公开了一种仿真设备，其包括输入单元(11)、存储单元(12)、算术单元(16)、控制器(15)、以及输出单元(17)。输入单元输入面对栅极的薄多晶硅膜表面上的对应于TFT的栅极端的源极端出的第一电势(φS0)、其上形成栅极的薄多晶硅膜的...

本发明提供一种即使是反应性电浆，也可处理大面积基板或角形基板的电浆处理装置。本发明的电浆处理装置是具有矩形导波管１、由设置在导波管１的Ｈ面的开缝所构成的导波管天线２、由电介体所构成的电磁波放射窗４、以及夹在导波管天线２与电磁波放射窗４之...

一种等离子体处理设备（１）通过从电磁波辐射部分（１４）辐射到处理容器（４）中的电磁波在处理容器（４）中产生等离子体，以便通过等离子体进行等离子体处理。至少构成处理容器（４）的壁的一部分包括传输电磁波的至少一部分电磁波传输路径（３）。

将刃状物（３０）设置在要拾取截面图像（光强度分布）的截面的高度处，以拦截激光（２０）的部分截面。用激光（２０）照射刃状物（３０），且激光的截面图像用图像形成光学系统（４０）放大，并由ＣＣＤ（５０）拾取。当以这种方式拾取截面图像时，以在被...

本发明的结晶设备用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜（５），从而使该膜结晶，并且本发明的结晶设备包括含有多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域的调相装置（１），以及布置在所述调相装置和所述非单晶半导体膜之间的光学成...

本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜（１２）中的再结晶区域（２１）的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记（１５），该对准标记（１５）在形成电子器件例如薄膜晶体管（９８）的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，...

本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜（１２）中的再结晶区域（２１）的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记（１５），该对准标记（１５）在形成电子器件例如薄膜晶体管（９８）的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，...

本发明公开了薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。本发明提供一种薄膜晶体管，包含：在玻璃基板上的结晶化的半导体薄膜上设置的源区和漏区；在上述半导体薄膜上在上述源区和漏区间设置的栅绝缘膜；在该栅绝...

本发明公开了薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。薄膜晶体管的制造方法都包含在经掩模将来自光源的光线照射到玻璃基板的抗蚀剂上后对该抗蚀剂进行显...

一种制作全像光罩的曝光方法，它是使用数个原版光罩，将形成在各原版光罩的光调制层的光穿透遮蔽图案，曝光在相同的全像材料上，以制作具有干扰纹的全像光罩，所述干扰纹是包含有光透过率及相位相关的调制信息，其特征在于，包括有： 第１次曝光，...

本发明提供一种绝缘膜的制造装置，该装置降低了由透光窗的光线减少，以使处理基板大型化，同时也可提升氧化速度。其中，至少在含有氧气的Ｎ＃－［２］＋Ｏ＃－［２］混合气体１０中，使用照射氙气激励灯（ｘｅｎｏｎｅｘｃｉｍｅｒｌａｍｐ）１光线形...

一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的准分子镭射（ｅｘｃｉｍｅｒｌａｓｅｒ）１；使从该准分子镭射１射出的光的光强度均匀分布的均匀器（ｈｏｍｏｇｅｎ...

本发明提供一种可抑制特性参差的薄膜晶体管。其具有：隔着ＳｉＯ＃－［２］膜所构成的基底绝缘膜３而设在玻璃基板２上的Ｓｉ所形成的半导体层４；设在半导体层４中两侧的源极领域８与汲极领域９；在半导体层４中的源极领域８与汲极领域９之间的信道领域１...

提供一种金属布线的形成方法。设构成在基板（５１）上的形成了Ｃｕ布线图形（３２）的选择区域的由ＴｉＮ构成的布线图形（３１）的材料的电负度为Ｘｓ。设构成没有形成Ｃｕ布线图形（３２）的非选择区域的由ＳｉＯ＃－［２］构成的层间绝缘膜（２９）的材...

本发明提供一种曝光方法及装置，其目的是降低支撑光罩及具有感光材的被曝光物的支撑机构移动的驱动机构所承受的物理性负荷，并将驱动机构制作成简单的结构。本发明的曝光方法，包含：使来自曝光用光源的至少部分光，入射到支撑在支撑机构的光罩的入射步骤...

一种晶化设备，其特征在于包括：发光光学系统（２），其向未晶化半导体膜（４）发射具有均匀强度分布的光束，以致用该光束照射未晶化半导体膜（４）以晶化未晶化半导体膜（４）， 晶化设备还包括： 光转换元件（３），其把具有均匀强度分布...

本发明针对包括照射一相移掩模（４）的一照明系统（２）的结晶装置，其中相移掩模（４）将来自照明系统（２）的光束转换成具有在与该相移掩模（４）的相移部分（４ｅ）相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一...

一种晶化装置，包括将光束发射到未晶化半导体膜（４）上的光照系统（２），并以该光束照射未晶化半导体膜（４）以使该未晶化半导体膜（４）晶化，该装置的特征在于包括： 波前分离元件（３，３’），该波前分离元件将入射光束波前分离成多个光束；...

一种结晶化状态的原位置监测方法，用在为了实现薄膜的结晶化以及促进结晶化过程的至少一种过程，而进行能量束照射的退火处理的过程中，其特征在于，它包括：　　　　在所述能量束照射之前、中间以及之后的至少中间或之后，将用来监视所述薄膜的结晶化状态...

一种存储电路，其特征在于该存储电路包括：　　　　一晶体管（Ｔ１），其栅极被连接以输入一数据信号；以及　　　　第一和第二存储电容（Ｃ１、Ｃ２），分别被充电至正电源电压和负电源电压，并分别连接至所述晶体管（Ｔ１）的源极和漏极，以将所述数据信...