提供一种放大器，用于组合多个放大电路的输出以产生放大器输出。放大器包括：第一放大电路，用于操作ＡＢ类的第一放大装置，其中，所述第一放大电路是所述多个放大电路当中的一个；第二放大电路，用于操作Ｂ类或Ｃ类的第二放大装置，其中，所述第二放大电...

一种用于补偿失真的预失真放大器，包括：放大单元；功率检测单元；失真补偿表；控制单元；以及预失真单元，这个预失真单元用于通过对输入信号的幅度和相位进行预失真，来产生要输入放大装置的预失真信号，通过使用存储在失真补偿表中，对应于从功率检测单...

以往的前馈失真补偿放大器存在如以下问题，输入信号的电平低时停止了对失真抽取环和失真消除环的控制，因此，当发生了输入电平急剧下降时，环的平衡被打破整体的增益发生变动。本发明提供一种前馈失真补偿放大器，即使输入电平低也能够一边进行失真补偿一...

第一控制单元（１４）控制施加到峰值放大器（５）的偏置，以进行以下操作：（ａ）当输入信号的电平低于第一阈值时，使峰值放大器（５）作为Ｃ类工作，（ｂ）当输入信号的电平高于比第一阈值高的第二阈值时，使峰值放大器（５）作为具有第二导通角的ＡＢ类...

本发明提供一种前置补偿器，对在利用放大器放大信号时因存储效应而产生的失真进行补偿。在前置补偿器所具有的存储型ＰＤ（２）中，电平检测单元（２１）检测信号的电平，系数输出单元（２２）输出对应于检测到的电平的系数，延迟单元（２３）使所输出的系...

一种放大信号的放大装置，其特征在于，　　　　包括：　　　　分配单元，分配上述信号；　　　　载波放大器，用ＡＢ级对上述所分配的第１信号进行放大；　　　　峰值放大器，用Ｂ级或者Ｃ级对上述所分配的第２信号进行放大；　　　　第１传输线路，与上述...

本发明提供一种即使周围温度发生变化时也能获得基于预失真电路的充分的失真补偿效果的前馈放大器。该前馈放大器，设置控制输入到主放大器（６）的信号的衰减量的可变衰减器（４）、为了防止随着主放大器（６）的周围温度的变化引起失真补偿的劣化而控制衰...

在现有的功率放大装置中，存在着当信号频带变宽时，提高失真检测用的采样频率，失真补偿部的ＦＦＴ运算量增多，电路规模增大功耗增加的问题。本发明的非线性失真检测方法和失真补偿放大装置，即使信号频带变宽，也能抑制电路规模和功耗增大。由Ａ／Ｄ转换...

一种放大装置，其通过更精密地调整用于放大装置输入信号波形调整的失真补偿用的表的内容，减少输出信号中产生的失真。表值计算部（２８０），当功率放大部（１４０）的输出信号的失真大于在通过采用了幂级数的摄动法的对插补数据Ｉ、Ｑ的适应控制处理所使...

提供一种补偿由放大器产生的畸变的前馈放大器，有效地进行向量调节器中的相位控制。检测畸变的畸变检测回路中的放大路径或者补偿畸变的畸变补偿回路中的畸变放大路径的一方或双方具备：第一可变相位器（ＰＨ１＿１、ＰＨ２＿１），使信号的相位可变地变化...

一种以钢缆自身为媒体用电磁感应方法在固定设备和被钢缆悬吊的升降机箱间传送电力和／或信号的方法，固定设备内设置的传送手段连接着以电气绝缘状态与所述钢缆电磁耦合的发送用变量器，升降机箱内设置的传送手段连接着以电气绝缘状态与所述钢缆电磁耦合的...

本发明的目的是提供一种信号传输系统，预测发信装置移动并在预定时间之后一级菲涅耳区域与标高截面图是否接触，并当预测为接触情况下，进行表示注意的显示。该信号传输系统显示发信装置位置和旋转天线位置的两点之间的标高截面图、两点之间的从发信装置发...

一种隔热壁体，防止发热体的卡挂，将发热体的变形防止于未然。在设有发热体（４２）的安装槽（４０）的侧壁上设有倾斜的锥面（４０ｂ、４０ｃ），该锥面（４０ｂ、４０ｃ）是朝着隔热壁体（３３）的中心方向而远离发热体（４２）。在随着热膨胀而发热体（...

本发明提供一种衬底处理装置和器件的制造方法。该衬底处理装置能将远程等离子体和在整个处理室产生的等离子体的优点结合起来，实现良好的处理。该衬底处理装置具有：从外侧包围处理空间（１）地设置的、连接在地线上的导电性构件（１０）和设置于上述导电...

本发明涉及一种反应容器，其特征在于包括：收容多层配置基板的反应室；多个缓冲室；以及将用于处理基板的气体分别输入上述多个缓冲室的多个气体导入部，上述多个缓冲室各自具有沿上述基板多层配置方向设置的多个供气口，将从上述多个气体导入部分别输入的...

一种连续处理多个衬底的衬底处理装置，高效进行包括返回工序的衬底处理。所述衬底处理装置包括：作为衬底输送空间的输送室；进行衬底处理的多个处理室；设置在上述输送室中的衬底输送装置，其具有输送衬底的功能；以及控制单元，控制由上述衬底输送装置输...

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，在所述制造方法中，通过被等离子体活化的氮对在基底上形成的氧化硅膜进行等离子体氮化处理后，在含有具有氮原子的化合物的气体氛围中进行热氮化处理，在氧化硅膜表面附近及氧化硅膜与基底的界面附近分别形成具有氮浓...

本发明提供一种隔热构造体、加热装置、加热系统、基板处理设备以及半导体器件的制造方法，能够使得隔热构造体和加工处理管整体均匀地骤冷。一种用于立式的加热装置的隔热构造体，具有形成为圆筒形状的侧壁部，该侧壁部形成为内外多层结构，隔热构造体具有...

本发明提供半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：在反应炉１内，在衬底１０上进行成膜的工序；将成膜后的衬底１０从反应炉１中卸载后，在反应炉１内没有衬底１０的状态下，将反应炉１内部的工序骤冷。与自然空气冷却比较，使反应炉１内部附着的堆积...

本发明提供一种可以可靠地向衬底提供原料蒸气的衬底处理装置和半导体器件的制造方法。该装置在外套管２１的外侧设置衬底加热用的主加热器２２，在外套管２１的内侧设置内套管２３，在内套管２３内插入可升降的盖２４，在盖２４上装载端口２５，在盖２４内...