未烧结陶瓷片制造方法及装置及其膜厚测定装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置能够在不受载体薄膜厚度偏差的影响的情况下对膜厚进行高精度测定。本发明专利技术的膜厚测定装置具备在未烧结陶瓷片（２）的输送方向（Ａ）上以规定的间隔配置，而且相互独立，在与未烧结陶瓷片（２）的输送同步的时间，在与未烧结陶瓷片（２）的输送方向（Ａ）正交的方向（Ｂ）上往复移动，测定利用载体薄膜（３）裱褙的未烧结陶瓷片（２）的同一位置上的未烧结陶瓷片（２）的厚度（Ｔｓ）与载体薄膜的厚度（Ｔｓ）相加的膜厚值（Ｔ１、Ｔ２）的第１和第２种两种不同的膜厚测定器（６、７）、以及对利用第１和第２膜厚测定器（６、７）测定的膜厚值（Ｔ１、Ｔ２）进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片（２）的膜厚（Ｔｓ）的运算处理手段（８）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，还涉及利用这些膜厚测定装置以及膜厚测定方法的未烧结陶瓷片的制造装置及制造方法。但是，在这样利用载体薄膜进行裱褙的状态下对未烧结陶瓷片进行膜厚测定时，通常采用使用不会对未烧结陶瓷片造成破坏的非接触式的膜厚测定装置的方法。也就是说，在这种使用非接触式膜厚测定装置的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法中，将未烧结陶瓷片的膜厚(片厚)与载体薄膜的厚度(膜厚)之和、即片厚与膜厚总值作为膜厚值测定，根据该膜厚值减去预先测定的膜厚求出片厚。但是，在使用这样的非接触式膜厚测定装置的测定方法中，由于测定时位置的偏差等原因而产生误差，正确测定膜厚并不是容易的事情。特别是在未烧结陶瓷片的厚度小于5微米的情况下，膜厚比片厚大，膜厚偏差的影响占主要地位，正确测定片厚就更加困难。又，在日本特开昭59-99339号公报公开了将使用X射线与使用β射线的两种厚度检测器与载体薄膜的流动方向平行成一整体配置，利用各不相同的射线吸收系数差，根据运算测定涂布量的涂布量测定装置。但是在该装置中，两种厚度检测装置形成一体，因此在载体薄膜移动的情况下，为了使X射线的测定位置与β射线的测定位置一致，除了使测量探头在载体薄膜的移动方向的正交方向(宽度方向)的移动停止外，还要使X射线与β射线各自的测定时刻与载体的移动速度同步，存在不能够沿着未烧结陶瓷片的宽度方向测定涂布量(膜厚)的问题。又，假定以某一定周期使测量探头在未烧结陶瓷片的宽度方向间歇性移动，沿着未烧结陶瓷片的宽度方向进行测定，由于是进行间歇性测定，在未烧结陶瓷片的宽度方向的膜厚测定要对许多测量点进行，进行这样的密集测定是困难的，存在不能够高可靠性地进行膜厚测定的问题。本专利技术是为了解决上述存在问题而作出的，本专利技术的目的在于提供能够在不受载体薄膜厚度偏差的影响的情况下对未烧结陶瓷片的膜厚进行高精度测定的膜厚测定装置及膜厚测定方法，还提供使用这些膜厚测定装置及膜厚测定方法的未烧结陶瓷片的制造装置及制造方法。本专利技术(权项1)的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置中，种类不同的各膜厚测定器相互独立，各膜厚测定器与未烧结陶瓷片的输送同步地在与输送方向正交的方向(载体薄膜及未烧结陶瓷片的宽度方向)上往复移动，以此能够测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的厚度(未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值)，因此能够消除测定时的位置偏差引起的误差，精密地测定膜厚值。又利用运算处理手段对用种类不同的膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，分别计算出未烧结陶瓷片的厚度及载体薄膜的厚度，因此能够消除载体薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。又，权项2的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，使各膜厚测定器的往复移动速度与未烧结陶瓷片的输送速度成正比。利用使各膜厚测定器的往复移动速度与未烧结陶瓷片的输送速度成正比的方法，能够使检测点的密度为一定。又，权项3的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，膜厚测定器的至少一种使用从X射线、β射线、γ射线、激光、红外线形成的一组中选出的一种测定所述膜厚值。由于是从X射线、β射线、γ射线、激光、红外线形成的一组中选出的一种膜厚测定器测定膜厚值，能够根据未烧结陶瓷片的构成材料和膜厚等具体条件，选择合适的测定器，将其组合使用，以此利用运算处理手段对各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，能够得到片厚和膜厚的正确值，能够使本专利技术得到实际效果。还有，如果是透射率不同的情况，则在各膜厚测定器使用的射线的种类可以是相同的，例如也可以是X射线与X射线、β射线与β射线、γ射线与γ射线这样的组合。