本发明的实施例提供一种回转煅烧炉密封件的磨损实验方法。其中，回转煅烧炉包括炉体和密封件，密封件密封地套设于炉体的两端使炉体密封，炉体相对于密封件可旋转。磨损实验方法包括：启动回转煅烧炉，控制炉体持续旋转；将炉体内的压力调整为负压状态；向...

本发明的实施例提供一种反应堆燃料组件，反应堆燃料组件能够锁紧在反应堆内的堆芯支撑部，反应堆燃料组件包括：反应堆燃料组件本体、锁紧部、止挡部和锁紧装置；锁紧部与反应堆燃料组件本体通过止挡部固定连接；其中，堆芯支撑部开设有通孔，当反应堆燃料...

本申请提出一种燃料芯块的制备方法，包括：将纳米级TaC粉末、纳米级NbC粉末、纳米级UC粉末、硬脂酸锌和铀粉混合后进行球磨处理，得到UC

本发明涉及一种具有新型读出方式的微网结构气体探测器。本发明通过在柔性连接器正下方固定连接读出电极，并将读出电极的引信号引出部分在读出电极的第一面上设置为由第一接触点构成的第一点式阵列，在所述柔性连接板的第一面上、与所述第一点式阵列相对应...

本发明涉及一种利用特征X射线鉴别重离子种类的实验方法，属于重离子种类鉴别技术领域，该方法包括以下步骤：S1、根据待鉴别的重离子种类，选择合适的碰撞靶材；S2、根据待鉴别的重离子和靶材产生的Kα

本申请实施例公开了一种中子注量响应的确定方法，该方法包括：获取待确定中子注量响应的中子能谱，基于中子能谱确定中子的平均径迹长度，获取平均径迹长度对应中子的目标能量范围；获取中子和同位素对应的目标截面数据；确定目标能量范围中的最大能量值和...

本申请涉及中子探测技术领域，提供了一种中子探测器和中子探测方法，中子探测器包括多个慢化单元和热中子敏感层，待测物质的待测中子能够被慢化单元慢化产生热中子；热中子敏感层设置在慢化单元的外侧，热中子被热中子敏感层俘获生成级联伽马射线，伽马辐...

本发明公开了一种同时测定硝酸、N,N

本发明的实施例提供一种集液系统，其设置于放射性废液处理系统，用于收集放射性废液处理系统流出的液体，其包括：支撑结构、铅屏蔽层、不锈钢覆面层以及外部面板层，铅屏蔽层固定于支撑结构的内侧，不锈钢覆面层固定于铅屏蔽层，外部面板层固定于支撑结构...

本发明涉及一种封闭式ICP

本申请涉及化学镀膜技术领域，提供一种化学镀膜设备，化学镀膜设备包括反应容器和搅拌装置，反应容器包括反应腔，搅拌装置包括第一搅拌器、第二搅拌器和沿上下方向延伸的搅拌轴，搅拌轴的至少部分、第一搅拌器和第二搅拌器均位于反应腔中，第一搅拌器和第...

本申请公开了一种再沸器的加热状态控制方法、装置、设备及介质，所述再沸器的罐体部位设置有N个加热器；N为大于或等于2的整数；所述方法包括；获取所述再沸器的罐体目标加热功率；通过比例

本发明属于粒子束流控制技术领域，具体涉及一种用于快速调节束流尺度的装置，包括光阑底座(1)和光阑顶盖(7)构成的壳体，壳体上设有能够通过粒子束流的束流出口，在壳体内设有旋转驱动盘(6)、垂直活动挡板(3)和水平活动挡板(5)，通过旋转驱...

本申请实施例提供一种熔盐净化装置和熔盐净化方法。熔盐净化装置包括：容器，其限定形成容纳腔，容器还限定形成用于供熔盐进入容纳腔的进液口和用于供熔盐流出容纳腔的出液口；阴极管和至少一个阳极管，设置于容纳腔内，用于使熔盐发生电解反应以得到净化...

本申请涉及β参考辐射场领域，提供一种β参考辐射场中污染光子的测算系统及测算方法，测算系统包括能谱仪、准直器、β射线吸收件、光子吸收件和处理设备，能谱仪包括探测器和与探测器连接的测量器，准直器形成有通孔，放射源发出的β射线和污染光子均能够...

本申请的实施例提供一种池式蒸汽发生器，其包括：内筒体，形成容置空间，容置空间适用于放置反应堆堆芯以及壳程介质，内筒体的上部设置有至少一个壳程介质入口，壳程介质入口适用于通入被反应堆堆芯加热后的壳程介质，内筒体的底部设置有壳程介质出口，其...

本申请的实施例提供一种试验系统和试验方法。试验系统用于试验氢气渗透结构的氢气渗透性能，试验系统包括：壳体，壳体用于容纳氢气渗透结构；抽气装置，设置在壳体外，抽气装置能够与氢气渗透结构连接以抽取氢气渗透结构内的气体；真空计，设置在壳体外，...

本发明公开了一种质量流量控制器的控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中，该方法包括：确定第一电磁阀的的开关启动时长是否达到设定时长，第一电磁阀用于连通质量流量控制器与第一工艺单元；质量流量控制器连接至少两个电磁阀，每个电磁阀连接一个工...

本申请的实施例提供了一种用于辐射器的集流管道。集流管道包括：冷却管道，用于为待冷却流体提供流动通道；多个热管接口，沿冷却管道的延伸方向均匀设置于冷却管道上，热管接口用于将辐射器中的热管插入冷却管道内。简化了集流管道的结构，便于热管的插接...

本申请的实施例提供一种单晶硅中子辐照方法，包括：将满足预设长度的待辐照单晶硅置入反应堆的辐照孔道内，并使上述待辐照单晶硅的轴向方向与上述辐照孔道内的中子辐照方向相同；将上述待辐照单晶硅中垂直于上述待辐照单晶硅的轴向方向的第一表面作为受辐...