外延结构及其制备方法技术

本申请提供外延结构及其制备方法。外延结构的制备方法包括形成缓冲层、掩膜层、及位于第一通孔与第二通孔内、及位于掩膜层背离衬底一侧的外延层。其中，当外延层位于第二通孔内时，外延层的生长方向垂直于衬底与缓冲层的排列方向，即横向外延。当外延层位于第一通孔内时，外延层的生长方向平行于衬底与缓冲层的排列方向，即纵向外延。当外延层位于掩膜层背离衬底一侧时，外延层在平行及垂直于衬底与缓冲层的两个排列方向同时生长。本申请通过设置具有第一通孔的掩膜层，及在缓冲层设置连通第一通孔的第二通孔，通过使外延层进行横/纵/横外延，降低了外延层的晶体缺陷密度，提高外延层的晶体质量。的晶体质量。的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
外延结构及其制备方法


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及外延结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体领域，外延结构的晶体质量往往是影响器件性能和可靠性的关键指标之一。但是，目前掩膜法对晶体质量提升效果较为有限，未被掩膜层覆盖部分的晶体缺陷能够随外延层纵向延伸，直至外延层顶部。所以未被掩膜层覆盖部分的晶体缺陷较多，导致外延层的晶体缺陷密度较高，晶体质量较低。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请第一方面提供了一种外延结构的制备方法，所述制备方法包括：
[0004]提供衬底；
[0005]形成位于所述衬底一侧的缓冲层；
[0006]外延形成位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的掩膜层，且所述掩膜层具有多个在外延过程中形成的第一通孔，使所述缓冲层露出；
[0007]形成贯穿于所述缓冲层的多个第二通孔，并使所述衬底露出，且所述第二通孔连通所述第一通孔；
[0008]外延形成位于所述第一通孔与所述第二通孔内、及位于所述掩膜层背离衬底一侧的外延层；
[0009]当所述外延层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；形成位于所述衬底一侧的缓冲层；外延形成位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的掩膜层，且所述掩膜层具有多个在外延过程中形成的第一通孔，使所述缓冲层露出；形成贯穿于所述缓冲层的多个第二通孔，并使所述衬底露出，且所述第二通孔连通所述第一通孔；外延形成位于所述第一通孔与所述第二通孔内、及位于所述掩膜层背离衬底一侧的外延层；当所述外延层位于所述第二通孔内时，所述外延层的生长方向垂直于所述衬底与所述缓冲层的排列方向；当所述外延层位于所述第一通孔内时，所述外延层的生长方向平行于所述衬底与所述缓冲层的排列方向；当所述外延层位于所述掩膜层背离所述衬底一侧时，所述外延层在平行及垂直于所述衬底与所述缓冲层的排列方向同时生长。2.如权利要求1所述外延结构的制备方法，其特征在于，所述外延形成位于所述第一通孔与所述第二通孔内、及位于所述掩膜层背离衬底一侧的外延层的步骤，包括：位于所述第二通孔内的所述外延层从所述第二通孔靠近所述第一通孔的侧壁沿垂直于所述衬底与所述缓冲层的排列方向进行外延生长，直至合拢。3.如权利要求2所述外延结构的制备方法，其特征在于，位于所述第二通孔内的所述外延层与所述第二通孔的底壁具有间隙。4.如权利要求2所述外延结构的制备方法，其特征在于，所述外延形成位于所述第一通孔与所述第二通孔内、及位于所述掩膜层背离衬底一侧的外延层的步骤，包括：位于所述第一通孔内的所述外延层从位于所述第二通孔内的所述外延层的顶面沿平行于所述衬底与所述缓冲层的排列方向进行外延生长。5.如权利要求1所述外延结构的制备方法，其特征在于，所述外延形成位于所述第一通孔与所述第二通孔内、及位于所述掩膜层背离衬底一侧的外延层的步骤之后，还包括：外延形成位于所述外延层背离所述衬底一侧的器件功能层；其中，所述器件功能层包括至少一个沿所述衬底与所述缓冲层的排列方向层叠设置的外延层。6.如权利要求1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢琨，杨波，解光侠，
申请(专利权)人：珠海庞纳微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：