热泵系统具有热泵循环(10)、加热部(30)、低温侧热介质回路(40)和控制部(70)。热泵循环具有压缩机(11)、冷凝器(12)、减压部(14b)和蒸发器(16)。加热部将在冷凝器被散热的高压制冷剂所具有的热作为热源来对向空调对象空间...

通过对锭的高度方向上的一端侧的表面照射具有透过性的激光束(B)，在与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层。在剥离层的形成中，在第二方向(Df)上改变位置的同时进行多次激光扫描，该激光扫描是在使激光束的照射位置(PR)在第一方向(Ds)上移动的...

作为天线的导体图案具备：辐射元件(7a)，形成为倒F型；以及供电元件(8a)，用于间接地对该辐射元件进行供电。辐射元件(7a)具备主体部(71a)、短路部(72a)以及被供电部(73a)。主体部(71a)是比短路部(72a)以及被供电部...

碳化硅衬底具备通过共振法测量的杨氏模量在500℃时为475GPa以上的衬底(10)。碳化硅晶片具备上述碳化硅衬底和形成在上述碳化硅衬底上的外延层(20)。上述外延层的膜厚为4～40μm。碳化硅半导体装置具备：上述碳化硅衬底；外延层(20...

本发明提供二极管、内置二极管的场效应晶体管及二极管的制造方法。本发明提供一种在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中使蓄积于n型的半导体区域的空穴的量降低来抑制通电劣化的技术。在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中，半导体基板具备：p...

二次电池用固体电解质100具备粒子状的核相101和覆盖核相的至少一部分的壳相102。壳相由1个或多个相组成。核相的构成材料包括由组成式Aa<subgt;2‑α</subgt;Ab<subgt;(1+α)/3</s...

本发明涉及晶片制造方法。从锭(2)得到晶片的晶片制造方法包含以下的步骤、工序或者处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面(21)照射具有透过性的激光束，从而在距离表面与晶片的厚度对应的深度形成剥离层(25)。此时，以小面区域(RF)的照...

提供沟槽栅极型半导体装置及其制造方法。沟槽栅极型半导体装置具备半导体基板、第一沟槽、第二沟槽、栅极绝缘膜、栅极电极和上部电极。半导体基板具有与上部电极相接的n型的第一半导体区域、配置于第一半导体区域的下侧且从与第一沟槽内的栅极绝缘膜相接...

风门装置(10)具备：作为设有多个的板状的部件的叶片(200)、及将叶片(200)支承为旋转自如的框架(100)。将叶片(200中的沿着宽度方向与旋转中心轴(AX1)相比位于一方侧的部分作为第一部分(221)，并将另一方侧的部分作为第二...

本发明涉及扬声器用防振体。一种扬声器用防振体(100)，扬声器用防振体(100)为弹性材料制，作为扬声器而收容具备多个扬声器突出部(22)的扬声器(20)，上述扬声器突出部从扬声器主体部(21)向径向突出，并形成有供螺丝贯通的贯通孔(2...

具备：周边信息识别部(112)，获取车辆行驶的行驶车道的行进方向上的左右的车道边界线(L1、L2)，并且识别车辆的周边信息；报告部(114)，通过报告装置(150)报告在自动驾驶的执行中请求从离手状态向上手状态的切换的上手请求；以及控制...

本发明提供使用结合物质(1A)检测目标物质(7)的分析方法。使用的上述结合物质具备单链核酸制剂(3)和互补核酸(5)，上述单链核酸制剂(3)具有与上述目标物质结合的活性，在上述单链核酸制剂未与上述目标物质结合时，上述互补核酸(5)与上述...

热泵循环装置具备压缩机(11)、分支部(12a)、加热部(13)、加热部侧减压部(14a、14c)、旁通通路(21c)、旁通侧流量调节部(14d)、旁通(21c)合流部(12f)、以及调节能力判定部(S3)。并且，当通过调节能力判定部(...

本公开的终端接收无线资源控制消息，基于所述无线资源控制消息中包括的与第一同步信号以及物理广播信道(SS/PBCH)块的周期有关的信息来接收第一SS/PBCH块，判定在所述无线资源控制消息中是否包括与第二SS/PBCH块的周期有关的信息，...

线圈模块(740)包括部分绕组(741)，在部分绕组的背轭侧设置有背轭侧绝缘壁(751)，在部分绕组的背轭相反侧设置有背轭相反侧绝缘壁(752)。由多个线圈模块构成电枢绕组。多个线圈模块在基座构件(736)的径向内侧或径向外侧沿周向排列...

本发明涉及车辆控制装置、车辆控制方法、控制程序。智能ECU以在设定于车内的启动区域内存在用户的便携式设备为条件，将行驶用电源切换至接通。智能ECU在通常时，根据第一通信机中的来自便携式设备的信号的接收强度，判断在启动区域是否存在便携式设...

半导体装置具有沟槽栅构造。第2杂质区域(17)的从第1抵接区域(171)的边界部(171a、171b)朝向另一个沟槽的部分为直线状部(173a、173b)，第2抵接区域(172)的从边界部(172a、172b)朝向一个沟槽的部分为直线状...

在分析方法中，将融合体(1A、1B、1C)与试样混合而生成混合物(21)，上述融合体(1A、1B、1C)具备：具有与目标物质(7A、7B、7C)结合的活性的第1结合物质(3A、3B、3C)和标记物(5A、5B、5C)。使固定于基部(12...

转子(20)包括具有多片芯体片(30)的转子芯部(22)和永磁体(23)。转子的多个磁极部(26)中的每一个包括永磁体和外侧铁芯部(25)。外侧铁芯部通过各个芯体片的外侧铁芯部分(34a、34b)的层叠而构成。外侧铁芯部由包括位于磁体收...

劣化抑制电路(1)抑制差动对电路(2)所具备的一对MOS晶体管的特性劣化，差动对电路输出与经由非反转输入端子及反转输入端子分别输入的一对输入信号之差对应的输出信号，劣化抑制电路具备切换电路(3)。切换电路(3)能够切换通常施加状态和反相...