本发明涉及一种光照射装置，该光照射装置能够使原本应形成曝光图案的位置与实际曝光的曝光图案的位置一致。在与第一方向(x方向)大致正交的第二方向(y方向)上，在掩模(32)上形成的透光区域(32a)与光轴(Ax)间的距离为由通过透光区域(3...

本发明的一实施方式提供一种激光照射装置，其特征在于，包括：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；投影掩模图案，其配置于所述投影透镜，并由规定的投影图案使所述激光透射，所述投影掩模图案除包括...

绝缘体(30)具有将形成在发光管(10)的另一个侧管部(15)与反射器(20)的插入孔(23)之间的空间(s)与外部连通的开放部(34)，另外，一个侧管部(14)的长度(L1)比另一个侧管部(15)的长度(L2)长。由此，提供一种能够提...

本发明提供一种配线修正装置，其照射由CVD用激光振荡器振荡产生的CVD用的激光，并在修正用基板的激光照射面使CVD用原料气体进行光分解，从而在激光照射面形成修正用金属配线，其特征在于，具有改性用激光振荡器，改性用激光振荡器使波长与CVD...

玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性有可能产生偏差。本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光，该非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以...

通过光取向处理，能够生成液晶分子的预倾斜角变小的取向膜。从光源(211)出射并透过形成于掩模(32)的透光区域的偏振光被向载置于工作台(11)的曝光对象物(W)照射。偏振光从相对于与工作台(11)的上表面大致正交的方向倾斜大致50度至大...

接近式曝光装置包括：平面镜(68)，具有能够校正曲率的镜变形单元(70)；CCD摄像机(30)，能够拍摄掩模M侧的对准标记(Ma)和工件(W)侧的对准标记(Wa)；存储部(91)，存储根据在对第一层的掩模(M)的图案进行曝光时照射到工件...

本发明提供一种氧化物半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体的活性层的氧化物半导体装置的制造工序中，实现工序的简化并实现生产率的提高。本发明是具有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体层的活性层的氧化物半导体装置的制造方法，对...

在接近式曝光方法中，准备掩模(M)，该掩模(M)相对于具有抗蚀剂(R)的分辨率极限以下的最小间距(P)的抗蚀剂图案(43)形成有间距大于抗蚀剂(R)的分辨率极限的掩模图案(31)。在第一曝光工序中，在将掩模图案(31)曝光并转印于工件(...

本发明的目的在于提供光学检查装置，无论缺陷处于非检查物的端面的哪个位置，都能够通过一个装置并通过一次检查来检查缺陷。本发明的光学检查装置在使用一维摄像单元(13)大致铅垂地从上方对被检查物(G)进行拍摄时，从设置在大致半圆筒面的第1区域...

本发明提供一种氧化物半导体装置及其制造方法。具备由氧化物半导体构成的活性层区域的氧化物半导体装置中，可提高施加压力时的稳定性。氧化物半导体装置具备由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体构成的活性层区域，该活性层区域中，在以数...

曝光装置包括：保持具有多个曝光区域(E1)～(E6)的基板(W)的基板保持部(2)；保持形成有具有与曝光区域(E)大致相等大小的图案的掩模(M)的掩模保持部(1)；能在预定的方向搬运基板(W)的基板搬运部(10)；能在预定的方向搬运掩模...

本发明提供能够在将掩模固定于沿大致铅垂方向设置的框架的状态下使掩模稳定地旋转掩模保持装置。在平台载置有移动部，并且在移动部载置有掩模保持部(40)，掩模保持部(40)具有沿大致铅垂方向保持作为被检查对象的掩模(M)的大致框状的框架(41...

本发明提供一种能够取出高输出且高品质的激光的激光泵腔。本发明的激光泵腔装置(1)具备：激光介质(10)；激发光源元件(2)，围绕激光介质(10)的中心轴(10P)以等间隔配置，且具有与中心轴(10P)交叉的光轴；照射光学系统(3)，配置...

本发明提供成膜掩膜的制造方法，向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4)，通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射，来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照...

本发明提供一种成膜掩模、其制造方法及成膜掩模的修复方法，所述成膜掩模具备：掩模片(1)，其在设置有多个开口图案(7)的薄膜层(4)上层叠设置有内包至少一个所述开口图案(7)的多个贯通孔(8)的金属层(5)，并且将一个面区划成包含多个所述...

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模，所述薄膜晶体管的制造方法包含对成膜于基板上的非晶硅膜(8)照射激光的处理，其包含：激光退火工序，对所述非晶硅膜(8)中包含沟道区域(52)的形成区域的区域照射所述激光，使包含所述...

本发明提供一种对被覆于基板(6)上的非晶硅膜照射激光而使其结晶化的激光退火方法，对所述基板(6)上的多个第一及第二TFT形成部(23、24)照射不同的照射光量的激光，从而将所述多个第一及第二TFT形成部(23、24)的所述非晶硅膜结晶化...

本发明的课题在于将规定的方向即第一方向的偏振光成分的光、及与第一方向不同的方向即第二方向的偏振光成分的光向同一对象物(W)照射。从光源(11)照射并通过偏振片(13A)或偏振片(13B)进行偏振后的光向载置于工作台(20)的对象物(W)...

本发明提供一种测定相移掩模(15)的相移量的装置，其中，在从光源(1)至拍摄双重干涉图像的摄像装置(2)的单一光路上具备：衍射光栅(7)，其衍射直线偏振光而生成多个衍射光；Nomarski棱镜(11)，其生成相移掩模(15)的图案的横向...