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珠海越芯半导体有限公司专利技术
珠海越芯半导体有限公司共有4项专利
具有空腔结构的芯片封装方法及结构技术
本发明公开了一种具有空腔结构的芯片封装方法及封装结构,涉及封装结构技术领域。该方法包括:提供承载板;在承载板的表面形成牺牲块;在牺牲块的表面形成第一线路层;在第一线路层的表面形成导通柱;在承载板的表面压合介质层;在介质层的表面形成第二线...
局部线路加厚封装方法及结构、电子设备、存储介质技术
本发明公开了一种局部线路加厚封装方法及结构、电子设备、存储介质,涉及封装结构技术领域。该方法包括:获取主基板;主基板的表面设置有第一线路;在主基板的表面,制作阻焊层,并对阻焊层进行开窗,将第一线路需要加厚的区域暴露出来;在需要加厚的区域...
侧边外露的内埋线路封装基板及其制作方法技术
本公开提供一种侧边外露的内埋线路封装基板及其制作方法。具体地,所述封装基板包括:介质层;第一线路层和内埋在所述介质层中的第一线路层;其中,所述第一线路层的外表面不高于所述介质层的表面,所述第一线路层包括焊盘,所述焊盘具有凹槽,以增加所述...
一种实现芯片互连封装结构及其制作方法技术
本申请公开了一种实现芯片互连封装结构及其制作方法,其中实现芯片互连封装结构包括核心层、连接桥层、第一介质层、第二介质层、第一焊盘层以及第二焊盘层;第一介质层设置于所述核心层的第一表面;第二介质层设置于核心层与第一表面相对的第二表面;第一...
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