本发明是关于一种工件二次取向的测定方法，包括，待测工件至少包括第一晶粒，获取所述的第一晶粒的表面取向；获取所述的第一晶粒在001取向与011取向上的衍射角2θ；将所述的待测工件放置在测量系统的测量平台上；所述的X射线发射装置发射出的X射...

本发明公开了一种工程化单晶体取向的测量方法及装置，所述方法包括如下步骤：以单晶体的试样的待测面所在平面为基准面，所述基准面为Ф面，X射线发射装置和X射线探测装置所在平面为2θ面；扫描时，针对单晶体固定衍射角，2θ面以其与Ф面的交线为回转...

本实用新型公开了一种工程化单晶体取向的测量装置，包括扫描系统和转盘，其中转盘，位于扫描系统的下方，转盘在其所在平面内转动，转盘的旋转轴与转盘垂直，转盘带动试样转动，转盘的旋转轴与试样的待测面交于O点；扫描系统包括：回转架和设于回转架上的...