本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的...

本发明的目的是得到一种适合用于半导体器件衬底或光学元件材料的高质量单晶金刚石，其具有更少畸变并且具有大的面积。本发明是一种通过化学气相沉积制备的单晶金刚石以及该金刚石的制备方法，其中，当将由两条相互垂直的线性偏振光组成的线性偏振光引入到...

提供一种制造１０↑［６］ｃｍ↑［－２］以下低错位ＧａＮ单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

提供一种制造Ⅲ族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种Ⅲ族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底（１）和Ⅲ族氮化物源材料衬底（２）之间形成２００μｍ以下厚度的液体层（３），以及在衬底（１）的液体层侧面上的表面（１ｓ）上...

一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚（１），包括：用于容纳籽晶晶体的柱形尖端部分（３），以及用于生长晶体的柱形直体部分（５），该直体部分形成在该尖端部分上并具有大于该尖端部分的直径。尖端部分的厚度Ｔ１和直体部分的厚度Ｔ２满足０．１ｍｍ≤Ｔ２＜...

一种碳化硅衬底（１）的表面重建方法，该方法包括：在碳化硅衬底（１）表面形成硅膜（２）的硅膜形成步骤和在没有在硅膜（２）表面上提供多晶碳化硅衬底的情况下，热处理碳化硅衬底（１）和硅膜（２）的热处理步骤。此处，在热处理步骤后，可以包括去除硅...

一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让ＧａＮ凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区Ｈ，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区Ｈ周围的单晶低变位伴随区Ｚ与单晶低变位剩余区Ｙ的低...

本发明提供一种可以用作电极的基板，从而解决在电化学氧化处理中，因基体自身腐蚀、或金刚石层和基板剥离导致无法继续电解、或电解效率显著变差的问题。本发明的金刚石基板由基板及覆盖在该基板上的导电性金刚石层构成，构成该金刚石层的金刚石连续的部分...

利用ＨＶＰＥ制造ＧａＮ晶体的常规方法看起来具有通过在高于１１００℃的温度下制造ＧａＮ晶体提高ＧａＮ晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管（１）在由加热器（５）和（６）加热到高于１１００℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制...

为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件，本发明提供一种制造含掺杂剂的磷化铟单晶的方法，该方法包括：将横截面积为结晶体横截面积的１５％或大于１５％的晶种置于生长容器下端，以使所述晶体生长方向沿〈１００〉取向；将含有所述...

提供大直径跨距ＡｌＮ晶体、生长ＡｌＮ晶体的方法以及ＡｌＮ晶体衬底，该ＡｌＮ晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该ＡｌＮ晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿（１２）内的晶体生长...

为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件，本发明提供一种含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法，其中磷化铟晶体的位错密度低，掺杂剂浓度在晶片上以及在深度方向上具有优异的均匀性。为了使晶体生长方向沿＜１００＞取向，将相对于结...

制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法。提供了一种制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法、肖特基势垒二极管、发光二极管、激光二极管和制作上述二极管的方法，它们可以实现ｎ型载流子密度降低。制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法是采用含Ⅲ族元素...

ＧａＮ晶体的生长方法及ＧａＮ晶体衬底。在此公开一种制造ＧａＮ晶体的方法，其涉及在ＧａＮ籽晶衬底上生长ＧａＮ晶体。该方法包括以下步骤：制备ＧａＮ籽晶衬底，该ＧａＮ籽晶衬底包括第一掺杂剂以使ＧａＮ籽晶衬底的热膨胀系数变得大于ＧａＮ晶体的热膨...

一种Ⅲ族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ单晶（４）的方法，包括步骤，将源材料（１）放置在坩埚（１２）中；并且升华源材料（１）以在坩埚（１２）中生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０＜ｘ≤１）单...

一种线材电解处理方法以及线材电解处理装置，该装置具有内侧为电解处理室的多个管状电极、供给电解处理液至电解处理室内的供给机构、以及使线材在电极内行进的行进机构。通过在各管状电极之间以绝缘体制的接头部进行连接，以及在接头部内设置用以限制邻接...

用于高质量低价格多孔铁金属体的工业化生产同时可避免常见的锈蚀问题的一种工艺、特别是连续工艺，该工艺包括通过铁电镀对导电多孔基体材料表面进行镀覆，去除基体材料然后还原镀层。铁电镀在含有酸性铝化合物和／或酸性钛化合物中至少一种的酸性铁镀液中...

一种容易制造的具有简单结构的微细电铸模具。为了提高由金属薄膜构成的金属制品的产量，在电铸过程中用作阴极的电极部分可以以更高的密度布置，且形成在电极部分上的金属薄膜可容易地剥离。该模具具有持久力，且可多次使用。还公开了一种以更高的精度通过...

本发明提供一种电铸熔盐浴（９），其包含溴化锂，溴化铯以及碱金属的卤化物和／或碱土金属的卤化物。另外，本发明提供一种制备金属制品的方法，其包括如下步骤：在导电基材（１）上形成抗蚀图（２）并曝光导电基材（１）的一部分；将形成了抗蚀图（２）的...

本发明提供一种在聚酯树脂成型制品的表面上形成电镀层的聚酯树脂成型制品。电镀聚酯树脂成型制品的制造方法，包括以下工序，聚酯树脂成型制品用电离放射线照射交联而成，所述电镀层表面的算术平均粗糙度Ｒａ为１μｍ或１μｍ以下，聚酯树脂成型制品和电镀...