又，权项4的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，所述膜厚测定器具备第1膜厚测定器和第2膜厚测定器两个膜厚测定器，第1膜厚测定器测定由(μs1×Ts+μf1×Tf)表达的第1膜厚值T1，其中μs1是厚度为Ts的未烧结陶瓷片的吸收系数，μf1是膜厚为Tf的载体薄膜的吸收系数，第2膜厚测定器测定由(μs2×Ts+μf2×Tf)表达的第2膜厚值T2，其中μs2是厚度为Ts的未烧结陶瓷片的吸收系数，μf2是膜厚为Tf的载体薄膜的吸收系数，而且所述运算处理手段对第1及第2膜厚值T1、T2进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的膜厚Ts。权项4的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，利用第1膜厚测定器测定第1膜厚值T1，利用第2膜厚测定器测定第2膜厚值T2，在运算处理手段对第1及第2膜厚值T1、T2进行相关运算，分别计算出未烧结陶瓷片的厚度Ts和载体薄膜的膜厚Tf，因此能够消除载体薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。又，本专利技术(权项5)的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法是利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法，其特征在于，利用在未烧结陶瓷片的输送方向上以规定的间隔配置，而且相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送同步的时间，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动的种类不同的两种以上的膜厚测定器，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值、同时由运算处理手段对利用各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的厚度。在本专利技术(权项5)的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法中，利用相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动的种类不同的两种以上的膜厚测定器，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的片厚与膜厚相加的膜厚值、同时由运算处理手段对利用这些在相同的位置以种类不同的膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出片厚，因此能够消除薄膜厚度偏差的影响，正确地测定未烧结陶瓷片的厚度。本专利技术(权项6)的未烧结陶瓷片的制造装置，其特征在于，具备根据权利要求1～4中的任一项所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置、以及形成进行根据所述膜厚测定装置测定的未烧结陶瓷片的厚度数据控制陶瓷浆液的供给量的膜厚反馈控制的结构，一边控制供应量一边把所提供的陶瓷浆液涂布于载体薄膜上，形成未烧结陶瓷片的成型机。本专利技术(权项6)的未烧结陶瓷片的制造装置形成能够将未烧结陶瓷片成型后测定的正确的片厚数据反馈给成型机，迅速地对陶瓷浆液的供应量进行控制的结构，因此能够连续可靠地制造厚度均匀的未烧结陶瓷片。本专利技术(权项7)的未烧结陶瓷片的制造方法，其特征在于，根据利用权利要求5所述的未烧结陶瓷片的膜厚测定方法计算出的未烧结陶瓷片的厚度数据，一边控制供应量一边把向成型机提供的陶瓷浆液涂布于载体薄膜上，形成未烧结陶瓷片。本专利技术(权项7)的未烧结陶瓷片的制造方法中，根据利用本专利技术的方法测定的正确的片厚数据，控制陶瓷浆液的供应量，因此能够连续可靠地制造厚度均匀的未烧结陶瓷片。图2是表示本专利技术一实施形态(实施形态1)的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置的工作状态的平面图。图3是表示本专利技术一实施形态(实施形态2)的未烧结陶瓷片的制造装置的总体结构示意图。实施形态1附图说明图1是简化表示本专利技术一实施形态(实施形态1)的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置的结构的立体图。图2为表示其工作状态的平面图。本实施形态1的膜厚测定装置1是利用载体薄膜3裱褙的未烧结陶瓷片2的膜厚的测定装置，其结构如图1所示，进行膜厚测定的未烧结陶瓷片2是在载体薄膜3上涂布陶瓷浆液形成，卷绕在放卷辊4上的，从放卷辊4放出的未本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的膜厚测定装置，其特征在于，具备 在未烧结陶瓷片的输送方向上以规定的间隔配置的种类不同的２个以上的膜厚测定器，而且是相互独立，在与未烧结陶瓷片的输送同步的时间，在与未烧结陶瓷片的输送方向正交的方向上往复移动，测定利用载体薄膜裱褙的未烧结陶瓷片的同一位置上的未烧结陶瓷片的厚度与载体薄膜的厚度相加的膜厚值的膜厚测定器、以及 对利用各膜厚测定器测定的膜厚值进行相关运算，计算出未烧结陶瓷片的厚度的运算处理手段。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井關裕，淺川滋伸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]