本发明提供一种将具有隆起形状滑动面的滑动面构件接合在母材上的滑动部件，尤其是汽车发动机的气门阀类部件、凸轮从动件或摇臂等滑动部件及其制造方法。其结构为将形成滑动面的陶瓷和金属母材接合而成。陶瓷是按ＪＩＳ Ｒ１６０１的４点弯曲强度为５０...

一种滑动部件，其特征在于至少一个滑动面通过对钢制部分进行部分表面淬火处理成形为一凸起形。

一种陶瓷滑动部件包括：由氮化硅材料制成并含有一滑动面的滑动面部件；具有比滑动面部件高的热膨胀系数的金属基体，金属基体和滑动面部件连接在一起；以及 构造在滑动面部件的滑动面上的隆起部分； 其特征在于：相对于隆起部分中心轴向对称...

本发明介绍用于混凝土中的用后加拉力方法进行预应力处理的钢材料．根据本发明的一个实例，一个钢部件被套以一条热缩性合成树脂管，在另一个实例中，该钢部件被套以一条泡沫合成树脂管．两个实例均可进一步用于使用钢缆作为钢部件的情况，这时最好将钢缆的...

混凝土结构用钢筋，其纵向截面形状沿其轴向交替地和平滑地变化，带有蜂和谷．

施用于予应力混凝土的钢筋表面用的可固化组合物至少含有环氧树脂和湿式固化型固化剂。在该可固化组合物中，９０℃下受拉力允许时间Ｌ至少２０小时，常温下固化所需的天数Ｍ最多１０９５天。根据本发明的予应力混凝土的钢筋用的可固化组合物完全能防止腐蚀...

本发明所公开的是一升降式的挠性薄膜堰坝，它装有汽凝水排放装置．该汽凝水排放装置包括一汽凝水存储箱，该存储箱与堰坝主体或堰坝主体的进排气管相连通．它还包括有压气管，该管位于加压装置和汽凝水存储箱之间并将二者相连通．因此，可由加压装置将汽凝...

本发明提供一种在磷原子／碳原子比为３％以上的条件下，在｛１１１｝单晶衬底的主表面上生长在３００Ｋ下具有３００Ωｃｍ以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有０．５０°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄...

本发明提供了生长结晶度良好的第Ⅲ族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第Ⅲ族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器（１１）内生长第Ⅲ族氮化物单晶（３）的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形...

本发明提供了Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ晶体生长方法以及Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ晶体（０＜ｘ≤１）生长方法是一种通过气相技术生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－...

本发明涉及一种用于生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法以及用于Ⅲ族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料（１３）的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料（１３）设...

一种借助于温度梯度法合成直径等于或大于８ｍｍ的大尺寸金刚石的方法，包括以直径等于或大于３ｍｍ的晶种的（１１１）或（１００）面作为生长面，在使晶体开始生长之前，先使所说生长面的整个表面在金刚石稳定区内进行溶解，然后用一个溶剂塞来进行晶体生...

一种用于制造ＳｉＣ单晶的装置，包括：一Ｓｉ设置部分，其中放有固态硅；一籽晶设置部分，其中放有ＳｉＣ的籽晶；一合成容器，适合于容纳Ｓｉ设置部分、籽晶设置部分和碳；加热构件，适合于加热Ｓｉ设置部分和籽晶设置部分；和一控制部分，用于向加热构件...

一种晶体生长容器２，使晶体在主容器的内部生长，其特征在于，它具有使晶体开始生长的晶体开始生长部６，该晶体开始生长部６是由比主容器４的材料之导热系数大的材料构成的。

本发明关于用Ａｌ作为施主杂质进行掺杂，热处理ＺｎＳｅ晶体基质的方法，利用该热处理制备的ＺｎＳｅ晶体基片和利用该ＺｎＳｅ晶体基片制备的光发射装置，尤其是，热处理ＺｎＳｅ晶体基片的方法包括预先在基片上形成Ａｌ膜，首先使基片在Ｓｅ环境气氛中进...

提供一种生产Ⅲ族氮化物晶体的方法，在该方法中使氮等离子体（８ａ）与含有Ⅲ族元素和碱金属的熔体（７）接触以生长Ⅲ族氮化物晶体。此外，也提供另一种生产Ⅲ族氮化物晶体的方法，在该方法中Ⅲ族氮化物晶体在放置在含有Ⅲ族元素和碱金属的熔体（７）中的...

本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单...

一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体（１１）的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层（１２）的步骤和和使种晶（１３）、和材料运输介质层（１２）接触在种晶（１３）上生长氮化物单晶（１４）的步骤。材料运输介质层（１２）包含稀土元...

为了得到晶片上性能均匀和稳定且使用寿命长的化合物半导体器件，本发明提供一种磷化铟基板及其制造方法，其中磷化铟基板的位错密度低，掺杂剂浓度在晶片上以及在深度方向上具有优异的均匀性。为了使晶体生长方向沿〈１００〉取向，将相对于结晶体具有指定...

本发明涉及减小Ⅲ族氮化物沉积物影响的ＭＯＣＶＤ装置用晶片导向器。晶片支架（１５）包括一个或多个第一区域（１５ａ）和围绕第一区域（１５ａ）的第二区域（１５ｂ）。每个第一区域（１５ａ）包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片（１９）的表面。...