本发明提供一种适合于高密度封装和长距离传输的光纤。根据本发明的光纤包括芯部和包层，并且在1550nm的波长的情况下，有效横截面面积Aeff为100μm2以下，并且色散Disp为19.0－22ps/nm/km，当以Leff定义有效长度并且...

一种半导体器件(1)，包括：由碳化硅制成的衬底(10)；形成在衬底(10)的表面(10A)上的绝缘膜(20,40)；不含Al的缓冲膜(51)；以及含Al的电极(52)。衬底(10)具有导电区(12)。在半导体器件中，接触孔(80)形成在...

本发明提供了一种镀铝装置，即使在表面上具有绝缘的或导电性较差的金属氧化膜等的基体表面上，该镀铝装置也能够很好地形成铝镀层。本发明提供了一种通过在镀槽中传送基体从而将铝电沉积至基体上的镀铝装置，其中：自所述基体的传送方向上的上游侧起，所述...

单晶金刚石(10)为引入了缺陷部(11)的单晶金刚石。所述缺陷部(11)能够通过在利用圆偏振光照射单晶金刚石(10)时产生的相位差而被检测。在单晶金刚石(10)中，在以具有1mm边长的正方形的形状形成的测定区域(M)内测定的相位差的平均...

本发明涉及聚光型光伏单元、聚光型光伏模块、聚光型光伏面板和聚光型光伏发电装置。在具有二次透镜的聚光型光伏光学系统中，增加了到达发电元件的光量，并且提高了发电效率。在构成为通过二次聚光部将由一次聚光部聚集的太阳光引导到发电元件的聚光型光伏...

本发明提供一种半导体制造装置用陶瓷加热器，可以与升降销的根数、位置不同的多个机型对应。半导体制造装置用陶瓷加热器(11)具有晶片载置面，在内部具有发热体(13)，发热体(13)由具有呈同心圆状、旋涡状或圆弧状的电路图案的导线形成，构成该...

一种聚光光伏模块(1M)，设有：由金属构成的器皿形壳体(11)；和柔性印刷线路板(12)，其设置为与壳体(11)的内表面接触。柔性印刷线路板(12)具有绝缘层(124)、绝缘基板(121a)、图案(121b)、多个发电元件(122)和绝...

本发明提供一种陶瓷加热器，其能够在晶片载放面整个表面上使温度分布均匀。陶瓷加热器（10）具有：内部埋设有电阻发热体的圆板形陶瓷基体（1）；和接合于该陶瓷基体（1）的晶片载放面（1a）相反侧背面（1b）的圆筒形支持体（3），在该背面（1b...

本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括其中层叠多个半导体层的半导体层层叠体，半导体层层叠体包括光接收层，光接收层通过金属有机气相外延方法生长，光接收层具有大于或等于3μm且小于或等于8μm的截止波长，在-140℃的温度下施加60mV的...

本发明提供在III族氮化物半导体中促进p型掺杂剂活化的包含p型III族氮化物半导体的元件和制作元件的方法。在外延衬底E上生长低氢含量膜(55)。低氢含量膜(55)具有例如1×1020cm-3以下的氢浓度。低氢含量膜(55)的生长例如在不...

本发明提供一种减小由于玻璃母材的拉丝的进行而产生的拉丝炉内的压力变动、气体的流动变动，而将光纤的外径变动抑制为较小的光纤的制造方法。一种光纤的制造方法，在上部存在缩颈部(11c)的光纤用玻璃母材(11)的上端与支撑棒(13)连结，在拉丝...

形成了碳化硅衬底(100)，其包括：具有第一导电类型的第一层(121)，具有第二导电类型的第二层(122)，以及具有第一导电类型的第三层(123)。形成具有内表面的沟槽(TR)，所述内表面包括侧壁面(SW)和底面(BT)，侧壁面穿透第三...

本发明公开了一种适用于相干通信的光收发器。该光收发器包括：激光器模块；发射器模块，其通过调制从激光器模块输出的一条激光束的相位来输出传输信号；以及接收器模块，其接收相位被调制的接收信号并且通过将接收信号与从激光器模块输出的另一条激光束多...

本发明提供了：一种具有优异的耐氢性的碱金属元素添加芯光纤；以及能够制造这种碱金属元素添加芯光纤的方法。本发明提供了一种制造本发明的氘处理光纤的方法，该方法通过如下步骤制造碱金属元素添加芯光纤，所述步骤包括：母材形成步骤，其中形成了石英玻...

本发明公开了一种光纤冷却装置和使用该装置的光纤制造方法，当冷却管部的下表压力设定为A、冷却管部的分割单元的数量设定为N、各分割单元的长度设定为Li(i＝1至N)、各分割单元的半径设定为Ri(i＝1至N)、冷却剂气体穿过各分割单元的气体流...

提供一种与连接器等的连接容易的扁平电缆。扁平电缆(1)具有：多个子单元(10)，它们分别包含至少2根并排成平面状的第1矩形导体(11)、以及将第1矩形导体(11)一体化的绝缘体(12)；以及一对屏蔽带(20)，它们从并排成平面状的多个子...

栅绝缘膜(201)设置在沟槽(TR)上。栅绝缘膜(201)具有沟槽绝缘膜(201A)和底部绝缘膜(201B)。沟槽绝缘膜(201A)覆盖侧壁(SW)和底部(BT)中的每个。底部绝缘膜(201B)设置在底部(BT)上，使沟槽绝缘膜(201...

本发明提供化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法。该化合物半导体衬底(10)由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层(12)，该表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物、和以O换...

本发明提供一种制造成本优异并能够确保充分的粘接力的绝缘膜及扁平线缆。本发明提供一种将树脂膜、包含树脂成分的底涂层及粘接剂层依次层叠而成的绝缘膜，底涂层包含含有缩水甘油基的聚合物，含有缩水甘油基的聚合物的含量为树脂成分中的80质量％以上。...

本发明提供光纤用玻璃母材的制造方法，其能够在降低外部损伤发生率的同时，防止生产性下降。将多孔玻璃母材2的最大外径设为D、将进行脱水烧结步骤的加热炉11的内径设为d时，将每单位长度的所述多孔玻璃母材的重量保持为预定值不变并调节脱水烧结步骤...