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珠海庞纳微半导体科技有限公司专利技术
珠海庞纳微半导体科技有限公司共有7项专利
一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件技术
本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法及基于氮化铝薄膜的器件。所述制备方法包括:提供氮化铝基底,所述氮化铝基底包括层叠设置的衬底及具有第一温度的氮化铝层;在所述氮化铝层背离所述衬底的表面设置保护层,所述保护层包括凹陷区及环绕所述凹陷区外周设...
外延结构制造技术
本申请提供外延结构。其中,所述外延结构包括衬底、以及依次层叠设置于所述衬底一侧的缓冲层与外延层,所述缓冲层的材料为P
外延片制造技术
本申请提供外延片。外延片包括衬底、缓冲层、掩膜层、及外延层。缓冲层设有第二通孔。掩膜层具有多个与第二通孔连通的第一通孔。当外延层位于第二通孔内时,外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向;当外延层位于第一通孔内时,外延层的生长方向平...
外延结构及其制备方法技术
本申请提供外延结构及其制备方法。其中,外延结构的制备方法包括:提供衬底。形成位于衬底一侧的缓冲层。形成位于缓冲层背离衬底的一侧的外延层。本申请通过在制备缓冲层和/或外延层的过程中,掺入镁元素和/或锑元素,促进晶体横向生长,减少缓冲层和/...
外延结构及其制备方法技术
本申请提供外延结构及其制备方法。外延结构的制备方法包括形成缓冲层、掩膜层、及位于第一通孔与第二通孔内、及位于掩膜层背离衬底一侧的外延层。其中,当外延层位于第二通孔内时,外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向,即横向外延。当外延层位...
波导光放大器制造技术
本申请提供了波导光放大器,包括增益波导组件与泵浦波导。增益波导组件包括弯折连接的第一增益波导与第二增益波导,至少部分第一增益波导靠近至少部分第二增益波导,以使信号在第一增益波导内的传输方向与在第二增益波导内的传输方向相反。泵浦波导包覆至...
波导光放大器制造技术
本申请提供了波导光放大器,包括增益波导组件与泵浦波导。增益波导组件包括弯折连接的第一增益波导与第二增益波导,至少部分第一增益波导靠近至少部分第二增益波导,以使信号在第一增益波导内的传输方向与在第二增益波导内的传输方向相反。泵浦波导包覆至...
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