本发明涉及一种半导体器件终端结构设计方法，包括以下步骤：准备半导体器件，包括有源区、终端区域及漂移区；保持半导体器件环间距及环个数不变，增大所述场限环的环宽度；区分全耗尽区域和部分耗尽区域，在部分耗尽区域末环上方设置场板结构；增大部分耗...

本发明涉及一种用于样本监测的液滴采样装置，包括前端安装油蠕动泵头的蠕动泵泵机，所述蠕动泵头包括挤压支架及转轮组，所述挤压支架包括并排布置的三个挤压轮架，所述转轮组中转轮交错布置，所述挤压轮架与转轮组间分别穿有水相导管一、水相导管二及油相...

本发明涉及一种卫星通信系统中的终端寻呼方法，包括：接入NGSO卫星系统的连接态终端向NGSO卫星系统报告其接入GSO卫星系统的能力、以及在空闲态下驻留在GSO卫星小区的偏好；NGSO卫星系统指示终端在进入空闲态后驻留在由GSO卫星服务的...

本发明涉及一种BiSe自选通材料及自选通器件，所述自选通材料的化学通式为BixSey，其中0.1≤x≤0.2，0.8≤y≤0.9，x+y＝1。本发明基于BiSe自选通材料制备的自选通器件兼具低毒性、高性能和工艺兼容性，且降低了器件堆叠高...

本发明提供一种平板电容传感驱动单片集成的MEMS双轴扫描镜，平板电容静电驱动器中固定驱动电极组与可动驱动电极的垂直距离从在第三方向的第三中心轴向外围递增；传感器的扫描角度信号闭环反馈控制驱动器的驱动信号。本发明设置固定驱动电极与可动驱动...

本发明提供一种光电共封装结构及其封装方法，通过在转接板晶圆上设置通槽，使微电子制备工艺与光电子制备工艺解耦，允许转接板芯片、光芯片及电芯片独立制备，降低封装工艺复杂度，提高封装结构可靠性；光芯片的光耦合口和电耦合口可被高密度集成到光芯片...

本发明提供一种三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法，通过光芯片与转接板晶圆的C2W键合形成三维堆叠结构，可以允许各光芯片分别加工，之后再键合在转接板晶圆上，降低封装工艺复杂度，提高封装可靠性；另外，每层光芯片焊盘区的焊盘均会与电互连区的...

本发明提供一种基于RuO2.xH2O/GP的复合材料及其制备方法和用途。所述复合材料的原料组分包括：二氧化钌水合物、石墨粉和环氧树脂胶；其中二氧化钌水合物与石墨粉的质量比为(2～3.5)：1；以石墨粉的质量为基准计，所述环氧树脂胶的用量...

本发明提供一种量子点薄膜的异质集成方法及结构，通过引入水溶性PVA薄膜作为中间转移介质，结合PDMS图章的弹性支撑与可控剥离，在低温、无键合条件下实现图形化量子点薄膜从原生半导体基底向异质目标平台的完整、无损、大面积转印，从而解决了传统...

本发明涉及一种基于非易失相变与载流子吸收协同调控的电控光衰减器，包括：主波导结构；多段衰减单元，沿所述主波导结构中光信号的传播方向依次排列设置在所述主波导结构上，多段相变衰减单元用于实现对光信号的离散粗调控制，而微调单元利用载流子吸收效...

本发明提供一种原位生长HKUST‑1固定相的微色谱柱制备方法及其应用，通过对微色谱柱主体结构的羟基化、氨基化、醛基化、羧基化处理后，在通入含铜离子与均苯三甲酸的混合溶液后，可在硅表面原位生长HKUST‑1固定相，以在微色谱柱主体结构内形...

本发明涉及一种用于实时加电性能测试的限制型半导体器件及其制备方法，包括支撑底座、底电极、半导体材料层、顶电极和介质层，所述底电极位于所述支撑底座上方；所述半导体材料层位于所述底电极上方；所述顶电极位于所述半导体材料层上方；在所述底电极、...

本发明提供了一种二维原子层的纳米图案化方法，在导电针尖和衬底之间施加交流电信号，通过水分子凝结在导电针尖和衬底表面的二维原子层之间形成的水桥，导电针尖在与二维原子层非接触情况下诱导氧化还原反应，将二维原子层直接氧化成气态产物或水溶性氧化...

本发明涉及一种基于蚕丝蛋白的可主动触发降解的电子器件及其制备方法，由上到下包括控制触发部件、微流控储运结构和可降解蛋白电极；所述微流控储运结构包括上层结构和下层结构；所述上层结构为微流控储运腔体，所述下层结构为微流控通道；在所述控制触发...

本发明提供一种MEMS谐振器结构及其制备方法，将谐振器穿通锚点与谐振子图形通过一次光刻工艺形成，避免了因多次光刻所引入的套准偏差，确保了谐振器穿通锚点能够精确位于谐振器理论不动节点处，提高了谐振器的一致性，使器件的品质因数更易于接近理论...

本发明属于芯片封装技术领域，包括一种光电共封结构及制作方法，将电芯片和光芯片直接互连接触，然后光芯片通过凸点焊球直接与封装基板互连接触，无需使用硅转接板，降低了转接板带来的封装难度，并且光芯片‑电芯片‑封装基板直接互连获得更小的互连损耗...

本发明涉及一种波束成形系统，包括依次连接的调制器、功率分配网络和多路信号延时通道，所述调制器用于将微波信号加载到光信号，所述功率分配网络用于将调制后的光信号分配到各路所述信号延时通道，所述信号延时通道用于将分配的光信号进行延时后转化为微...

本发明涉及一种基于石墨烯的多量值量子电阻器件的制备方法，包括如下步骤：在碳化硅/石墨烯基底上沉积多个金属电极；在所述金属电极表面以及多个金属电极之间沉积沟道保护金属；刻蚀沉积有沟道保护金属之外区域的石墨烯；在所述沟道保护金属表面及周围沉...

本发明提供了一种介电层的纳米图案化方法，在导电针尖和覆盖有介电层的半导体衬底之间施加交流电信号，导电针尖以非接触方式在介电层的上方按照预定图案扫描，利用针尖和衬底之间形成的局域场效应，使得介电层产生缺陷，形成易于被腐蚀液腐蚀的改性区域，...

本发明提供一种单片集成的混合压电结构及其单片集成方法，该单片集成的混合压电结构包括目标衬底和位于所述目标衬底上的多个压电结构，其中，所述压电结构包括至少一个压电薄膜单元，所述压电薄膜单元采用单晶压电材料，多个所述压电结构中，至少有两个所...