株式会社日立高新技术专利技术

株式会社日立高新技术共有2367项专利

  • 提供能不依赖于器件的图案布局地测定在加工对象区域反射的反射光的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置具备:光照射部,其具有向载置于样品台的晶片的表面对分别不同的位置照射光的多个照射器;受光部,其接受从多个照射器照射的光被晶片反...
  • 本公开涉及以具有高密度固定电荷的离子交换膜为基础的离子选择性电极,为了以更简便的方法提高离子选择性和提高经时稳定性,提出了一种离子选择性电极,其用于测定试样液中包含的对象离子,该离子选择性电极具备:收纳内部液的电极壳体、一部分与内部液接...
  • 准确地分注既定的分注量的检体以及试样,确保分析结果的可靠性。该自动分析装置具备:试剂保持部,其保持收纳试剂的试剂容器;检体保持部,其保持收纳检体的检体容器;分注机构,其将所述试剂和所述检体分注到反应容器(105);以及质量传感器(2),...
  • 本发明的目的在于,提供如下技术:在工艺处理装置的劣化的诊断中,抑制对于被多个传感器测定状态的组件、或者工艺处理装置组的各组件产生的虚报,能够采取有效的对策。因此,本发明的工艺处理装置的诊断装置将工艺处理装置的组件作为保养对象,该工艺处理...
  • 为了提供一种能够针对每个用户选择在预定时间的警报通知以及通知内容的自动分析系统,具有:自动分析装置,其对患者检体进行分析;存储部,其存储所述自动分析装置的消耗品数据;控制部,其进行所述自动分析装置的警报控制以及控制向所述存储部的数据输入...
  • 本发明提供能够在短时间内高精度地调整分注喷嘴相对于分注对象物的位置的自动分析装置。本发明的自动分析装置(10)具备具有进行液体的抽吸和喷出的分注喷嘴(113)的分注装置(11)、作为收纳分注喷嘴(113)进行抽吸和喷出的液体的容器的分注...
  • 提供利用微波的等离子处理装置,能抑制反射波从而辐射高的轴比的圆偏振波,此外,能选择性地改变偏振波的辐射方式。具有:2n个固态元件微波源(2);2n个同轴波导管变换器(3),其与固态元件微波源分别连接,将微波电力从TEM模变换成TE10模...
  • 本发明的目的在于提供一种在利用光来计测液体样品内所包含的粒子的尺寸时,能够应对因各种理由而变化的灵敏度的技术。本发明的粒子计测装置使用基准样品来校正样品所包含的粒子的尺寸,所述基准样品具备具有与样品容器窗相同的材质以及厚度的基准样品窗,...
  • 本发明提供一种检体容器摄像装置以及检体处理装置,能够在确保检体容器的距光源较远的部分的照度的同时对检体容器及其内部的检体进行摄像。具备:架搬送路,其移送收纳有放入了检体的检体容器的检体架;照相机,其设置在所述架搬送路的侧方,对位于所述架...
  • 作业解析系统具有:作业测量部(210),从测量给定的作业中的作业者的动作的传感器收集测量数据;测量数据蓄积部(120),蓄积作业测量部所收集的测量数据;以及测量数据解析部(220),基于蓄积于测量数据蓄积部的测量数据,来对给定的作业进行...
  • 本发明的目的在于提供一种分注装置以及探头的状态确认方法,能够抑制分注精度的降低并且掌握探头的适当的更换时期。因此,本发明是一种分注装置,其具备:探头,其抽吸以及喷出液体;传感器,其检测所述探头的前端的接触;驱动部,其在上下方向上驱动所述...
  • 本发明的目的在于,提供推定异物不良率的技术。本发明的评价装置之一是评价组装由多个部件构成的处理装置的组装作业的评价装置,特征在于,评价装置具备计算功能部以及不良率算出部,计算功能部取得表示重力所作用的方向的重力信息,按组装作业中所含的每...
  • 关于带电粒子束装置,提供一种能够实现防止与拍摄图像相关的画质劣化的技术。带电粒子束装置具备向试样照射带电粒子束并将试样的信息图像化的拍摄装置和计算机。计算机存储通过多次扫描相同区域而得到的各图像(扫描图像),将各图像分类为包含劣化图像的...
  • 自动分析装置(1)具有B/F分离部(104)、反应液吸引喷嘴(106)、置换液排出喷嘴(108),B/F分离部(104)构成为能够沿铅直方向及水平方向移动,或者,具有B/F分离部(104)、反应液吸引喷嘴(106)、置换液排出喷嘴(10...
  • 制作向站点导入的多个电池的充电计划。一种充电计划制作方法,制作签订一个或多个电力合同的一个或多个站点处的多个电池的充电计划,其中,所述充电计划制作方法具有以下内容:受理站点处的电力使用量、由多个电池消耗的预定的各消耗电力量、以及能够对多...
  • 本发明能够无梳齿地形成孔,能够使用便利性和自由度高的凝胶,防止由凝胶的溶胀导致的样品的分离性能降低。电泳盒(1)具备:凝胶槽(2);收纳于凝胶槽(2)中的凝胶(7);被投入缓冲液的缓冲液槽(3),其为与凝胶槽(2)连续的槽,该缓冲液被注...
  • 本发明的晶片处理装置特征在于,具有:处理室(104),其配置在真空容器内部,在内侧被处理用气体;样品台(201),其配置于处理室内,支承处理对象的晶片,具有圆筒形;高低差部,其环状地包围样品台的上部的载置晶片(204)的载置面;气体分散...
  • 提供一种等离子体处理方法,是无需置换多种气体,可以保护多孔质膜中的细孔、和存在于多孔质膜中的被称为线缝的接缝的被处理体的蚀刻方法,在对于具有孔洞的Low―k膜进行等离子蚀刻的等离子体处理方法中,使用由含氟元素气体和含碳元素气体的混合气体...
  • 等离子处理装置具备:具备载置半导体晶片的载置面的样品台;具备包围样品台配置的环状的薄膜电极的电介质制环;和覆盖薄膜电极的电介质制的基座环,薄膜电极包含:位于比半导体晶片的背面低的位置的第1部分;位于比半导体晶片的主面高的位置的第2部分;...
  • 本发明的目的在于提供一种减少手动清扫探针的频度、提高了分析效率的自动分析装置及探针的清洗方法。为此,本发明的自动分析装置包括分注液体的探针和检测所述探针的堵塞的堵塞检测部,该自动分析装置在所述堵塞检测部检测到所述探针的堵塞时,利用经调温...