本发明提供了一种不需要复杂的构造或复杂的制造工序，可提高光学滤光器和封装的接合可靠性的红外线传感器，以及电磁屏蔽性能优异的红外线传感器。在光学滤光器（３）的周边部的、与封装（２）的开口部（２ａ）的周边区域相面对的区域，以围绕光学滤光器的...

一种测量材料的方法，其中材料由输送单元输送并从输送单元的卸料部分落下以便供应入设置在卸料部分下的测量单元，并由测量单元进行测量，它包括第一供应步骤：从所述卸料部分将材料供应入测量单元直到由所述测量单元测量的材料的量达到与材料的最终测量目...

一种角度传感器，包括固定于旋转轴上的磁铁和设置于中性探测位置Ｃ以使其朝向磁铁的霍耳装置，由此根据霍耳装置的输出探测磁铁的旋转角度。磁性体附于磁铁的各个磁极以使在轴的圆周上最大磁通量部分远离中性探测位置Ｃ，所以使得磁通量分布偏向与霍耳装置...

提供一种检测装置和转动角度传感器，可减小基板的弯曲应力，避免电路断线，剥离，和焊接图案的开裂，提高可靠性和降低生产成本。检测装置包括由箱体（１１）和箱盖（１２）组成的外箱（１３）。箱体（１１）的支撑座（１６）有装配凸块（１７），装配凸块...

一种振动陀螺仪包括一杆状的振子和一支承件。杆状振子包括一用于使杆状振子振动的驱动元件和一用于检测杆状振子之振动的检测元件。所述杆状振子内有两个凹槽，它们分别在杆状振子的振动结点附近沿着垂直于杆状振子纵向的方向延伸。支承件的形状是：两个保...

一种振动陀螺仪，具备振子、和通过固定在该振子节点附近的多个支撑部件保持上述振子的壳体，其特征在于：上述壳体具有固定上述多个支撑部件的多个固定部，并具备在至少两个上述固定部附近之间连续形成的金属制刚性加强板。

在安装基板（１２）的一个主面上装载进行两端开放弯曲振动的柱状振子（２），进而跨过安装基板（１２）的共振引起的弯曲振动的腹部中心线（ｎ２）装载驱动检测电路用零件（１３）。并且，安装基板（１２），其单体的弯曲振动自共振频率比振子（２）的弯曲...

一种音叉型振动元件，其特征在于包括具有一个主面和另一主面的、呈直尺形状的振动部； 设置在该振动部的另一主面沿纵向方向的一个端部侧处的基台部； 以及沿纵向方向将所述振动部分割成沿宽度方向左右对称的两个以上叉股部用的槽缝部； ...

本发明涉及的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置能够在不受载体薄膜厚度偏差的影响的情况下对膜厚进行高精度测定。本发明的膜厚测定装置具备在未烧结陶瓷片（２）的输送方向（Ａ）上以规定的间隔配置，而且相互独立，在与未烧结陶瓷片（２）的输送同步的时间，在...

提供一种热处理炉，无需复杂的构成且不会导致设备的大型化或成本的增大，而能够例如在陶瓷电子零部件的制造工艺中焙烧陶瓷成形体时连续进行脱粘合剂和其后的焙烧。该热处理炉在包围炉壳（３）的内部的热处理区（１）而设置的隔热材料（２）与炉壳（３）的...

一种热处理炉，至少包括：炉本体（３）；配置在炉本体（３）内部的加热器（５）；以及配置在该加热器（５）内侧、容纳被处理物（７）的构成加热室（Ｋ）的隔焰炉（Ｍ），且具有如下结构：当冷却加热室（Ｋ）时，在保持该加热室（Ｋ）内的气氛的状态下使隔...

陶瓷成形品的热处理方法，其特征在于，包括下述工序：在热处理炉内对陶瓷成形品进行热处理的过程中，取出上述热处理炉内的氛围气体作为试样，将该试样中的碳成分转化为特定的碳化物的转化工序；检测该转化后的特定碳化物在上述试样中的成分比例的成分比例...

一陶瓷热处理装置，适于热处理例如浆体的陶瓷原料，以获取粉化的陶瓷材料。该装置包括一围绕它的轴被横向支撑和转动的筒体（１）和被存贮在筒体１内，并在其中被搅动的许多转动介质（２）。筒体（１）具有一棱锥形内表面，以致，随着筒体（１）的转动，转...

本发明提供一种薄型、零件数少且构造简单的微型泵。膜片部（２ａ）、流入侧止回阀的阀部（２ｂ）和流出侧止回阀的阀部（２ｃ）形成在一个弹性体片（２）上，在膜片部（２ａ）的背面粘贴有压电致动器（３）。弹性体片（２）被夹在第一外壳部件（１）和第二...

本发明提供一种压电微型泵，该压电微型泵即使在其隔膜由柔软的材料形成的情况下，也可以有效地将压电元件的位移传递作为泵室的容积变化，而且该压电微型泵的流体输送能力优异。在该压电微型泵中，用隔膜（３）隔离泵室（６），在隔膜（３）的背面配置压电...

一种用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置，它包括一个外侧有高频加热装置的炉管，一个装在炉管内的两端开口的导电圆筒，和一个与圆筒元件同轴放置的由导电材料制成的坩埚。

本发明提供一种尺寸足供隔离器的光通信和电子器件之材料应用的含铈磁性石榴石单晶及其制造方法，后者包括：熔化含铈磁性石榴石多晶，同时，施加陡而大的温度梯度于熔体的固液界面，随后固化所熔化的多晶。最好联系采用例如，由激光束组成的主加热装置和由...

一种具有Ｃａ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］晶体结构并含有Ｇｅ作为组成元素的大尺寸氧化物晶体及其制造方法。该氧化物单晶可通过制备含Ｇｅ的原料熔化物和在单晶生长气氛中从所述原料熔化物生长所述氧化物单晶的制造方法制得，其特征在于...

本发明提供一种能稳定生长熔融时固液成分不同的化合物的单晶并能控制其生长取向的单晶生长方法。该方法包括如下步骤：将多晶和单晶固定在加热炉中；使多晶与晶种接合；在与晶种接合的相反一端加热多晶，形成熔融区；将熔融区移动到与晶种接合的一端，使熔...

一种用磁性柘榴石单晶膜微波器件的制造方法，将柘榴石单晶衬底切成小片，然后用液晶外延生长法在每块柘榴石单晶衬底小片表面上生长磁性柘榴石单晶膜。该方法的优点在于，单晶衬底在磁性柘榴石单晶膜生长期间不断裂，不出现碎片，而且衬底之间膜的厚度变化...