中国科学院宁波材料技术与工程研究所专利技术

中国科学院宁波材料技术与工程研究所共有7055项专利

  • 本申请公开了一种管状开孔材料内表面的修饰与功能化方法,包括以下步骤:(S1)获得管状开孔材料;(S2)通过动力源使得改性试剂流经上述管状开孔材料内部,修饰,得到改性材料。该方法通过外设的动力源,将改性试剂从管状开孔材料的一端打入或抽出,...
  • 本发明公开一种可降解碳纤维增强树脂基复合材料及其制法与应用,所述可降解碳纤维增强树脂基复合材料中的树脂为环氧树脂组合物,所述环氧树脂组合物包括环氧树脂前驱体和胺类固化剂,其特征在于,所述胺类固化剂为生物基可降解固化剂,具有如下结构中任一...
  • 本发明揭示了一种大面积亲水性聚合物刷涂层及其制备方法与应用。所述大面积亲水性聚合物刷涂层的制备方法,包括:提供面积为1
  • 本发明公开了一种深紫外光促降解环氧材料、复合涂层及其制备方法与应用。所述深紫外光促降解环氧材料包括生物基环氧单体和/或生物基环氧固化剂,所述深紫外光促降解环氧材料具有如下式所示的结构:本发明制备的深紫外光促降解环氧树脂固化物不仅具有媲美...
  • 本发明提供了一种正极材料前驱体,所述正极材料前驱体为过渡金属单质或过渡金属合金,所述过渡金属单质选自Ni、Co、Mn中的一种或多种,所述过渡金属合金选自NiCo合金、NiMn合金和NiCoMn合金中的一种或多种。本发明直接以过渡金属(N...
  • 本发明涉及一种热变形钕铁硼磁体及其制备方法。所述热变形钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:提供铁镍合金粉体,所述镍元素在所述铁镍合金粉体中的质量分数大于或等于15%;以及,提供钕铁硼快淬粉,将所述钕铁硼快淬粉与所述铁镍合金粉体混合得到混合...
  • 本发明提供了一种适用于多元合金扩散物的晶界扩散处理方法,涉及多元合金扩散物的附着装置,以及优化匹配的附着、扩散处理工艺,该方法不需将多元合金破碎,仅需将多元合金制备成块材即可实现扩散物附着,避免了多元合金破碎制粉过程带来的氧化等问题,维...
  • 本发明提供了一种用于晶界扩散的多相结构合金,所述多相结构合金具有式(I)所示的通式,R1aR2bM1cM2dM3e(I)。本发明设计的晶界扩散多相结构合金制备高性能钕铁硼磁体的方法,通过扩散源及扩散工艺的优化设计,调控扩散过程中重稀土的...
  • 本发明提供了一种多共振小分子发光材料及有机电致发光二极管,涉及有机发光材料技术领域,所述多共振小分子发光材料的化学结构通式如式(I)所示,其中,Ar1同时与两个咔唑基相连接;Ar1选自于取代或未取代的含N数为0
  • 本发明提供一种非对称浸润性正渗透膜及其制备方法与应用,非对称浸润性正渗透膜包括依次层叠的亲水多孔支撑层和三层疏水亲水复合层,所述疏水亲水复合层包括超疏水纳米管层和亲水纳米线层,所述超疏水纳米管层包含氟化碳纳米管,所述非对称浸润性正渗透膜...
  • 本发明提供了一种硅锡纳米材料及其制备方法和应用。包括硅颗粒和负载于硅颗粒表面的二氧化锡颗粒;硅颗粒包括纳米硅和/或微米硅;硅锡纳米材料的粒径为1~2μm。硅为内核,二氧化锡为包覆层,二氧化锡是良好的导电材料且本身比容量高达782mAh/...
  • 本发明提供了一种钕铁硼磁体中间体,所述钕铁硼磁体中间体由钕铁硼压坯和复合在钕铁硼压坯上的低熔点合金片经扩渗和烧结处理后得到。与现有技术相比,本发明以钕铁硼磁体压坯为起始原料,通过特定的压坯扩渗,可使合金熔化液沿扩渗方向形成浓度梯度,因此...
  • 本发明提供一种超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用,所述超薄氮氧化硅界面材料为SiON薄膜,厚度为1nm
  • 本发明涉及一种基于深度学习的柔性压力传感阵列图的识别方法,该方法通过将传感器贴在机械手上抓取物体,对识别的物体进行分类;利用深度卷积生成对抗网络技术生成柔性压力传感阵列图样本;利用改进的神经网络模型并引入注意力机制的方式对柔性压力传感阵...
  • 本申请公开了一种1,1,1,3
  • 本申请公开了一种择优取向的n型碲化铋烧结材料及其制备方法与应用,所述n型碲化铋烧结材料选自具有式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种。所述择优取向的n型碲化铋烧结材料择优取向明显,且具有良好的电性能和热性能,具有良好的作为热电材料的应用。有...
  • 本发明提供了一种超分子热熔胶。本申请还提供了一种超分子热熔胶的制备方法,包括以下步骤:A)将二醇类齐聚物或二胺类齐聚物溶于溶剂中,在催化剂的作用下,与二异氰酸酯反应,得到初始反应物;B)将2
  • 本发明公开了一种高温合金表面处理方法,其采用的渗铬剂组分为:铬粉为50~60%,氧化铝粉为30~40%,铁粉为5~15%,氯化铵和碘化铵的混合物为1~2%,该方法包括以下步骤:S1、对高温合金进行预处理;S2、将高温合金埋入盛有渗铬剂的...
  • 本发明揭示了一种硫化镉半导体薄膜的界面优化方法及其应用。所述硫化镉半导体薄膜的界面优化方法,包括:将硫化镉半导体薄膜充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中,之后进行热处理,或者,先对所述硫化镉半导体薄膜进行热处理,之后再充分浸润于含亚硫酸根离...
  • 本发明提供了一种无机复合固体电解质材料,由聚合物或其单体、固化剂、陶瓷型电解质和碱金属盐制备得到;本申请还提供了无机复合固体电解质材料的制备方法。本发明由于聚合物或其单体、固化剂的选择,使其为无溶剂固化,能够将无机复合电解质固化成膜,得...