大失配铟镓砷功能层的生长方法技术

本申请公开了一种大失配铟镓砷功能层的生长方法，包括在InP衬底表面恒温生长InP缓冲层；在InP缓冲层表面生长得到InAlAsP缓冲层结构，生长过程温度保持不变且间歇式线性减少Al组份含量，以使InAlAsP缓冲层结构包括交替层叠的张应力缓冲层和压应力缓冲层，位于InAlAsP缓冲层结构背离InP衬底一端的张应力缓冲层或压应力缓冲层与大失配铟镓砷功能层晶格匹配；在InAlAsP缓冲层结构表面生长大失配铟镓砷功能层。本申请的在InP缓冲层表面生长得到InAlAsP材质的缓冲层结构，InAlAsP缓冲层结构包括交替层叠的张应力缓冲层和压应力缓冲层，有效控制缓冲层缺陷，保证大失配铟镓砷功能层的材料性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体材料生长，具体涉及一种大失配铟镓砷功能层的生长方法。

技术介绍

1、在波长为1.7μm甚至2μm以上的红外探测器研制中，常使用inxga1-xas作为主要材料。in0.53ga0.47as组分可以很好的匹配inp衬底，相应的发光波长为1.65μm，要实现更长波长就必须提高inxga1-xas材料中的in组分摩尔分数。如果红外探测器的波长要达到2μm或者更长时，铟组分的摩尔分数需要达到70％或者更高，由于高铟组分inxga1-xas相较于衬底存在较大失配，在生长过程中需要加入缓冲层来减少铟镓砷功能层的材料缺陷，以保证材料以及器件性能。

2、现有技术中一般采用高低温缓冲层生长法和逐渐扩大失配缓冲层生长法。其中，高低温缓冲层生长法在生长低温缓冲层时由于材料低温裂解效率以及预反应问题，难以控制生长材料，获得质量较好的铟镓砷材料以及铟镓砷与铟磷衬底界面的难度较高。逐渐扩大失配缓冲层生长法的生长过程中将逐渐产生的缺陷控制在较好的水平以避免影响最终的材料性能的难度也较大，易导致缺陷过多的问题。

3、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大失配铟镓砷功能层的生长方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述在所述InP缓冲层表面生长得到InAlAsP缓冲层结构，生长过程温度保持不变且间歇式线性减少Al组份含量的步骤具体为：

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第一张应力缓冲层相对于所述InP衬底的失配度为100～200s。

4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第一压应力缓冲层与所述InP衬底晶格匹配。

5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述InAlAsP缓冲层结构中各所述张应力缓冲层的厚度为100...

【技术特征摘要】

1.一种大失配铟镓砷功能层的生长方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述在所述inp缓冲层表面生长得到inalasp缓冲层结构，生长过程温度保持不变且间歇式线性减少al组份含量的步骤具体为：

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第一张应力缓冲层相对于所述inp衬底的失配度为100～200s。

4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第一压应力缓冲层与所述inp衬底晶格匹配。

5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述inalasp缓冲层结构中各所述张应力缓冲层的厚度为100～300nm，各所述压应力缓冲层的厚度为100～300nm。

6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述inalasp...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵迎春，李付锦，熊敏，
申请(专利权)人：中科纳米张家港化合物半导体研究所，
类型：发明
国别省市：