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中兴通讯股份有限公司专利技术
中兴通讯股份有限公司共有65577项专利
一种超薄QWERTY全键盘及其制造方法技术
本发明公开了一种超薄QWERTY全键盘的制造方法,包括如下步骤:步骤一、在紫外线光照条件下由UV硬化型粘合剂在第一塑料平板上通过热压工艺固化成型UV键帽层;步骤二、由钢片、第二塑料平板和硅胶通过油压工艺直接成型Rubber层;步骤三、将...
电缆制造技术
本实用新型提供一种电缆(100),其包括:绞线(110),每个绞线由一对铜导线绞合形成,铜导线包括铜芯(101)及其包覆于铜芯(101)之外的绝缘层(102);护套(106),包覆于绞线(110)之外,电缆内部进一步设置有光纤(104)...
减径通信电缆及采用该减径通信电缆的通信设备制造技术
本实用新型公开了一种减径通信电缆(1),其特征在于,包括:芯线(13),其包括铜芯(15)及绝缘层(12),该铜芯(15)的直径小于标准通信电缆的铜芯直径,绝缘层(12)由HD-PE材料制成,用于包覆铜芯(15);以及护套(11),包覆...
一种电子磁盘的测试方法技术
本发明公开了一种电子磁盘的测试方法,具体包括如下步骤,先对电子磁盘初始化,使电子磁盘挂入处理器系统,然后对电子磁盘进行寄存器测试;再对电子磁盘进行格式化,为读写数据做准备;初始化特定的测试数据;然后进行电子磁盘数据线测试;再进行电子磁盘...
一种提高flash使用寿命的方法技术
本发明通过将待写入数据比特Bi转换为n比特数据{T<i,j>},更新flash中比特串数据{T<i,j>}合适的值为1的比特为0,映射后得到待写入的Bi值,从而无需进行擦除操作而直接写入flash,既避免flash在编程方面的限制,提高...
一种有效利用现场可编程门阵列中的存储器的方法技术
本发明的方法包括下列步骤:1)在现场可编程门阵列中设置一个控制器,由现场选取可编程门阵列中的存储器,并将存储块分成若干个存储空间,同时对存储空间进行定义,使每一个存储空间存储一个定时器的相关变量;2)由控制器对每一个存储空间的相关变量赋...
一种快闪存储设备的驱动方法技术
一种快闪存储设备的驱动方法,包括以下步骤: (a)对当前需要写入的数据按照FLASH块的大小进行块的界定; (b)将FLASH设备对应块中的数据读出并保存; (c)对相应位置上的所述保存数据和需要写入的数据进行比较,分...
嵌入式系统闪存芯片驱动方法技术方案
一种嵌入式系统闪存芯片驱动方法,其特征在于,包括以下步骤: 第一步:定义闪存芯片的驱动接口; 第二步:将闪存芯片的驱动程序和驱动接口存储在特定的存储空间; 第三步:指定应用部分对闪存芯片操作的方式。
一种闪存存储器的检测方法技术
本发明公开了一种闪存存储器的检测方法,针对电子线路开路的不确定性和短路特性,重复检测闪存所有电子线路,以此来检测出闪存的地址线和数据线是否有故障,同时通过对闪存的每个单元进行清“0”和置“1”来判断该闪存芯片本身是否有故障,并根据检测结...
双倍速动态随机存取存储器的读写方法技术
本发明公开了一种计算机领域中的双倍速动态随机存取存储器的读写方法,包括以下步骤:双倍速动态随机存取存储器进入正常工作模式后,一直判断是否存在需要写入或者读出的数据,需要写入双倍速动态随机存取存储器的数据预先存在一个先入先出缓存器中,在对...
一种实现单片机闪存动态更新的方法技术
一种实现单片机闪存动态更新的方法,将下载启动模块,状态切换模块,状态控制模块,Flash操作模块,程序获取模块,数据接收模块分别封装到单片机的源Flash区;由下载启动模块启动下载模式并通知状态切换模块;状态切换模块根据收到的下载指令来...
一种内存性能的生产测试方法技术
本发明公开了一种内存性能的生产测试方法,其包括以下步骤:至少包括下列任意一种性能测试方法:测试内存在带CACHE大面积写入后读取的稳定性;测试内存在带CACHE随机地址大跨度跳跃读写时的稳定性。本发明方法所采用的测试方法与业界常用的内存...
一种存储器控制器自动化测试方法及装置制造方法及图纸
本发明公开了一种存储器控制器自动化测试方法及装置,包括步骤,首先对存储器建模,为各种类型的存储器分配编号,整理各存储器的参数;然后通过查询当前支持的存储器的类型及编号,选择存储器的类型以及存储器的参数,并通过配置交换总线,以及对当前交换...
一种基于双口RAM实现数据速率转换的装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种基于双口RAM实现数据速率转换的装置和方法,所述装置包括:双口RAM、读指针控制器、写指针控制器、读写指针冲突检测器、数据填充模块、数据筛选模块;双口RAM用来实现数据的暂存以及数据的速率和位宽的转换;写指针控制器主要负...
同步动态存储器的读写方法和读写装置制造方法及图纸
本发明提供了一种同步动态存储器的读写方法,其包括:步骤S102,缓存发送到同步动态存储器中的当前读写访问的请求和读写访问的地址;以及步骤S104,判断上一读写访问请求的状态,根据当前读写访问和判断结果进行相应的读写处理。并且,提供了一种...
加快上拉速度的预充电电路和预充电方法技术
本发明提供了一种加快上拉速度的预充电电路,其包括第一PMOS管,该预充电电路还包括:第二PMOS管,与第一PMOS管并联连接;以及脉冲产生电路,用于向第二PMOS管的栅极提供脉冲。还提供了一种加快上拉速度的预充电方法。从而,提高了预充电...
一种闪存存储器子卡测试方法技术
本发明公开了一种闪存(FLASH)存储器子卡测试装置及方法,该装置包括:直流(DC)电源、电源监控芯片、单片机、时钟晶振、译码器、驱动器、移位寄存器及状态指示灯电路;该方法包括:插好待测的FLASH存储器子卡,打开DC电源,由电源监控芯...
一种有多个可独立操作存储空间的FLASH存储器芯片制造技术
本发明公开了一种有多个可独立操作存储空间的FLASH存储器芯片,由处理器、存储空间和数据线组成,其特征在于,所述芯片的存储空间划分为多个区域,并且与每个区域连接的数据线中的控制线是分别独立与处理器连接,进行独立操作。本发明解决了实现启动...
闪存设备的数据处理方法技术
本发明提供了一种闪存设备数据处理方法,包括以下步骤:步骤S102,在初始化时,对闪存设备进行扫描,在主机内建立由具有相同逻辑块号的物理块组成的队列构成的逻辑块队列组、由具有用于写入数据的空数据空间的物理块构成的备用空物理块队列;以及步骤...
芯片数据的读写方法和装置制造方法及图纸
本发明公开了一种芯片数据的读写方法和装置,其中,该方法包括:根据给定延迟时间设置读写周期;在读写周期内设置进行读取的起始时间点和结束时间点、以及进行写入的起始时间点和结束时间点;根据设置的进行读取的起始时间点和结束时间点、以及进行写入的...
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