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本发明提供一种超薄氮氧化硅界面材料、遂穿氧化钝化结构及其制备方法和应用，所述超薄氮氧化硅界面材料为SiON薄膜，厚度为1nm
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该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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