本公开涉及晶体管和晶体管的制造方法。晶体管具备半导体层叠部、源电极、漏电极、栅电极、第一多晶硅膜、电介质层、第一插塞以及第一布线。源电极和漏电极设于半导体层叠部上。栅电极在半导体层叠部上设于源电极与漏电极之间。第一多晶硅膜设于第一电极上...

钢线由钢构成，所述钢包含1.0质量％以上且1.1质量％以下的C、0.15质量％以上且0.25质量％以下的Si、0.25质量％以上且0.35％质量％以下的Mn以及0.15质量％以上且0.25％质量％以下的Cr，剩余部分为Fe和不可避免的杂...

本发明的光连接结构(1)具备：第一连接体(3)、第二连接体(5)、定位部(4)以及弹性部(6)。第一连接体(3)具有：第一支承部，设于第一插芯(11)的后端面侧，并且在第一方向(X)上支承第一插芯(11)；以及第一固定部，在第二方向(Y...

一个实施方式的光连接器插芯能使多个光纤的顶端部分笔直地插入至一一对应的多个贯通孔，而不产生扭转和旋转。该光连接器插芯装配于光纤的顶端部分，具备前方端面、后方开口以及多个贯通孔。各贯通孔包括光纤孔和光纤导入孔。划分出该光连接器插芯的内部空...

本发明提供一种砷化镓单晶基板，其具有圆形的主表面，并且具有第一积分强度比或第二积分强度比。第一积分强度比和第二积分强度比能够基于规定的X射线光电子能谱法通过砷和镓的图谱求出。第一积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧...

本发明的树脂组合物包含：相对于树脂成分中的单体单元的合计含有率100质量％为大于50质量％且为80质量％以下的丙烯单元；以及相对于树脂成分中的单体单元的合计含有率100质量％为20质量％以上的乙烯单元或者相对于树脂成分中的单体单元的合计...

一种切削工具，所述切削工具具备基材和配置于所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含第一层，所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的交替层构成，所述第一单元层由Ti<subgt;1‑a‑b</subgt;Al<su...

非接触引导部具有内部部件和第1凸缘及第2凸缘。内部部件在外周面具有能够喷出气体的多个喷出口。第1凸缘及第2凸缘以在与从多个喷出口喷出的气体的喷出方向交叉的第1方向夹着内部部件的方式对该内部部件进行收容。第1凸缘及第2凸缘的至少一者以使从...

碳化硅半导体器件具有n型的漂移区、p型的体区、n型的源极区、p型的接触区、在第一方向上延伸的栅极沟槽、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、层间绝缘膜、p型的电场缓和区、将所述接触区与所述电场缓和区连接的p型的连接区，所述电场缓和区具有：第一区，...

一种传输基板的制造方法，是由在表面具有铜箔的面板制造多个传输基板的方法，多个传输基板各自包括传输路径，该传输基板的制造方法包括：抗蚀剂形成步骤，在铜箔上形成光致抗蚀剂；曝光步骤，隔着光掩模对光致抗蚀剂照射光；抗蚀剂去除步骤，去除光致抗蚀...

一实施方式的MCF兼顾了折射率不同的多个芯的采用和制造成本的抑制。该MCF具备具有多个芯和包层的玻璃光纤以及树脂包覆。多个芯包括具有高折射率的第一芯和低折射率的第二芯。在MCF的截面上，具有比包层的折射率高的折射率的多个部分的中心的配置...

本发明提供异相放大器。异相放大器具备：第一放大器，对第一信号进行放大；第二放大器，对第二信号进行放大；第三放大器，对第一放大器放大了的第一信号进行放大；第四放大器，对第二放大器放大了的第二信号进行放大；第一阻抗变换器；第二阻抗变换器；第...

光纤母材的制造方法包括：使用包层材料、第一玻璃块以及第一玻璃管进行，所述包层材料具有第一端和第二端并设置有第一孔，所述第一玻璃块具有第一端和第二端并设置有第二孔，所述第一玻璃管包括连接到玻璃块的第一端的第一部分，将第一玻璃管的第一部分连...

本发明的一个方式的电磁线具有导体和被覆上述导体的多个绝缘层，上述绝缘层具有最内层和最外层，上述最内层的主成分为氟树脂，上述最外层的杨氏模量E1与上述最内层的杨氏模量E2的比E1/E2为1.1以上。

一种半导体芯片（1），具备沿第一方向（Y）排列配置的多个晶体管单元（100），所述晶体管单元具有：栅极布线（22a、22b），沿与所述第一方向正交的第二方向（X）延伸；以及第一导电型的第一半导体区域（17），沿所述第二方向延伸，所述栅极...

一种检测装置，具备：计算部，计算对象消息的接收间隔；检测部，基于所述接收间隔进行检测处理；以及计数部，对多个突发消息进行计数，所述多个突发消息包括所述接收间隔比所述发送周期大规定值以上的所述对象消息即延迟消息以及继所述延迟消息之后被接收...

本发明的光模块具备包括光纤(K1)的线缆和连接器模块。连接器模块具有前端和后端。连接器模块在前端具有电连接器，所述线缆连接于后端。连接器模块供光纤从后端插入。连接器模块具有：电路基板(3)，具有第一面和与第一面相对的第二面；金属壳体(1...

本公开涉及半导体装置。本公开提供一种能提高电特性的半导体装置。半导体装置具有：阻挡层，所述阻挡层的上表面具有氮极性；所述阻挡层之上的沟道层，所述沟道层的上表面具有氮极性；所述沟道层之上的氮化硅膜；所述氮化硅膜之上的电介质膜；以及所述电介...

提供能够抑制微弯损耗并且确保被覆的除去性的光纤的制造方法。光纤的制造方法包括：涂布成为初级树脂层的紫外线固化型的树脂组合物的工序；和形成初级树脂层的工序，形成初级树脂层的工序中的紫外线照射炉的数量N、紫外线照射炉的每一炉的设定输出比例及...

一种光纤，具备：含有芯部和包层的玻璃纤维、和与所述玻璃纤维接触并被覆所述玻璃纤维的第1树脂层，所述第1树脂层包含含有光聚合性化合物和光聚合引发剂的树脂组合物的固化产物，在将所述第1树脂层从30℃加热至150℃的情况下，所述第1树脂层的质...