝色滤光片、红色滤光片和绿色滤光片。红色滤光片重叠于第一下部电极82，蓝色滤光片重叠于第二下部电极83，绿色滤光片重叠于第三下部电极84。在上述发光面板中对第二下部电极83和上部电极81施加电压并仅驱动蓝色行时，电流有时泄漏到隔着导电性高的中间层86相邻的第一串联元件或第三串联元件，从而使红色行或绿色行发光而发生串扰现象。图13是用来说明导电性高的载流子注入层（空穴注入层或电子注入层）89导致串扰现象发生的示意图，并且是示出在发光面板（白色面板）中仅驱动蓝色行时的状况的截面图。在第一串联元件至第三中分别依次层叠有含有导电性高的载流子注入层89的第一发光单元85、中间层86和第二发光单元87。作为载流子注入层89例如可以举出包含有机化合物和金属氧化物的混合材料或导电高分子等的导电性高的层。[专利文献1]日本专利申请公开2008-234885号公报
技术实现思路
本专利技术的一个方式的目的是抑制具有串联元件的发光装置中的串扰现象发生。本专利技术的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一电极及第二电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一电极与所述第二电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的第三电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。此外，在上述本专利技术的一个方式中，优选在所述突起物的侧面与所述隔壁之间有空间。此外，在本专利技术的一个方式中，优选所述第一发光单元和所述中间层在所述突起物处断开。此外，在本专利技术的一个方式中，所述突起物的端部优选形成在倾斜于所述隔壁的被形成面的所述隔壁的表面上。此外，在本专利技术的一个方式中，所述凹处的拐点形成在所述隔壁上。此外，在本专利技术的一个方式中，当将从所述突起物在与所述隔壁的被形成面平行的方向上最突出的第一点向所述被形成面画的垂直线与所述隔壁的表面的交点设定为第二点时，所述第一点与所述第二点之间的距离优选比位于所述第一电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度大，并是位于所述第一电极上的所述第一发光单元、所述中间层、所述第二发光单元和所述第三电极的总厚度以下。此外，在本专利技术的一个方式中，当将从所述突起物在与所述隔壁的被形成面平行的方向上最突出的第一点向所述被形成面画的垂直线与所述第二发光单元的表面的交点设定为第三点时，所述第一点与所述第三点之间的距离优选比所述第三电极的厚度小。此外，在本专利技术的一个方式中，因为当所述第一发光单元具有载流子注入层时，可以降低驱动电压，所以是优选的。在本专利技术的一个方式的发光装置中，在突起物（以下，也称为“间隔物”）处，可以使载流子注入层断开。因此，即使在为了降低驱动电压设置载流子注入层的情况下，也可以抑制串扰现象的发生。此外，在本专利技术的一个方式中优选包括配置于所述第一电极和所述第二电极上的滤色片，并且所述滤色片具有与所述第一电极重叠的第一颜色以及与所述第二电极重叠的第二颜色。注意，本说明书中的发光装置包括在像素（或子像素）中具备有发光元件的显示装置。另外，发光面板包括其中相邻设置有具有发光元件的像素的显示面板。此外，发光模块具有包含发光元件的结构，发光元件具备含有发光层的发光单元。通过应用本专利技术的一个方式可以抑制具有串联元件的发光装置中的串扰现象发生。附图说明图1A是可以用于本专利技术的一个方式的显示装置的显示面板的结构的俯视图，图1B是包括沿图1A的切断线A-B及C-D的截面的结构的侧面图；图2A是像素的俯视图，图2B是图2A的虚线M-N之间的截面图，图2C是示出图2A的变形例子的像素的俯视图，图2D是示出图2A的变形例子的像素的俯视图；图3A和图3B是将图2B所示的隔壁、间隔物及发光元件放大的截面图；图4A和图4B是示出图2B的变形例子的截面图；图5A是用来说明层叠有两个发光单元的串联型发光元件的结构的图，图5B是示出发光单元的具体结构的一个例子的图，图5C是示出层叠有多个发光单元的串联型发光元件的结构的图；图6是示出图3A的变形例子的截面图；图7A是示出实施例的发光元件的隔壁和间隔物的截面结构的照片，图7B是放大图7A所示的凹处153的照片，图7C是放大图7A所示的区域154的照片；图8A至图8C是示出与图7B相同的截面并详细地说明凹处的高度等的照片；图9是示出与图7B相同的截面的照片并详细地说明凹处的高度等的照片；图10是示出使具备实施例的发光元件的发光面板表示蓝单色的状态的照片；图11A是示出比较例的发光元件的隔壁的截面结构的照片，图11B是示出使具备比较例的发光元件的发光面板表示蓝单色的照片；图12是用来说明导电性高的中间层导致串扰现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.10.17 JP 2012-2301511.一种发光装置，包括：绝缘层上的第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极之间的隔壁，该隔壁位于所述绝缘层上；所述隔壁上的突起物；所述第一电极、所述隔壁、所述突起物以及所述第二电极上的第一发光单元；所述第一发光单元上的中间层；所述中间层上的第二发光单元；以及所述第二发光单元上的第三电极，其中，由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处，其中，第一点与第二点之间的距离大于位于所述第一电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度，并是位于所述第一电极上的所述第一发光单元、所述中间层、所述第二发光单元以及所述第三电极的总厚度以下，其中，所述第一点是所述突起物的在与其上形成所述隔壁的表面平行的方向上最突出的点，并且其中，所述第二点是所述隔壁的表面与第一线的交点，从所述第一点向其上形成所述隔壁的所述表面垂直地画所述第一线。2.根据权利要求1所述的发光装置，还包括所述突起物的所述侧面和所述隔壁之间的空间。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元和所述中间层在所述突起物处断开。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述突起物的端部位于所述隔壁的表面的倾斜部分上。5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述凹处在所述隔壁上具有拐点。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一点与第三点之间的距离小于所述第三电极的厚度，并且所述第三点是所述第二发光单元的表面与所述第一线的交点。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元包括载流子注入层。8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：所述第一电极上的第一滤色片；以及所述第二电极上的第二滤色片，其中所述第一滤色片的颜色...

【专利技术属性】
技术研发人员：波多野薰，千田尚之，二星学，菊池克浩，川户伸一，越智贵志，塚本优人，小坂知裕，大崎智文，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：