中国科学院宁波材料技术与工程研究所专利技术

中国科学院宁波材料技术与工程研究所共有7005项专利

  • 本申请公开了一种透明导电屏蔽材料及其制备方法。所述制备方法包括:S1、首先在透明材料基体的表面镀牺牲镀层;S2、采用激光结合振镜扫描同位置反复加工的方式在透明材料基体上刻蚀出网格状凹槽;S3、再将所述透明材料基体的表面镀制导电膜层;S4...
  • 本发明提供了一种可双轴拉伸自旋阀传感器的制备方法,包括以下步骤:S1:制备固化PDMS衬底;S2:在所述柔性衬底上覆盖带有正方形孔状阵列的金属掩模版;S3:在柔性衬底上沉积自旋阀薄膜;S4:更换电极掩模版,利用磁控溅射沉积一层铂至所述柔...
  • 本发明公开了一种类硅藻土结构的软碳材料的制备方法,具体包括如下步骤:S1、将硅藻土放入到有机溶剂中溶解后加入沥青,搅拌混合后进行水浴蒸干处理得到软碳材料前驱体;S2、在惰性气体保护下,将软碳材料前驱体先进行预氧化处理然后进行退火处理得到...
  • 本申请公开了一种软磁粉末复合物及制备方法和复合磁粉芯材料及制备方法,所述软磁粉末复合物具有核壳结构;所述核为软磁粉末;所述壳为绝缘包覆层;所述绝缘包覆层的材料由植酸和硅烷的混合溶液同软磁粉末反应获得;所述软磁粉末选自含Fe、Co、Ni基...
  • 本发明提供一种基于酚基改性脂肪族结构的聚合物及其制备方法和应用。所述制备方法包括:使酚类化合物、磺化剂和甲醛进行缩聚反应,获得具有酚基改性脂肪族结构的第一化合物;使所述第一化合物与酰化剂进行酰化反应,得到第二化合物;使所述第二化合物与甲...
  • 本发明涉及医疗器械技术领域,具体提供了一种可叠加快拆装置及手术导航系统,其可叠加快拆装置用于连接手术导航系统的相邻的两个级联管,所述可叠加快拆装置包括:连接杆、对接杆和弹性件,所述连接杆设置在一个所述级联管一端,所述对接杆设置在另一个所...
  • 本发明公开了一种热塑性预浸料片材切边和表面缺陷检测及贴标装置,包括依次设置的放卷装置、防皱张力调控装置、切边装置、张力调节装置、清洗除尘装置、检测装置、缺陷贴标装置和牵引收卷装置。本发明实现了热塑性预浸料片材自动放卷、自动切边、自动张力...
  • 本申请公开了一种软磁高熵合金以及由其所制软磁复合材料和制备方法。该软磁高熵合金的组成满足通式Al
  • 本发明属于磁性材料制备技术领域,涉及一种稀土永磁材料的制备方法。所述制备方法包括一次或一次以上深冷处理和回火处理。当所述制备方法包括一次深冷处理和回火处理时,深冷处理发生在烧结处理和回火处理之间,或者发生在回火处理后;当所述制备方法包括...
  • 本申请公开了一种耐高温聚合物发泡材料的制备方法及其应用。该制备方法包括如下步骤:S1、将耐高温聚合物进行干燥后,和成核剂共混,经双螺杆熔融共混后挤出冷却,再经切粒机切成聚合物颗粒;S2、将聚合物颗粒浸渍于有机溶剂中,进行溶胀,得到中间物...
  • 本发明揭示了一种提高SrFe
  • 本发明提供了一种用于制备微米纤维素纤维的富含氨基的固体碱及其制备方法和应用,所述富含氨基的固体碱通过采用富含氨基的前驱体材料经高温碳化进行脱氨缩合反应后,得到所述富含氨基的固体碱,所述富含氨基的前驱体材料为至少含有两个
  • 本发明涉及医疗器械技术领域,具体提供了一种连接装置及手术导航系统,其连接装置用于连接手术导航系统的相邻的两个级联管,所述连接装置包括:连接管、对接管、套管和定位珠,所述连接管和所述对接管用于分别设置于所述级联管的两端;其中一个所述级联管...
  • 本发明公开了一种自偏置自旋阀器件,属于磁电材料领域,本发明提供的自偏置自旋阀器件包括基件和衬底,所述基件包括覆盖层、第一钉扎层、第一被钉扎层、第一隔离层、自由层、第二隔离层、第二被钉扎层、第二钉扎层、缓冲层。本发明提供的自偏置自旋阀器件...
  • 本实用新型公开了一种对冲式气体掺混器。所述对冲式气体掺混器包括气体掺混器主体,所述气体掺混器主体包括外壳以及由所述外壳围合形成的掺混室,所述外壳上设置有与所述掺混室相连通的出气结构以及多个进气结构;多个所述进气结构环绕所述掺混室分布,所...
  • 本发明提供一种钙钛矿半透明电池及其制备方法,钙钛矿半透明电池包括层叠设置的透明顶电极和溅射缓冲层,所述透明顶电极的材质为透明导电氧化物薄膜,所述溅射缓冲层的材质为CrO
  • 本发明提供了一种碳材料
  • 本发明公开了一种电催化剂的制备方法及磁场增强生物质电催化氧化反应的方法,电催化剂的制备方法,包括以下步骤:S1、将金属基底浸泡于与空气接触的金属盐溶液中,通过腐蚀作用原位生长得到自支撑前驱体;S2、将自支撑前驱体在惰性气体氛围下进行磷化...
  • 本发明公开了一种纤维增强复合材料的激光
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管,包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、岛状金属诱导层、源电极和漏电极;其中,所述栅电极位于衬底上,所述栅介质层位于栅电极上,所述沟道层表面形成岛状金属诱导层,所述源电极和漏电极位于岛状金属诱导层表面且相隔设置。...