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本申请公开了一种大失配铟镓砷功能层的生长方法，包括在InP衬底表面恒温生长InP缓冲层；在InP缓冲层表面生长得到InAlAsP缓冲层结构，生长过程温度保持不变且间歇式线性减少Al组份含量，以使InAlAsP缓冲层结构包括交替层叠的张应力缓...
该专利属于中科纳米张家港化合物半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中科纳米张家港化合物半导体研究所授权不得商用。

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