【技术实现步骤摘要】
超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，具体而言，涉及一种超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)太阳能电池是2013年由德国弗兰霍夫所提出的一种新型晶硅太阳能电池，其N型电池的典型结构如图1所示，这种结构的核心是采用超薄氧化硅层和掺杂多晶硅叠层结构钝化硅片表面。隧穿氧化硅钝化接触结构的钝化机理主要来源于两方面：一是界面氧化硅层的化学钝化作用，二是掺杂原子的场钝化作用，因此提升界面氧化硅的完整性有利于提高表面的化学钝化效果。
[0003]现有技术中，TOPCon电池的制备流程如下：清洗制绒—扩散硼发射极—刻蚀—背面制备SiO2—PECVD重掺杂多晶硅—高温退火—前表面氧化铝、Si3N4—丝网印刷。对于隧穿氧化硅钝化接触技术，其电子收集采用n型的磷掺杂多晶硅薄膜，而空穴收集则采用p型的硼掺杂多晶硅薄膜。由于n型钝化接触...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超薄氮氧化硅界面材料，其特征在于，所述超薄氮氧化硅界面材料为SiON薄膜，厚度为1nm
‑
4nm，所述SiON薄膜中N原子百分含量为1％
‑
40％。2.如权利要求1所述的超薄氮氧化硅界面材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用无离子轰击氧化法在硅片上生长一层SiO2薄膜；S2、用PECVD方法对SiO2薄膜进行表面氮化处理，处理气氛为含氮气体和含氧气体，生成SiON薄膜。3.根据权利要求2所述的超薄氮氧化硅界面材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述含氮气体为NH3，所述含氧气体的为N2O。4.根据权利要求2所述的超薄氮氧化硅界面材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述含氮气体和所述含氧气体的流量比为2:1～8:1。5.根据权利要求2所述的超薄氮氧化硅界面材料的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中无离子轰击氧化法为臭氧气氧化法或硝酸氧化法。6.一种遂穿氧化钝化结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶继春，曾俞衡，邢海洋，马典，刘伟，闫宝杰，廖明墩，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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