包括磁耦合单片集成线圈的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及包括磁耦合单片集成线圈的半导体器件。一种半导体器件包括：第一线圈，其单片地集成在半导体主体的第一部分中且包括缠绕第一磁芯结构的第一绕组。第二线圈单片地集成在半导体主体的第二部分中且包括缠绕第二磁芯结构的第二绕组。所述第一和第二线圈彼此磁耦合。半导体主体中的绝缘体框架包围第一部分且排除第二部分。在不对用于连接绕组的匝的背面金属化进行图案化且不受限于薄衬底的情况下实现了第一和第二线圈之间的高介电强度。

【技术实现步骤摘要】
包括磁耦合单片集成线圈的半导体器件
本申请总体上涉及半导体，并且特别涉及单片集成电感器。
技术介绍
举例来说，磁耦合线圈或电感器被用于信号的流电去耦、芯片上电流测量和功率转换器。期望进一步改进单片集成电感器。
技术实现思路
根据一个实施例，一种半导体器件包括第一线圈，所述第一芯片单片集成在半导体主体的第一部分中且包括第一绕组。第二线圈单片集成在半导体主体的第二部分中且包括第二绕组。该第一和第二线圈彼此磁耦合。半导体主体中的绝缘体框架沿着与该半导体主体的主表面平行的横向方向包围所述第一部分，并排除所述第二部分。在阅读下面的详细描述且查看附图后，本领域技术人员将认识到附加特征和优点。附图说明附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，且该附图被合并在本说明书中并构成其一部分。附图图示了本专利技术的实施例且连同该描述一起用来解释本专利技术的原理。将容易地意识到本专利技术的其他实施例和预期优点，因为它们通过参考下面的详细描述而变得更好理解。图1A是与包括根据提供线性磁芯结构的实施例的两个磁耦合线圈的半导体器件的主表面平行的示意性横截面视图。图1B是沿着图1A中的线B-B的半导体器件的部分的另一示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.10.19 US 13/655,6301.一种半导体器件，包括：第一线圈，其单片地集成在半导体主体的第一部分中且包括第一绕组；第二线圈，其单片地集成在半导体主体的第二部分中且包括第二绕组，第一线圈和第二线圈彼此磁耦合；以及被形成在所述半导体主体中的绝缘体框架，其沿着与所述半导体主体的主表面平行的横向方向包围所述第一部分，并排除所述第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：由所述第一绕组缠绕的第一磁芯结构；以及由所述第二绕组缠绕的第二磁芯结构。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二磁芯结构中的至少一个包括铁磁或亚铁磁磁芯。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述磁芯结构中的每一个在与所述主表面平行的横截面中是U形的。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一磁芯结构的一部分的纵轴与所述第二磁芯结构的一部分的纵轴一致。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一磁芯结构的两个平行部分的两个纵轴与所述第二磁芯结构的两个平行部分的两个纵轴一致。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一和第二磁芯结构形成邻接公共磁芯结构的部分。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述绝缘体框架包括所述第一和第二磁芯结构之间的邻接公共磁芯结构的至少一个中间部分。9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘体框架包括与所述第一和第二磁芯结构的纵轴相交的段。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘体框架从所述主表面延伸到所述半导体主体中，一直到与所述主表面的距离等于或大于线圈在垂直于所述主表面的方向上的延伸。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一和第二线圈中的每一个包括绕组和半导体主体之间的线圈绝缘体结构。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述线圈绝缘体结构内衬于从所述主表面延伸到所述半导体主体中的腔中，所述腔还包含线圈。13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：所述线圈绝缘体结构和所述绝缘体框架...

【专利技术属性】
技术研发人员：K比约克塔斯，F希尔勒，A毛德，J韦尔斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：