本发明涉及一种笛簧开关(10)，包括圆筒状玻璃管(30)以及多个簧片(20)，其中所述多个簧片(20)以其具有连接部分(22)的一端被插入所述玻璃管(30)中的状态而固定至所述玻璃管(30)。所述簧片(20)通过将连接部分(22)经塑性...

本发明涉及变压器。一种变压器，其被设置于电源和具有电阻值R的负载之间，并且包括由n个相互连接的电抗元件构成的二端子对电路，其中，n是等于或大于4的自然数。相对于负载的电阻值R的任何值，二端子对电路的输入阻抗Zin具有：实部k·R，其中，...

该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300-15...

本发明公开了一种接收波分复用信号的接收器光学模块。接收器光学模块包括光解复用器，该光解复用器根据信号的波长生成包含在波分复用信号中的多个信号。波长解复用器具有这样的特征：光解复用器具有彼此堆叠的多个子元件，各个子元件对一部分波分复用信号...

本发明提供了一种锂离子电容器，其具有更大的容量，同时还抑制了活性材料从集电体上脱落下来。其包括：正极，其具有正极活性材料以及保持该正极活性材料的正极集电体；负极，其具有负极活性材料以及保持该负极活性材料的负极集电体；以及具有锂离子传导性...

本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一...

根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成且对波长为350nm的光具有25cm-1以上且80cm-1以下的吸收系数的金刚石单晶。根据本发明的制造金刚石单晶的方法包括：将碳以外的离子注入至金刚石单晶籽晶基板的主面中，从而降低波长为80...

漂移层(81)形成了碳化硅层(101)的第一主表面(P1)并且具有第一导电类型。提供源区(83)使得通过体区(82)与漂移层(81)分隔开，并且源区形成第二主表面(P2)，并且具有第一导电类型。缓和区(71)设置在漂移层(81)内并且具...

本发明提供氧化物超导薄膜(2)，其中充当磁通钉的纳米粒子(3)分散在所述薄膜中。本发明提供氧化物超导薄膜(2)，其中在所述氧化物超导薄膜中的所述纳米粒子(3)的分散密度为1020个粒子/m3～1024个粒子/m3。本发明提供氧化物超导薄...

本发明提供在塑性成形如压制成形中具有优异成形性的镁合金板，以及镁合金构件。所述镁合金板通过对镁合金实施轧制得到、并且具有平行于镁合金板的厚度方向的如下横截面，其中当在横截面中各个晶粒的长轴长度和短轴长度被确定、长轴长度和短轴长度(长轴长...

本实用新型提供一种多芯电缆，其使中心导体和绝缘体之间的间隙减小，使电缆长度方向上的时滞减小。多芯电缆是使多根同轴电线对(3)集合而形成，该同轴电线对(3)是使2根利用绝缘体包覆中心导体的同轴电线(2)绞合、或者2根平行地排列而形成的，各...

提供用于形成氧化物超导体(2)的原料溶液，所述原料溶液被用于使用涂布热解法在基板(1)上形成其中引入磁通钉扎点的RE123氧化物超导体(2)。将用于形成钉扎点的预定量的纳米粒子(3)分散在溶解有用于形成所述氧化物超导体(2)的有机金属化...

根据本发明的一个实施例的一种半导体模块包括：半导体芯片；布线基板；安装板，布线基板在其上；框架主体，其限定用于容纳布线基板连同安装板的壳体；汇流条，其通过电连接到布线基板从壳体延伸并且被插入框架主体的侧壁中。一个侧壁具有凸出到框架主体内...

本发明提供一种将多芯光纤的各光路变换为其他排列的光连接器。光连接器(1)是将以第1排列配置的MCF(3)的各光路排列变换为第2排列的光连接器。在第1排列中，多条纤芯配置为3层，在第2排列中，多条纤芯配置为1层。光连接器(1)具有第1端部...

本发明公开一种光纤和光传输系统，光纤包括芯部和围绕芯部的包层。该光纤在波长为1550 nm时的群折射率为1.465以下，并且在波长为1550 nm时的色散的绝对值为4 ps/nm/km以下。芯部和纯二氧化硅之间的相对折射率差在-0.1％...

本发明提供一种多模光纤，该多模光纤设置有这样的区域：在该区域，纤芯的外周区域中的折射率相对于α次方折射率分布的理想形状具有偏差并且偏差量的绝对值不小于0.005％，以便生成辐射模，并且包层的折射率高于偏差区域的折射率。

提供一种允许多个半导体芯片让相同的电流流过的半导体器件及其制造方法。根据一个实施例的半导体器件(1)包括：多个第一半导体芯片(101至10N)和电路板(30)，被安装有多个第一半导体芯片，具有被电气地连接到多个第一半导体芯片的第一和第二...

一种制造半导体器件(100)的方法，具有以下步骤：制备具有彼此面对的第一主表面(16A)和第二主表面(16B)的半导体衬底(16)。在第一主表面(16A)上将半导体衬底(16)固定在粘着带上(1)。将被粘着带(1)固定的半导体衬底(16...

根据本发明所述的制造碳化硅基板的方法具有以下步骤。升华碳化硅原料(8)的一部分。在升华所述碳化硅原料(8)的一部分之后，将具有主面(1A)的种基板(1)配置在成长容器(8)中。通过在成长容器(10)中升华碳化硅原料(8)的剩余部分，从而...

本发明提供一种扁平电缆及其制造方法，该扁平电缆能够使多根电线在并排方向上容易弯曲，并且不会损伤多根电线并实现小型化。扁平电缆(1)具有：多根电线(11)，它们排列成平面状；以及绝缘膜(12)，其从多根电线(11)的排列面的单侧或者两侧进...