本发明公开了一种ＳＯＩ（绝缘膜上硅）晶片的制造方法，工艺（１００）：备好具有设计厚度的硅晶片（ＳＷ）；工艺（１１０）：在硅晶片（ＳＷ）表面上利用ＡＬＥ工艺或ＡＬＣＶＤ，ＡＬＤ，ＡＳＣＶＤ，ＡＬＶＣＤ等的工艺形成绝缘层；工艺（１２０）：把...