本发明公开了一种用于异质外延生长的硅衬底的制作方法、硅衬底及异质外延器件的制备方法。通过在光刻胶层上形成所需倾斜角度的斜面的第一槽结构，再以该光刻胶层为掩膜层，沿第一槽结构的斜面对硅衬底进行倾斜刻蚀，暴露出硅衬底的{111}晶面。具有精...

本发明公开了一种光子晶体结构的制作方法及光子晶体结构，制作方法包括提供基底，在基底表面形成含Al元素的第一外延层；在含Al元素的第一外延层表面形成第二外延层；在第二外延层和含Al元素的第一外延层上形成周期性分布的孔结构，孔结构至少深入含...

本发明公开了一种光学结构的制作方法，所述方法通过对外延叠层结构进行微区定向处理，对距离表面一定距离的外延层进行离子注入，形成周期性的离子富集区，结合快速退火工艺，注入离子富集区与原外延层化合形成新的半导体材料，新的半导体材料相比原外延层...

本申请公开了一种大失配铟镓砷功能层的生长方法，包括在InP衬底表面恒温生长InP缓冲层；在InP缓冲层表面生长得到InAlAsP缓冲层结构，生长过程温度保持不变且间歇式线性减少Al组份含量，以使InAlAsP缓冲层结构包括交替层叠的张应...

本申请公开了一种硅衬底III‑V面阵器件及其制备方法，制备方法包括在硅(001)衬底上沉积氧化层；在氧化层表面形成掩膜层，掩膜层包括方形开孔；对氧化层表面进行刻蚀，得到第一刻蚀孔；去除掩膜层；以氧化层为掩膜，对第二孔段的孔侧壁和孔底进行...

本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：

本申请公开了一种可自动添加液氮的低温测试装置，包括恒温样品池，侧壁下部设有进液孔，上部设有溢流孔，池底设有样品放置区；液氮罐设有回流口；回流管一端与回流口连接，另一端与溢流孔连接；液氮泵布置在恒温样品池与液氮罐之间，进口与液氮罐内部连通...

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，激光器包括：GaAs衬底；第一DBR层，形成于GaAs衬底上；氧化层，形成于第一DBR层上；晶格渐变层，形成于氧化层上；包覆层，形成于晶格渐变层上，包覆层包括堆叠设置的第一包覆层和第二包覆...

本发明公开了一种MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法和装置，该方法包括：在真空条件下，采用激光对石墨盘的表面进行热解碳处理，激光频率为0.5

本发明公开了一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其在铟镓砷或磷化铟外延层生长过程中分步进行P型掺杂和N型掺杂，本发明的掺杂方法可以有效抑制锌掺杂的扩散效应同时由于掺杂所用温度较高，可以获得较高的材料质量，工艺难度低、成本低。成本...

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括第一周期性层叠镜面结构；p型接触层，形成于所述第一周期性层叠镜面结构上；发光层，形成于所述p型接触层上；第二周期性层叠镜面结构，形成于所述发光层上；以及n型接触层，形...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括激光发射结构以及光探测器。激光发射结构包括发射激光束的有源区以及位于有源区上侧第一类型反射器层和位于有源区下侧的第二类型反射器层；光探测器设置于所述激光发射结构上并探测从所述有源区朝...