本发明涉及基板处理装置及反应容器，在反应管６内设置了缓冲室１７，该缓冲室１７拥有同一开口面积的缓冲室孔３；在其内部配置了气嘴２，该气嘴２拥有从气体的上游一侧到下游一侧开口面积逐渐变大的气嘴孔４；将由气嘴２喷出的气体暂时输入缓冲室１７，使...

一种热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法，其可减少热处理中产生的衬底的滑动错位缺陷，制造高质量的半导体装置。衬底支承体（３０）由本体部（５６）和支承部（５８）构成。本体部（５６）将多个载置部（６６）平行延伸，且在该载置部（６...

化学汽相淀积装置具有用于处理晶片（１）的反应炉（３９）；用于气密地密封反应炉的密封罩（２０）；密封罩（２０）对面的隔离凸缘（４２）；由密封罩（２０）、隔离凸缘（４２）和反应炉（３９）壁表面形成的小室（４３）；用于给小室（４３）供给第一气...

一种基板处理装置，其含包以下部分：　　　　形成容纳基板、供给多种反应气体、并对所述基板实施所需处理的空间的反应容器，　　　　开口于所述反应容器、用于将所述反应容器内排气的排气口，　　　　向所述反应容器至少供给所述多种反应气体的气体供给系...

本发明提供一种半导体装置制造方法，其特征为包含以下步骤：将多张衬底１搬入处理室４内的步骤、从搬入处理室４内的多张衬底１的上游侧供给含氧气体的步骤、从对应于搬入处理室４内的多张衬底存在的区域中途的至少１个部位供给含氢气体的步骤、使含氧气体...

本发明提供一种衬底处理装置，具有反应管２０３、加热硅晶片２００的加热器２０７，将三甲基铝（ＴＭＡ）和臭氧（Ｏ↓［３］）交替供给至反应管２０３内，从而在晶片２００的表面形成Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］膜，所述装置的特征为，具有使臭氧和ＴＭＡ分别...

本发明提供半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：在反应炉１内，在衬底１０上进行成膜的工序；将成膜后的衬底１０从反应炉１中卸载后，在反应炉１内没有衬底１０的状态下，强制冷却反应炉１内部的工序。与自然空气冷却比较，使反应炉１内部附着的堆...

本发明提供一种在晶片１３０的Ｓｉ表面选择成长含Ｓｉ的外延膜的热壁式衬底处理装置，该装置具有收纳晶片１３０的处理室１０８，配置在处理室１０８的外部、加热晶片１３０的加热部件１０１，连接处理室１０８的原料气体供给系统１１５，排气系统１１６；...

本发明提供一种衬底处理装置，包括反应室（２０１）、使晶片（２００）旋转的衬底旋转装置（２６７）、以及向晶片（２００）提供气体的气体提供部，多次交替提供至少２种气体Ａ、Ｂ，在晶片（２００）上形成所要的膜。具有控制部（３２１），控制晶片（２...

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在衬底装入步骤时或／和衬底取出步骤时，能从反应室内有效地排除粉粒。在将晶片（２００）装入反应室（２０１）的步骤或／和取出晶片（２００）的步骤中，以比处理晶片（２００）的步骤中的排气流量大的排气流量使反...

本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应室４中，在衬底３０上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理...

本发明的课题在于消除因构成基板保持器的支柱和基板承载部等影响造成的基板上的膜厚不均匀部分，提高基板的膜厚均匀性。在基板处理装置中，将由舟（基板保持器）保持的多片晶片（基板）收纳在处理室内，将处理气体提供给已被加热的处理室，对晶片进行成膜...

一种隔热壁体，防止发热体的卡挂，将发热体的变形防止于未然。在设有发热体（４２）的安装槽（４０）的侧壁上设有倾斜的锥面（４０ｂ、４０ｃ），该锥面（４０ｂ、４０ｃ）是朝着隔热壁体（３３）的中心方向而远离发热体（４２）。在随着热膨胀而发热体（...

一种发热体的保持构造体，防止发热体的一对供电部彼此的短路及熔接。在具备使用隔热材料形成为圆筒形状的隔热块（３６）和一对供电部（４５、４６）的发热体（４２）、将发热体（４２）铺设在隔热块（３６）的安装槽（４０）的内周侧上的加热器单元（３０...

本发明的衬底处理装置既可以在成膜时使衬底上的压力为一定、又可以在净化时高效率地去除反应气体。衬底（８）在处理室（１）内通过基座（保持件）（３）被保持。衬底的周围设置有平板（２）。平板被基座（３）支承。气体供给口（１９、２０）设置在衬底的...

改善真空隔绝方式的预备室中的气体的流动。真空隔绝方式的衬底处理装置包括：收容衬底（１）并对衬底进行处理的处理室（３４）；与处理室（３４）连续设置的预备室（２３）；将保持着多片衬底（１）的衬底保持件（５０）运入以及运出处理室（３４）的衬底...

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，所述制造方法在防止对衬底的热破坏或热预算增大的同时，在衬底与薄膜之间以低氧.碳密度形成高品质界面。所述制造方法包括下述步骤：将晶片搬入反应炉内的步骤；在反应炉内对晶片进行前处理的步骤；在反应炉内对进行...

本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室（２０１）；保持部件（２１７）；加热部件（２０７）；向处理室内交替供给第１和第２反应物质的供给部件（２３２ａ、２３２ｂ）；供给第１反应物质，使第１反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第１反应物质，接...

本发明公开一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第１步骤，对收容于处理室内的衬底供给第１反应物质，使存在于上述衬底的表面的作为反应点的配位基与该第１反应物质的配位基发生配位基交换反应；第２步骤，从上述处理室除去剩余的上述第１反应物质；...

热处理设备中的温度调整方法，该热处理设备具有对处理衬底的处理室内进行加热的加热装置、控制该加热装置的加热控制部、配置在上述处理室内的靠近上述衬底的位置的第一温度检测装置、以及配置在比该第一温度检测装置更靠近上述加热装置的位置的第二温度检...